Способ удаления активного покрытия с оксидных рутениево- титановых анодов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к производству оксидных рутениево-титановых анолов (ОРТА) и может быть использовано для удаления с их поверхности отработанного активного покрытия. Цель изобретения - повышение качества при уменьшении потерь титановой основы и уменьшение времени обработки . Удаление активного покрытия с ОРТА проводят в 1-10%-ном растворе малеинового ангидрида илм янтарной кислоты с добавкой 0,1-1,0% ионов фтора при 20-60°С. 1 з.п. ф-лы, 3 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51) 5 С 25 В 1 1/00

:" ! 1 95! <

4: mid,! с t. 1

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (а

Ф ь ( ()

С4

С („Д

Ъ :

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4429286/26 (22) 23.05.88 (46) 07. 03. 91. Бнш. Р 9 (71) Стерлитамакское производственное объединение "Каустик" (72) В.E Зяблицев, П.И.Чапайьин, И.В.Гордеева, О.К.Комалов и М.П. Зяблицева (53) 621.3.035.2 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

N 502537, кл. С 25 В 11/06. (54) СПОСОБ УДАЛЕНИЯ АКТИВНОГО ПОКРЫТИЯ С ОКСИДНЫХ РУТЕНИЕВО-ТИТАНОВЫХ АНОДОВ

Изобре1 ение относится к производству оксидных рутениево-титановых анодов (ОРТА) и может быть использо вано для удаления с их поверхности отработанного активного покрытия.

Цель изобретения — повышение качества при уменьшении потерь основы и уменьшение времени обработки.

Удаление активного покрытия с ОРТА проводят в 1-10%-ном растворе малеинового ангидрида или янтарной кислоты с добавкой 0,1 — 1,0% ионов фтора при

20-60 С.

Результаты испытаний приведены в табл. 1-3.

Способ обеспечивает перевод снимаемого оксида рутения в растворимые соединения, перевод рутения в растворимые соединения, которые легко можно извлечь известными методами без потерь или утилизировать раствор.

„„Я0„„163302) А 1

2 (57) Изобретение относится к производству оксидных рутениево-титановых анодов (ОРТА) и может быть использовано для удаления с их поверхности отработанного активного покрытия.

Цель изобретения — повышение качества при уменьшении потерь титановой основы и уменьшение времени обработки. Удаление активного покрытия с

ОРТА проводят в 1 — 10%-ном растворе малеинового ангидрида илч янтарной кислоты с добавкой 0,1 — 1,0% ионов фтора при 20-60 С. 1 з.п. ф-лы, 3 табл, Способ. особенно перспективен при удалении активного покрытия с ОРТм, представляющих собой листы титана (просечные в диафрагменных, сплошные в хлоратных электролизерах),которые соединены с внутренним титановым опорным листом и наружная поверхность которых покрыта активным покрытием, При обработке другими способами (травление в неорганических кислотах, дробеструйная обработ и др.) происходит сильное разрушение участков (опорный лист) без покрытия и деформация (обработка дробью) анодов.

Формула изобретения

1. Способ удаления активного покрытия с оксидных рутениево-титано1633021

Та блица 1

Результаты обработки

Известный

Предлагаемый

Таолида 2

Потери, иг/си олнчестео поаерхностн

Электрохиююческие характеристики

Полнота улалеиня

Вреия, или

Состав раствора, Т

ТТ Ru аличие аинтной пенки нкронерохоааость, ики, целление порытил

Растаср иалеИИОЯОГII RHудовлетворительное

По lS, xupozce

О, 33 Отсутст- Имеется а унт

l-1O

O,l->,O

Полное гилрида

Ионы фтора

Рястаор яитарноп кислоты

Ионы фтора

Ло 15, хороаее

l-1O

O,1- l,O

Полное вых анодов н кислом растворе при повьппенной температуре, о т л и ч ающи и с я тем, что, с цельюповышения качества при уменьшении потерь титановой основы и уменьшения времени обработки, процесс осущестСпособ Условия процесса

Раствор: щавелевая кислота

От 8-15%, фтористоводородная кислота 0,02-27, 60 С

Раствор: малеиновый ангидрид и янтарная кислота

1-10%, ионы фтора 0,11%т 60 С, 15 мин вляют в 1 †1.-ном растворе малеинового ангидрида или янтарной кислоты с добавкой 0,1-1,07 ионов фтора, 2. Способ по п.1, о т л и ч а юшийся тем, что процесс ведут при 30-60 С.

