Способ монтажа полупроводниковых приборов

Способ монтажа полупроводниковых приборов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к электронной и радиоэлектронной технике, в частности к производству полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, и может быть использовано при их изготовлении с использованием ультразвуковой микросварки.Цель изобретения - повышение качества монтажа за счет более точного определения положения контактных площадок прибора в пространстве. После определения положения контактных площадок прибора в горизонтальной плоскости относительно оси оптического устройства и в вертикальной плоскости относительно конца сварочного инструмента каждую контактную площадку перемещают в фокальную плоскость оптического устройства. В этом положении корректируют ранее определенные координаты площадки в горизонтальной плоскости и угол поворота прибора относительно собственной вертикальной оси и проводят приварку проволочных выводов к контактной площадке. Это , позволяет избежать смешения сварного соединения относительно центра контактной площадки и исключить нарушение работы прибора. 3 ил. Ј (Л О со со со со ND

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4603987/27 (22) 09.11.88 (46) 07.04.91. Бюл. № 13 (72) В.Г.Сизов, В.Н.Оладьппкин и Э.M.Славинский (53) 621.791.16 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 963197, кл. В 23 К 20/10, 1979.

Авторское. свидетельство СССР

¹ 941101, кл. В 23 К 20/10, 1980.

Грачев А.А. и др ° Ультразвуковая микросварка. — М.: Энергия, 1977, с. 124-125.

Львов Н.С., Гладков Э.Л. Автоматика и автоматизация сварочных процессов, — М.: Машиностроение,1982, с. 249-250.

Авторское свидетельство СССР

Р 848220, кл. В 23 K 31/02, 1979. (54) СПОСОБ МОНТАЖА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ (57) Изобретение относится к электронной и радиоэлектронной технике, в частности к производству полупроводниковых приборов и интегральных

Изобретение относится к электронной и радиоэлектронной технике, в частности к производству полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, и может быть использовано при их изготовлении способом ультразвуковой микросварки.

Целью изобретения является повышение качества монтажа. . На фиг.1 изображено устройство для осуществления способа, общий

„„SU„„1639932 А1 (Д1)5 В 23 К 31/02//В 23 К 101:40

2 микросхем, и может быть использовано при их изготовлении с использованием ультразвуковой микросварки.Цель изобретения — повышение качества монтажа за счет более точного определения положения контактных площадок прибора в пространстве. После определения положения контактных нлощадок прибора в горизонтальной плоскости относительно оси оптического устройства и в вертикальной плоскости относительно конца сварочного инструмента каждую контактную площадку перемещают в фокальную плоскость оптического устройства. В этом положении корректируют ранее определенные координаты площадки в горизонтальной плоскости и угол поворота прибора относительно собственной вертикальной оси и проводят приварку проволочных выводов к контактной площадке. Это позволяет избежать смешения сварного соединения относительно центра кон-. тактной площадки и исключить нарушение работы прибора. 3 ил. вид; на фиг.2 — сечение А-А на фиг.1; на фиг.3 — схема величин рассогласования контактных площадок по оси координат Z относительно фокальной плоскости. Способ осуществляется следующим образом.

Полупроводниковый прибор 1 подают на координатный (предметный) стол

2 и фиксируют его (фиг.1 и 2). On1 6 39932 ределяют пЬложение каждой контактной площадки 3 кристалла 4 в горизонтальной плоскости относительно оптической оси 5 оптического устройства б. Положение каждой контактной площадки 3 в горизонтальной плоскости определяют посредством поочередного перемещения координатного стола 2 по осям координат Х и 7, При этом каждую контактную площадку располагают так, чтобы ее центр 7 совпадал с оптической осью 5 оптического устройства 6.

Не обязательно определять положение каждой контактной площадки,достаточно определить положение двух из них (площадок 8 и 9), лежащих на одной прямой по диагонали кристалла.

Дпя. этого перемещают первую контактную площадку 8 по горизонтали до совмещения с оптической осью 5 оптического устройства 6, затем вторую площадку 9 и по их положениям автоматически рассчитывают положение -25 остальных контактных площадок кристалла 4. По величинам полученных данных определяют номинальное положение кристалла 4 в горизонтальной плоскости. Истинное положение кристалла в горизонтальной плоскости по осям координат Х, Y и "(" может быть рассогласовано с его номинальным положением на величины ДХ, Д7 и h(p (фиг, 2), Номинальные значения координат, по которым идет сравнение,задают заранее из расчета расположения кристалла 4 в фокальной плоскости. Затем осуществляют первую корректировку положения кристалла 4 в го- 40 ризонтальной плоскости путем перемещения его по осям Х и Y вращения кристалла относительно собственной вертикальной оси на угол С с учетом величин Рассогласования Ь Х, Д - 45

