Способ выращивания рассады огурца в защищенном грунте

Способ выращивания рассады огурца в защищенном грунте

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к сельскому хозяйству , в частности к овощеводству. Целью изобретения является ускорение развития растений и повышение урожая. Это достигается тем, что рассаду на первом - третьем этапах выращивают при температуре грунта 23 -25°Си влажности грунта 85 - 84 %, на четвертом - пятом этапах температуру грунта повышают с 25 до 29 - 30°С, а влажность снижают до 83 - 79%, с шестого по седьмой этап температуру грунта понижают до 24 - 23°С и влажность до 77 - 63%, при этом изменение режимов осуществляют постепенно день за днем. Изобретение позволяет снизить расход воды на 27 - 68%, тепла на 13% 4 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)s А 01 G 31/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

i+ (р !

Ф

)00 (21) 4464833/13 (22) 08.06.88 (46) 15.03.91, Бюл. %10 (71) Научно-производственное объединение

"Среднеуральское" (72) А.В.Юрина, Г.Ф.Решетникова и

В, В. Смертин (53) 631.589.2 (088.8) (56) Юдина А.В., Ганичкина О.А., Каррашина Л.А. Новая прогрессивная технология возделывания огурцов в теплицах.—

Уральские нивы, 1974, N 8, с.26 — 32. (54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ РАССАДЫ

ОГУРЦА B ЗАЩИЩЕННОМ ГРУНТЕ

Изобретение относится к сельскому хозяйству, в частности к овощеводству, Целью изобретения является ускорение развития растений и повышение урожая.

Г1 р и м е р . Рассаду на первом — третьем этапах выращивают на четырех режимах, различающихся по температуре и влажности грунта от минимальных до максимальных значений.

Влияние температурно-влажностных режимов в грунте на прохождение первого— третьего этапов органогенеэа (ювенильный период) и продуктивность рассады огурца показано в табл.1.

Иэ приведенных данных следует, что повышение температуры грунта от 23 до 33 С при прорастании семени и ускорение появления всходов до двух суток не способствуют увеличению урожайности (варианты 1 и 2).

Наоборот, некоторое замедление появления всходов в течение трех суток благоприятст„„. Ж„„1634188 Al (57) Изобретение относится к сельскому хозяйству, в частности к овощеводству. Целью изобретения является ускорение развития растений и повышение урожая. 3TQ достигается тем, что рассаду на первом — третьем этапах выращивают при температуре грунта 23

-25 Си влажности грунта 85 — 84, на четвертом — пятом этапах температуру грунта повышают с 25 до 29 — 30 С, а влажность снижают до 83 — 79 (, с шестого по седьмой этап температуру грунта понижают до 24 — 23 С и влажность до 77 — 63, при этом изменение режимов осуществляют постепенно день за днем. Изобретение позволяет снизить расход воды на 27 — 68, тепла на 13 . 4 табл. вует развитию более мощной корневой системы, утолщению подсемядольного колена, влияет на развитие продуктивных растений, обеспечивающих более высокую урожайность. Достаточное количество влаги 84—

85 (> НВ влияет на накопление растениями вегетативной массы — 6,5 г на растение против 1,5 — 2,8 г на растение. Увеличение влажности грунта до 90 — 957 (вариант 1) излишне иэ-за недостатка кислорода и отрицательно влияет на развитие корней и накопление вегетативной массы при всех изучаемых температурах. Понижение температуры грунта до 20 — 22 С после всходов задерживает листообразование на трое суток, накопление биомассы и будущую продуктивность растений.

Таким образом, поддержанием e;ðóíòå при выращивании рассады огурца на первом — третьем этапах органогенеэа режима: тем1634188

45

55 пература грунта 25 — 23 — 250С, влажность

85- 847ь обеспечивается наиболее мощное развитие вегетативной массы растениИ с повышенной их продуктивно тью.

Далее применяется различный температурно-влажностный режим в период прохождения растениями огурца четвертого— пятого этапов органогенеза, т.е. в период закладки генеративных органов, образования первого — второго листа.

Результаты отражены в табл.2.

Данные табл.2 свидетельствуют о положительной реакции теплолюбивого растения огурца на ускорение органообраэования и повышение продуктивности растений под влиянием повышения температуры с 26 до 30 С в период закладки генеративных органов. Температура 33 С уже излишняя, а 20 — 22 С— недостаточная для формирования растений с максимальной продуктивностью. В варианте 3 условия температуры и влажности отличаются от других вариантов не только абсолютными показателями, но и динамичностью, они меняются каждые сутки с постепенным повышением температуры для ускорения образования и роста генеративных органов и снижением влажности грунта. В варианте 2 (известный способ) явно недостаточно влаги, на ранней фазе происходит угнетение растений, что замедляет процессы накопления биомассы, а в варианте 1 слишком высокая температура усиливает дыхание корней, а высокое содержание влаги вытесняет кислород и процессы образования и роста генеративных органов тормозятся, что отражается на продуктивности растений.