Нет полного удаления покрытия (за 15 мин) снятие покрытия неравномерное с разрушением участков основы, низкое качество основы (нет требуемой микрошероховатости, наводороживание, "запирание и отсутствие защитной пленки), большие потери металла (до 3,5 мг/см ), длительность процесса (полное удаление не менее 1 ч и при 100 С) низкое качество регенерированных ОРТА ("запирание" — высокий потенциал, т.е. более

1,35 В).

Полное удаление покрытия, высокое качество основы (нет наводороживания, обеспечение микрошероховатости, хорошая адгезия свежего покрытия, наличие защитной пленки), мало время, незначительны потери металла (до 0,5 мг/см ), высокое качество регенерированных ОРТА (потенциал не более 1,35 В), процесс менее трудоемок (не требуется дополнительная обработка с целью удаления остатков покрытий и обеспечения микрошероховатости) 1633021

1

М\

I а4

If !

I х !

o <

ad н

I

1 в

<о е

ð Ф

»»

3i 5 < хоа аав ос<йоо

4<О О е е е

В а

Ф, о о х х

53

1. ф

fe и I» о е с

Й1 3 х

6 х

0 ке

a%

Ф н к а .о

Э

Х К3

6 а о ха а э х

К Э

4I 4

4I

<е< о о а с

v 4; 3 х о е и о х х

55 х Й ао х и !» о

1

1 е 1 о х и

Е и

<3 й(е о а

5 х а о 1 и

4) л

1 о

6 и и

Й =

I. х а о

4 й

1 х а о р

3!

p !

П

)

1 о ° I а о

К О 1

1

1 !

1

1

I

3 и о х

v 1 о

Ф и о к м о к

a z

Э

Х е о м а

4!

Й о а о х в е

0 а о о к к

Э Э в в х f! о о а а с о и к в

Э Э. э х х о о а а о о к к о !

1 1 л л

4l о к о

Э о к о

° 1 о к о и х

3 а к о

C л ! о в е л

1 1

an л о о

I I л л е о о <ч л

М л е

an ч в л ч л ч

Ф

<» 41

% е е х Д о и I

I» .I х в

ff о с

1 л

< ! и х

4! !

I

I I

1 I! о л еч и а ю о

Я 41

14 V в е а а о.

6

V I и о в

Р х ы о е о х

1 е х х< I

1» ° 1

4I

М 1 л

<о е о л в

an о о

О 4О еч <ч е о е

» в о

4О О м со е о о

an

° n о с(ch ao

М в е о о

Ф о л о ао е

1 I о э и в о х

I 4I о с э с э о о и х в о

5 =

Ф= !

I

1 1 1

1 1 1!

1 !

<1 (1 ! л

М о о м о л о л

D е» <Х< е

I a0

c Ru

Е

Э и н а о о л л о л о л о л о о л л о л

М Ч< о о 0. <о

° 4

4I 1 а о а и

V 1 о

u I

3 о.

* о о в

Х 8

an е

an е о

an л е в о о л an

o o л о о в о л л

o o

an л е е о о

О 1 ф Ф х

Я 4< ф : о е о о о л е

D о о в в м л о е

an о е л

an е в

I

° а 1 tt

v I 5

I Э

С Р

< а < х 1

4! a6 1 !

» 1 1. о ! 1

Э а о о к е е и

Ч an о л м Фч о . о л л л о в O о о о о

an л о о î о е е в в л л л л в и

). х л е о е С вн

g

1 о а с о и ч <.

3 э

D и е Х ю

Р

- л

Э б

Э C о э е в

g a

33

Й В о 4

В

Ф е г