Подложка для гибридного запоминающего устройства

Подложка для гибридного запоминающего устройства

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в технологии изготовления гибридных запоминающих устройств с высокой степенью интеграции. Целью изобретения является повышение надежности функционирования гибридного запоминающего устройства. Цель достигается за счет того, что в подложке в зоне расположения углов кристаллов беСкорпусных блоков памяти выполнены отверстия , радиус окружности которых равен ширине свободной зоны закрепленного кристалла бескорпусных блоков памяти. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)з G 11 С 11/40, 5/04

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

4 (21) 4454167/24 (22) 15.04.88 (46) 15.04.91. Бюл. М 14 (72) Я,M.Áåêêåð, Х.Х.Байкулов, P.ß.Âîëêoâa и В.Е.Тарасюк (53) 681.327.66 (088.8) (56) Электроника, 1986, т. 59, N 24, с. 13.

Электроника, 1986, т. 59, М 18, с. 58. (54) ПОДЛОЖКА ДЛЯ ГИБРИДНОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в технологии изготовления гибридных sanoминающих устройств с высокой степенью интеграции.

Цель изобретения — повышение надежности функционирования гибридного

СЗУПВ, смонтированного на диэлектрической подложке, На чертеже представлена подложка, на которой размещены кристаллы запоминающего устройства большой информационной емкости.

На подложке 1 расположены кристаллы

БИС ЗУ 2. В зоне расположения углов кристаллов в подложке выполнены компенсирующие отверстия 3, радиус которых равен ширине свободной зоны закрепленных кристаллов БИС ЗУ 2, Под собственной зоной кристаллов БИС ЗУ понимаются участки кристалла, которые не содержат элементов схем и которые предназначены для скрайбирования, т.е. разделения шайбы на от„„, ЖÄÄ 1642523 А1 технологии изготовления гибридных запоминающих устройств с высокой степенью. интеграции, Целью изобретения являетея повышение надежности функционирования гибридного запоминающего устройства, Цель достигается за счет того, что в подложке в зоне расположения углов кристаллов бескорпусных блоков памяти выполнены отверстия, радиус окружности которых равен ширине свободной эоны закрепленного кристалла бескорпусных блоков памяти. 1 ил. дел ные кристаллы. Критерием выбора радиуса отверстий является ширина свободной зоны кристалла. Если радиус отверстий выбрать больше ширины свободной зоны, то над отверстием в поле неоднородных термомеханических напряжений окажутся рабочие участки кристалла и характеристики запоминающих элементов изменяются.

На подложке 1 расположены контактные площадки 4 и 5, Токоведущие шины (токопроводники).не обозначены, чтобы не загружать чертеж излишней информацией, На подложке (например керамика 22ХС размером 30х48 мм) с помощью ультразвукового сверления (в качестве среды использовалась вводная суспензия порошка карбида кремния) выполнили отверстия круглой формы диаметром 0,8 мм, Бескорпусные БИС ЗУ серии 537РУ1, имеющие габаритные размеры 3,5х3,5 мм и ширину свободной зоны.0,3-0,4 мм, крепили к подложке клеем ВК-9 с наполнителем (нитрид бора). Затем БИС ЗУ электрически соединя1642523

Составитель Л, Амусьева

Редактор А. Маковская Техред M.Mîðãåíòàë Корректор M. Пожо

Заказ 1151 Тираж 351 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина. 101 ли с контактными площадками 4 на подложке, на которой выполнены токопроводящая система и контактные площадки 5 для соединения с выводами корпуса. Экспериментальные образцы были помещены в камеру

ТВК вЂ” 2 в количестве 18 шт. и подвергнуты испытаниям в экстремальных условиях (при температуре+125 С и -60 С). В ходе испытаний ни одна микросхема не отказала.

Преимущество предлагаемой подложки для гибридного запоминающего устройства большой информационной емкости заключается в том, что при его функционировании в углах кристаллов БИС ЗУ не возникает термомеханические напряжения, отсутствует явление. деградации, а следовательно, повышается надежность функционирования гибридного запоминающего устройства, смонтированного на такой подложке.

Формула изобретения

Подложка для гибридного запоминаю5 щего устройства с размещенными на ней кристаллами бескорпусных блоков памяти, содержащая токопроводники и контактные площадки, электрически соединенные с бескорпусными блоками памяти, о т л и ч а10 ю щ а я с я тем, что, с целью повышения надежности гибридного запоминающего устройства, в подложке в зоне расположения углов кристаллов бескорпусных блоков памяти выполнены отверстия, радиус окруж15 ности которых равен ширине свободной зоны закрепленного кристалла бескорпусных блоков памяти.