Способ изготовления элемента памяти

Способ изготовления элемента памяти

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (!9) (!!! (Si) S С 11 С 11/40

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

fl0 ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4404971/24 (22) 18.01.88 (46) 15. 03. 91. Бюл. У 10 (71) Институт кибернетики им. В.М.Глушкова (72) В.И.Бураченко, В.К.Максимов и Д.М.Некрасов (53) 68 1.327.6 (088 .8) (56) Зарубежная радиоэлектроника, 1976, М 9, с. 85-86.

Авторское свидетельство СССР

Ф 1 08 7016, кл . Н 01 L 4 5/00, 1983. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕМЕНТА

ПАМЯТИ (57) Изобретение относится к полупроводниковой электронной технике и может быть использовано при изготовлении элементов памяти для репрограммируемых матриц. Целью изобретеИзобретение относится к полупроводниковой электронной технике и мо жет быть использовано при изготовлении элементов памяти для репрограммируемых матриц.

Целью изобретения является повышение надежности элемента памяти.

На фиг.1 и 2 приведены сечения структур элемента памяти.

На фиг.1, 2 введены следующие обозначения: полупроводниковая или диэлектрическая подложка 1 ° первый проводящий слой 2, слой диэлектрика 3, второй проводящий слой 4, прония является повышение надежности элемента. На поверхностях первого и второго проводящих слоев или формируют слой полупроводникового стекла, а на поверхности слоя полупроводникового стекла — проводящую область, или формируют проводящую область, а на поверхности проводящей области слой полупроводникового стекла и после формирования контактов пропускают через них импульс тока для модифика ции участка слоя полулроводникового стекла. Результатом модификации является повышение надежности работы элемента памяти за счет исключения распространения области переключения по объему слоя полупроводникового стекла, локализации этой области в пределах модифицированного участка.

2 чл. водящая область 5, слой полупроводникового стекла 6, отверстия 7 в слое диэлектрика и во втором проводящем слое, модифицированный участок 8 слоя полупроводникового стекла, первый и второй контакты 9, Способ изготовления состоит из следующей последовательности. операций.

На диэлектрическую подложку 1 из ситалла наносится слой 2 иэ молибдена толщиной 0,3 мкм и слой диэлектрика 3 из двуокиси кремния толщиной

0,4 мкм. Методами литографии в слоях

1635211

2, 3 формируются отверстия 7 с разме рами 20 х 20 мкм, После формирования отверстий 7 наносится слой полупроводникового стекла 6 состава

Si< Ge < As з Те4я и проводящая область 5 никеля, Для исключения деградации полупроводниковых свойств участка S слоя полупроводникового стекла 6, расположенного между проводящими слоями 2, 4, проводят его модификацию, т.е. диффузию атомов проводящего слоя 5 в участок 8. Модификацию проводят, например, на зондовой установке (на 15 фиг,1, 2 не показана), на контакты 9 которой прикладывают импульсное напряжение амплитудой 60 В, длительность импульсов 5 мкс, частота их следования 5 кГц. За время действия 2О импульсного напряжения 15-20 с между проводящими слоями 3 4 образуется проводящий участок слоя 6, сопротивление которого равно 200 Ом.

На фиг.2 приведен элемент памяти, 25 изготовленный по альтернативному варианту. Этот вариант отличается тем, что проводящая область 5 формируеТся на поверхностях первого и второго проводящих слоев. Режим модифи- 30 кацин участка полупроводникового стекла 6 аналогичен варианту изготовления элемента памяти, приведенного на фиг.1.

Результатом модификации явпяется повышение надежности работы элемента памяти за счет исключения распространения области переключения по объему слоя полупроводникового стекла, лока- 4 лизации этой области в пределах модифицированного участка 8.

Способ найдет широкое применение в за поминающих и переключающих устройствах повышенной надежности, Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я

Способ изготовления элемента памяти, включающий нанесение на диэлектрическую или полупроводниковую подложку первого проводящего слоя, формирование слоя диэлектрика и второго проводящего слоя с отверстиями, расположенными соответственно на поверхности первого проводящего слоя и поверхности слоя диэлектрика, формирование слоя полупроводникового стекла, формирование первого и второго контактов к первому и второму проводящим слоям, формовку слоя полупроводникового стекла, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности элемента памяти, на поверхностях первого и второго проводящих слоев или формируют слой полупроводникового стекла, а на поверхности слоя полупроводникового стекла формируют проводящую область, или фррмируют проводящую область, а на поверхности проводящей обЛасти формируют слой полупроводникового стекла и после формирования первого и второго контактов проводят модификацию в проводящее состояние участка слоя полупроводникового стекла, расположенного между первым и вторым проводящими слоями, пропусканием импульсов тока через первый и второй контакты.

1635211

qlgz. f

Составитель Б.Венков

Редактор М.Циткина Техред N.дндык Корректор M.ä Mù K

Эакаэ 758

Тира к 348

Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101