Ьф Далее определяют положение каждой контактной площадки в вертикальной плоскости относительно торца сварочного инструмента 10, который является одновременно и датчиком контакта, посредством его вертикального перемещения по оси координат Z ° Для ..этого к сварочному инструменту 10 йоочередно подводят горизонтальным перемещением координатного стола 2 три

>5 контактные площадки: площадки 8 и 9, лежащие по диагонали на одной прямой и площадку 11, не лежащую на этой прямой. Затем вертикальным перемещением сварочного инструмента по оси Z касаются его торцом каждой из указанных контактных площадок и определяютих положение. Определив положение трех, не лежащих на одной прямой, контактных площадок, автоматически рассчитывают по ним положения остальных контактных площадок кристалла 4 относительно фокальной плоскости оптического устройства 6. Затем перемещают. первую контактную площадку 8 вертикально по оси Z и размещают ее в фокальной плоскости оптического устройства б, после чего осуществляют вторично аналогично первой корректировку ее положения только в горизонтальной фокальной плоскости, Далее перемещают вторую контактную площадку 9 вертикально по оси Z и также размещают ее в фокальной плоскости оптического устройства 6, после чего осуЩествляют корректировку положения второй контактной площадки 9 в горизонтальной фокальной плоскости. По значениям положений двух контактных пЛощадок автоматически рассчитывают положения остальных контактных площадок и осуществляют последующую корректировку их положений в горизонтальной плоскости. Возвращают первую контактную площадку 8, затем поочередно вторую и т.д, в зону сварочного инструмента 10 и осуществляют присоединение проволочного вывода в фокальной плоскости. Далее процесс повторяется.

Пример. Осуществляется монтаж внахлестку алюминиевой проволокой диаметром 0,027 мм на прибор типа

"Память 16К". Перед монтажом определяют номинальное значение координат положения прибора по вертикали в момент нахождения его в фокальной плоскости. Монтаж полупроводникового прибора осуществляют автоматически следующим образом. Прибор подают на предметный столик и фиксируют его механическим прижимом. Определяют положение двух контактных площадок кристалла, лежащих на одной прямой по его диагонали, в горизонтальной плоскости относительно оптической оси оптического устройства, перемещая координатный стол по осям X и 7, и по положению двух контактных пло— щадок автоматически рассчитывают положение остальных, таким образом опредеЛяют истинное положение кристал!

63 ла в горизонтальной плоскости по осям . координат Х и Y. Затем осуществляют первую корректировку положения кристалла в горизонтальной плоскости, перемещая его по осям координат Х, У, Я . Далее к сварочному инструменту .поочередно подводят три, не лежащие на одной прямой, контактные площадки, касаются их торцом сварочного ,инструмента и определяют положения контактных площадок относительно торца сварочного инструмента. Автоматически рассчитывают по ним положения остальных контактных площадок кристалла относительно фокальной плоскости оптического устройства. После этого поочередно перемешают контактные площадки вертикально, приводя их в фокальную плоскость оптического устройства, корректируют положение каждой из контактных площадок в горизонтальной фокальной плоскости. За— тем поочередно перемещают каждую контактную площадку в зону сварки и осуществляют присоединение проволочного вывода, сохраняя положение кристалла в фокальной плоскости оптического устройства.

Предлагаемый способ монтажа полу— проводниковых приборов позволяет повысить качество проволочного.монтажа, исключить такой дефект, как "под9932 6 рез" в месте перехоДа проволоки в сварное соединение, полностью исключить нераспознавание приборов из-за возможных смещений кристаллов по оси координат Z относительно фокальной плоскости, что повышает производительность.

Формула изобретения

Способ монтажа полупроводниковых приборов, включающий определение положения каждой контактной площадки в горизонтальной плоскости относитель-!

5 но-:оси оптического устройства и в вертикальной плоскости относительно торца сварочного инструмента и присоединение проволочных выводов к контактным площадкам кристалла и корпуса полупроводникового прибора, о т л и ч а ю щ и Й с я тем, что, с целью повышения качества монтажа, после определения положения контактных площадок их поочередно перемещают в фокальную плоскость оптического устройства, дополнительно кор- ректируют положение каждой контактной площадки в горизонтальной плоскости и угол поворота кристалла в этой плоскости, а присоединение проволочных выводов к контактным площадкам осуществляют в фокальной плос- кости..1639932

Фиг. 3

Составитель Г.Тютченкова

Редактор О.Юрковецкая . Техред С.Яигунова

Корректор Т. Малец

Заказ 98б Тираж 519 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Иоеква, Ж-.35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101