Шихта пьезокерамического материала
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Изобретение относится к материалам радиоэлектронной техники и может быть использовано для создания электромеханических преобразователей , работающих в широком диапазоне температур. Для повышения пьезомодуля d33 материала шихта пьезокерамического материала содержит дополнительно KgO при следующем соотношении компонентов, мас.%: 75,78-75,83; Ti02 12,23-12,25; Мо03 11,01-11,03 и КгО 0,90-0,96. Полученный по обычной керамической технологии из предлагаемой шихты материал имеет следующие характеристики: &ъ/Јо 90-110, tg f 0,005 - 0,009; d33/25-27/xlO- 2Kn/H, Тс 665- 670°С, обратимые изменения d3j в интервале от 20 до 500°С (15-17)%. 2 табл. с Ј (Л
СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (191 (11) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н А BTGPCHGMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР (21) 46 733 7 7/33 (22) 04 . 04 . 89 (46) 30.03.91. Бюл. Р 12 (71) Рижский политехнический инсти+ тут им. А.Я . Пельше.и,особое конструкторско-технологическое бюро
tt 1!
Пьез оприб ор при Рост овском г осударственном университете (72) . Л.В. Корзунова, И.В ..Гордиенко, Ю.А. Вусевкер, А.П. Кудинов и Б.Ц.,Шпитальник (53) 666.655 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР
l(t 597659,. кл. С 04 В 35/00, 1978.
Авторское свидетельство СССР
N - 1512954, кл. С 04 В 35/00, 1988. (54) ШИХТА ПЬЕЗОКЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА
Изобретение относится к материалам радиоэлектронной техники и.может быть использовано для создания электромеханических пьезопреобразователей, работающих в широком диапазоне температур .
Цель изобретения — повышение пье-. зомодуля d>> материала.
В качестве компонентов шихты использованы оксиды Вдгоз марки чда, Т О (конденсаторный), Мо0> и карбонат КгСОз чда.
Компоненты смешивают в среде изопропилового спирта в течение 24 ч, высушивают, прессуют в брикеты и о синтезируют при 700 С 2 ч. После
20-часового помола в яшмовой мельни(1) С 04 B 35/46, Н 01 L 41/18
2 (57) Изобретение относится к материалам радиоэлектронной техники и может быть использовано для создания электромеханических преобразователей, работающих в широком диапазоне температур. Для повышения пьезомодуля d> материала шихта пьезокерамического материала содержит дополнительно К О при следующем соотношении компонентов, мас.%: Bi 0
75,78-75,83; Т ог 12,23-12,25;
Моо 11,01-11,03 и K О 0,90-0,96.
Полученный по обычной керамической технологии из предлагаемой шихты материал имеет следующие характеристики: 5> /Q 90-110, tg о 0,0050,009; йзз/25-27/к10 г Кл/Н, Тс 665670 С, обратимые изменения dory в о интервале от 20 до 500 С (15-17)%.
2 табл. це в среде изопропилового спирта шликер высушивают и прессуют в диски диаметром 12 мм, толщиной 2 мм, используя в качестве связки 3%-ный раствор поливинилового спирта в воде.
Спекание проводят при 890-950 С с выдержкой 1 ч. На сошпифованные до толщины в 1 мм диски наносят напы- лением в вакууме алюминиевые электроды. Поляризация образцов осуществлена в IIQTIHcHJIoêñàíîâaé жидкости при о
150 С и напряженности электрического поля 50-70 кВ/см.
Химический состав шихт для пьезо« керамических материалов приведен в табл. 1.
1638134 одержание, мас.7., на 100 r шихты
Состав
1. 09 Т 02 К О МоОЗ
75,83, 12, 24
75,8ll 12,23
?5 78 12,25
090 11 03
0,94 11,02
0,96 11,01
2
Таблица 2
Состав
Предлагаемый
Свойство
2 3 ) Извест- (ный
1 1
Температура спекания, С о
950 900 890 900 950
100 80
110
0,05 0,09 . 0,07 0,008
Т емп ерат ура кри, 670 . 670 665
Пьезоэлектрический модуль азз
101к K„/Н
27 26 25 6 1
Обратимые изменения
d зя в интер-. вале от 20 до 5ОО C Z
1 7
15, 15
Составитель Н. Соболева
Техред il.ñëèéêûê
Редактор М. Недолуженко
Корректор Л. Бескид
Заказ 900 Тираж 444 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101
Сравнительные характеристики предлагаемых и известного составов,определенные по стандартным методикам, да ны в табл . 2.
Формула изобретения
Шихта пьезокерамического материала включающая Bi Озз Ti02 и МООР .отличающаяся тем, что, Диэл ектрическая проницаемость, Е-Зз <-о
Дизлектрические лоте Ри с86 с целью повышения пьезсмодуля d материала, она содержит дополнительно К О при следующем ссотношении ком понентов, мас.7.:
Bi 20з 75, 78-75,83
Ti02 12,23-12,25
МоО я 11, О 1-11, 03
К О Ов90 Оэ96 а блица 1