Устройство для формирования напряжения на подложке микросхемы

Устройство для формирования напряжения на подложке микросхемы

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в интегральных схемах на МДП-транзисторах. Цель изобретения - повышение точности стабилизации формируемого напряжения на подложке микросхемы за счет снижения зависимости этого напряжения от напряжения питания, частоты задающего генератора, технологии изготовления основных транзисторов . Поставленная цель достигается тем, что в известное устройство для формирования напряжения на подложке микросхемы введены первый инвертор 6, выполненный на МДП-транзисторах 7 и 8, второй инвертор 9 (МДП-транзисторы 10 и 11), третий инвертор 12 (МДП-транзисторы 13 и 14) и коммутатор 15, что обеспечивает удержание напряжения на подложке микросхемы на некотором уровне, определенном состоянием транзистора 8. 1 ил

союз сОВетских

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4360813/21 (22) 06.01.88 (46) 23,03.91. Бюл. В 11 (72) А.M.Êîïûòîâ, В.П.Сидоренко, В.Е.Стиканов и Ю,А.Юхименко (53) 681.142.8 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

hh 1149311, кл. G 11 С 11/40, 1985.

Электроника, 1977, йв 16, с.36. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ

НАПРЯЖЕНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ МИКРОСХЕМЫ (57) Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в интегральных схемах на МДП-транзисторах. Цель изобретения — повышение точности стаби„, . Ы „„ I 636857A1 (н)л G 11 С 11/40 // Н 03 K 5/00 лизации формируемого напряжения на подложке микросхемы за счет снижения зависимости этого напряжения от напряжения питания, частоты задающего генератора, технологии изготовления основных транзисторов. Поставленная цель достигается тем, что в известное устройство для формирования напряжения на подложке микросхемы введены первый инвертор 6, выполненный на МДП-транзисторах 7 и 8, второй инвертор 9 (МДП-транзисторы 10 и 11), третий инвертор 12 (МДП-транзисторы 13 и 14) и коммутатор 15, что обеспечивает удержание напряжения на подложке микросхемы на некотором уровне. определенном состоянием транзистора 8. 1 ил, 1636857 выходе первого инвертора 6 не достигнет уровня, достаточного для отпирания транзистора 11, что приводит к запиранию транзистора 13, прекращению зарядки конденсатора 3, а следовательно, и последующему увеличению напряжения подложки (шина 17). Кроме того, запирание транзистора 13 приводит к повышению напряжения на затворе транзистора 15 и появлению возможности некоторого уменьшения напряжения на подложке за счет протекания тока через транзистор 15. При уменьшении напряжения подложки напряжение на выходе первого 6 и третьего 12 инверторов понижается, а на выходе второго инвертора 9 повышается, что обеспечивает протекание тока зарядки конденсатора 3 и запирание транзистора 15.

Таким образом, напряжение на подложке микросхемы удерживается на некотором уровне, определяемом состоянием транзистора 8 (в пределах величины напряжения на шине 18, уменьшенного на величину порогового напряжения транзистора 4).

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в интегральных схемах на МДП-транзисторах.

Цель изобретения — повышение точности стабилизации формируемого напряже- 5 ния на подложке микросхемы за счет снижения зависимости этого напряжения от напряжения питания, частоты задающего генератора, технологии изготовления основных транзисторов. 10

На чертеже приведена функциональная схема устройства.

Устройство содержит задающий генератор 1, усилитель 2, конденсатор 3, первый

4 и второй 5 МДП-транзисторы, первый ин- 15 вертор 6, выполненный на МДП-транзисторах 7 и 8 (транэистор 8 имеет повышенный в сравнении с отальными транзисторными устройствами коэффициент влияния напряжения подложки), второй инвертор 9 (МДП- 20 транзисторы 10 и 11), третий инвертор 12 (МДП-транзисторы 13 и 14), коммутатор 15, общую шину 16, выходную шину 17 и шину

18 питания.

Устройство работает следующим обра- 25 зом.

С выхода генератора 1 периодические сигналы поступают на вход усилителя 2, усиливаются и подаются на обкладки конденсатора 3. Пусть в исходном состоянии 30 напряжение подложки равно нулю. а геометрические размеры и пороговые напряжения МДП-транзисторов инверторов обеспечивают формирование напряжения высокого уровня на затворе транзистора 13 35 и низкого уровня на затворе транзистора

15. Это обеспечивает при появлении на выходе усилителя 2 напряжения высокого уровня заряд конденсатора 3, а при низком уровне — разряд конденсатора и увеличение 40 напряжения подложки.

По мере увеличения напряжения подложки напряжение на выходе первого инвертора 6 возрастает (за счет повышенного коэффициента влияния подложки транзи- 45 стора 8), не оказывая влияния на остальные элементы устройства. Это увеличение происходит до тех пор, пока напряжение на

Формула изобретения

Устройство для формирования напряжения на подложке микросхемы, содержащее задающий генератор, усилитель, конденсатор и два транзистора, причем выход задающего генератора через последовательно соединенные усилитель и конденсатор соединен со стоком и затвором первого транзистора и истоком второго транзистора, сток и затвор которого соединены с выходной клеммой, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью повышения точности стабилизации формируемого напряжения на подложке микросхемы за счет снижения зависимости от стабилизирующих факторов, в него введены три инвертора и коммутатор, выход первого инвертора через второй инвертор соединен с входом третьего инвертора, выход которого соединен с истоком первого транзистора и управляющим входом коммутатора, выходная клемма через коммутатор соединена с общей шиной, Соста вител ь А. Коробков

Техред M,Ìîðãåíòàë Корректор M.Ñàìáoðñêàÿ

Редактор В.Петраш

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Заказ 817 Тираж 355 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5