Наиболее оптимальным режимом на четвертом — пятом этапах органогенеза в период закладки генеративных органов служит режим 3, обеспечивающий ускоренное развитие растений и наивысшую продуктивность их в последствии.

В опыте соблюдается различный режим температуры и влажности в грунте в период прохождения растениями огурца шестого— седьмого этапа органогенеза, обрэзования цветков и перехода их на седьмой этап органогенеза (выход венчика цветка на уровень чашечки).

Результаты приведены в табл.3.

Наиболее благоприятные условия для роста и развития генеративных органов складываются в варианте 3, где снижается температура грунта постепенно с 30 до 23 С и влажность с 78 до 63ф,. Развитие вегетативной массы на данном этапе органогенеэа у растений варианта 3 ниже, чем в

35 режиме 1, где были наибольшие влажность и температура грунта, но переход на седьмой этап развития проходит в варианте 3 на

6 сут раньше, что обеспечивает получение наивысшей урожайности при этом режиме.

Растения варианта 4 отстают не только по величине биомассы, но и по развитию, т.е. по переходу на седьмой этап органогенеза, нэ 8 сут в сравнении с лучшим вариантом

3. Различия по урожайности между вариантами существенны, что доказывается математической обработкой полученных данных, Таким образом, соблюдение в грунте постепенного снижения температуры с 30 до 23 С и влажности с 78 до 63 НВ в период прохождения растением шестого и седьмого этапов органогенеэа обеспечи-, вает получение наивысшей урожайности, В табл.4 помещены результаты опыта, где способ выращивания рассады огурца в защищенном грунте включает регулирование температуры и влажности грунта по этапам органогенеза так, чтобы на первом — третьем этапах органогенеэа температура поддерживалась на уровне 25 — 23 — 25 С, а влажность

85 — 84, на четвертом — пятом этапах в период закладки генеративных органов температура грунта повышалась с 26 до 29—

30 С, а влажность грунта снижалась до 83—

79, с шестого по седьмой этап температура грунта понижалась до 24 — 23 С и влажность до 77 — 63, при этом изменение режимов осуществляют постепенно день за днем (еариант 2).

В варианте 1 (известный способ) температура грунта первые 15 сут 27 — 28 С, влажность грунта 72 — 73, вторые 15 сут температура грунта 22 — 25 С, влажность 68 — 70, 8 варианте 3 температура до всходов

25 — 30 С, после всходов 20 — 23"С, влажность грунта 70 — 80 (табл.4).

В табл.4 представлены данные биометрических наблюдений, показывающие, что листообразование у растений, произрастающих по известному и предлагаемому способам, вначале примерно однообразно, но с некоторым опережением в период образования органов у растений при предлагаемом способе (вариант 2). Отставание е развитии на протяжении всего периода выращивания отмечается у растений ь варианте 3, Предлагаемый способ выращивания позволяет выращивать рассаду с меньшим расходом воды на 27 — 68 и тепла на 13 (, и обеспечивает высокую ее продуктивность, что снижает себестоимость эеленц в и увеличивает дополнительную прибыль на 8—

1634188

Таблица 1

Таблица 2

ТаблицаЭ

237, по сравнению с выращиванием рассады известными способами, Формула изобретения

Способ выращивания рассады огурца в защищенном грунте, включающий регулирование температуры и влажности грунта, отличающийся тем. что, с целью ускорения развития растений и повышения урожая культуры. регулирование температуры и влажности грунта осуществляют дифференцированно по этапам органогенеза так, что на первом — третьем этапах температуру поддерживают на уровне 23 — 25 С, а влажность 85 — 84, на четвертом — пятом этапах

5 температуру грунта повышают с 25 С до 29—

30 С, а влажность снижают до 83 — 797ь, с шестого по седьмой этап температуру грунта понижают до 24 — 23 С и влажность до 77—

637ь, причем изменение режимов осуществляют постепенно, 1ЕЗ41ВЕ

Таблица 4

Составитель С. Куваева

Техред Э.Цаолюк

Корректор Л.Алексеенко

Редактор И.Горная

Производственно-иэдательский комбинат"Патент", r, Ужгород, ул, Гагарина, 161

Заказ 786/91 Тираж 382 Подписное

ВЙИИПИ Госудврствфюного комитета м> иаобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Рауыская наб., 4/5