Патент ссср 163790

Патент ссср 163790

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ )63790

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскиз

Социалистических

Республик

Класс 42пl, 14р

21а>, 36, Заявлено 08.111.19á2 (№ 715095/2б-24) МПК 6 061

Н 03k государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР

Опубликовано 22Л П.1964 г. Ьюллетень № 13 уДк

Дата опубликования описания б.X.19á4

Автор изобретения;

Л. И. Реймеров

ТВЕРДЫЕ ЛОГИЧЕСКИ Е ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ СХЕМЫ

«НŠ— ИЛИ» НА МОНОКРИСТАЛЛАХ ПОЛУПРОВОДНИКА

Предмет изобретения

Подписная аруппа М 145

Известны твердые логические переключающие схемы, представляющие собой монокристаллы полупроводника, отдельные области которого эквивалентны пассивным и активным элементам электронных схем: сопротивлениям, емкостям, диодам, транзисторам и т. п.

Предлагаемые твердые логические переключающие схемы «НŠ— ИЛИ» на монокристаллах полупроводника отличаются от известных тем, что, с целью их упрощения, малогабаритности н повышения быстродействия, они выполнены в виде плоской системы р-и-р-п переходов, содержащей один общий р-и переход и несколько управляющих переходов, изменение проводимости каждого из которых приводит к изменению потенциала общей р-области, с которой снимают выход: ной сигнал.

FIa чертеже схематично изображен монокристалл полупроводника (в разрезе).

Поданный на любой из входов 1 твердой логической переключающей схемы «HE—

ИЛИ» отрицательный потенциал, соизмеримый с высотой потенциального барьера управляющего р-и перехода 2, приводит к инъекции дырок из р-области 3 в и-область

4. Эта диффузия дырок понижает сопротивление на обратно смещенном и-р переходе 5, на котором происходит почти все падение напряжения системы. В результате снижения сопротивления и-р перехода 5 повышается потенциал общей р-области 6, с которой c tttмается выходной сигнал через контакт Т н

5 прикладывается плюс источника питания.

Минус источника питания прикладывается к крайней и-области 8.

Преимуществом твердой логической переключающей схемы «HE — ИЛИ» на монокрн10 сталлах полупроводника является возможность параллельного включения IIH выход предлагаемой твердой схемы более 15 входов, что ооеспечивается ннъекцней электронов нз общей и-области н отрицательным значением

15 сопротивления в момент переключения.

При исследовании твердых логических переключающих схем «HE — ИЛИ» установлено, что помехи (обратные токи до 100 яка при комнатной температуре, проводимость

20 обратной связи управляющего н управляемого переходов до 10 10 6/оя) не влияют на функцию передачи сигналов р-и переходами.

Твердые логические переключающие схемы

«HF — ИЛИ» па монокристаллах полупроводника, отличающиеся тем, что, с целью упрощения, компактности, малогабаритности

30 и повышения быстродействия, они выполнены

163790

Составитель И. Заикина

Редактор П. Шлаин Текред А. А. Камышникова Корректор М. П. Ромашова

Заказ 2232 4 Тираж 800 Формат бум. 60/908>

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

", виде плоской системы р-и-р-и переходов, содержащей. один общий р-и переход и несколько у.нравляющих переходов, изменение проводимости каждого из которых приводит к изменению потенциала общей р-области, с которой снимают выходной сигнал.