Способ культивирования фитопатогенного гриба sертоriа nоdоruм

Способ культивирования фитопатогенного гриба sертоriа nоdоruм

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

„„SU„„1645290 А 1 (51)5 С 12 11 1/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТ1(РЫТИЯ11

ПРИ ГННТ СССР (21) 4602082/13 (22) 12.09.88 (46) 30. 04., 91. Бкхп. h 16 (71) Всесоюзный научно-ис следов а тел ьский институт фитопатологии (72) Т.И. Курахтанова и 8.А. Дятлов (53) 576.8(088.8) (56) Boyette С.D. Иа11 er Н.I.. Рrnduction and storage of inoeulum of Сercnspora Kikunkii for field studies„

PIiytopathology, 1985, vol„ 75, р. 183-185. (54) СПОСОБ 1СУЛЫИВИРОВАНИЯ ФИТОПАТОГЕННОГО ГРИБА SEPTORIA IJOI)ORUI I (54) Изобретение относится к способам культивирования микроорганизмов, преимуцественно к технологии культивирования фитопатогенных грибов, производству спорового инокулюма для селекции растений а устойчивость к боле:ням.

Изобретение относится к технологии культивирования фитопатогенпых грибов, в частности к производству спороного инокулюма возбудителя септориоэа злаков Sept.oria nodcrum Berk для селекции на устойчивость к болезни.

Цель изобретения — увеличение удельного выхода спор гриба.

На фиг. 1 изображен спектр пропускания лавсановой пленки марок

Э-10(1) и Э-20(2) и разность потока излучения лампы ЛБ-80 через пленки

Э-10 и Э-20 (3); на фиг„ 2 — относительное пропускание пленок Э-10 и

Цепью изобретения является увеличение удельного выхода спор гриба Способ заключается в том, что споры гриба

Svptoriа nodonzm засевают на твердую питательную среду, Hcl которой осуществляют выращивание грибов в условиях непрерывного искусственного освещения лучистой энергией с максимумом иэлуче— ния в области длин волн 310-320 нм и аэрации с поспедуюгвж сбором спор и их сушкой. Облучение грибов при выращиванип осуществляют с двух противо попожных сторон. Емкость для выращивания гриба может быть выполнена иэ лавсановий пленки., Облучение фи гопатогенных грибов Бер ог а пос1оплп в период их выращивания лучис1ой энергией в области длин волн 310-320 нм существенно увеличивает удельный выхсд спор укаэанного гриба 1 э,п. ф-лы, 2 табл., 4 ип.

3-20 (1) и спектральный КПЛ лампы типа ЛБ (2) на фиг, 3 — динамика споруляции изолята гриба В„-4/10 на соломенном субстрате при различных условиях освещения; на фиг. 4 — относительное спектральное распределение энергии излучения эритемной лампы.

Сущность способа заключается в том, что споры гриба Septoria nodorum сеют на твердую питательную среду„ на которой осуществляют выращивание грибов в условиях непрерывного искусствен-ного освещения лучистой энергией с максимумом излучения в области длин

1645290 волн 310-320 ни и аэрации, с последующим сбором спор и их сужкой. Облучение грибов при выращивании осуществляют с двух противопололных сторон, Установлено, что наиболее благоприятным резавюм освещения грибов является облучение в области 310-320 нм.

П р к м е р 1. Споры гриба Septoria nodorum, иэапят В, -4/10, засева- 1ð ют на соломенный субстрат и выращивают в условиях непрерывного искусственного освещения: в двух вариантах эритемныж лаинаии ЛЭ-30 с максимумом излучения И области длин волн 310.15

320 нм (фиг. 4) согласно предлагаемо му способу и в одном варианте лаипами

ЛБ-80, имеющих иаксимуи излучения в области длин волн 360-370 нм и более

400.ни (табл. 1) по известному спосо- 2р бу. Иэ данных, приведенных на фнг. 3, видно, что облучение грибов в период их выращивания излучением в области длин волн 310-320 нм (освещение с одной стороны) обеспечивает увеличение 25 удельного выхода спор гриба в два раза, при освещении с двух сторон — в 45 раэ.

Пример 2. Аналогичный эффект мотет быть достигнут при исполь- 3р зовании люиинесцентных лаип (ЛБ-80), имеющих максимум излучения в области длин волн 360-370 нм и более 400 нм (табл. 1), йо при условии, что поток лучистой энергии от этих ламп проходит через фильтр, которвй обеспечивает максимум излучения в области длин волн 310-320 ни. В качестве такого фильтра (покрытие культиватора) иохет быть использована лавсановая пленка марки ПЭГ-Ю. При культивировании изопята гриба S. nodorum на зерне в стеклянных колбах (известный способ) и в емкости из пленки толщиной 10, 20, 50 мкм выход спор соответственно составил 300, 100 и SX от выхода в контроле (известный способ) при оди- . наковых прочих условиях культивирова ния и освещении ламнаии ЛБ-80.

Анализ спектров пропускания пленки

10 (Э-10) и 20 (Э-20) мки и иэлуче50 ния ламп ЛБ (фкг. 1 и 2) показывает, что расчетная разность потока излуче-ния лампы, пропускаемого пенкой 10 и 20 мкм (фиг. 1 ° кривая 3), составляет около 8 иЗт (порядка 0,01Х от потребляемой лампой энергии) в диапазоне 310-320 ни. Разница в спорообраэованин обусловлена различием в светопропускании именно в этой области, так как с увеличением длины волны относительная разность светопропускания пленок 10 и 20 мкм резко снихается (фиг. 2, кривая 1), а КПД лампы ЛБ возрастает.

Пример 3. В табл. 2 приведены сравнительные экспериментальные данные по выращиванию гриба S. nodorum (10 нзолятов) на зерне в культиваторе из лавсановой пленки толщиной 10 мкм при культивировании в условиях непрерывного искусственного освещения. Испольэовали два типа лам: ЛЭ-30 и ЛБ-80 (известный способ). Установленная мощность ламп ЛЭ-30 была меньше в 3,3 раза. Из данных табл. 2 видно, что достигается увеличение выхода спор гриба на 1-2 порядка (макс.) при облучении их лучистой энергией с максимумом излучения в области 310-320 нм (эритемные ламы ЛЭ-30) согласно предлагаемому способу по сравнению с облучением лам памк ЛБ-80 (максимум излучения в области 360-370 нм и более 400 нм).

В биологических свойствах спор (прорастаемость, морфолого-культураЛь ная идентичность с исходной культурой) гриба S.nodorum при облучении его лучистой энергией с длиной волны

310-320 ни отклонений не имелось.

Таким образом, освещение фитопатогенного гриба S. nodorum лучистой энергией с максииумои излучения в области длин волн 310-320 нм в период его культивирования на твердой питательной среде обеспечивает увеличение удельного выхода спор указанного гриба. ф о р м у л а изобретения

1. Способ культивирования фитопатогенного гриба Septoria nodorum, включающий посев спор гриба на твердую питательную среду, выращивание их в условиях непрерывного нскусствейного освещения в емкости, выполненной из светопрозрачного иатериала, и аэрации с последуюцнм сбором спор к их сушкой, отличающийся тем, что, с целью увеличения удельного выхода спор гриба, их освещение осуществляют лучистой энергией с максимумом излучения в области длин волн 310-320 нм, 2. Способ по и. 1, о т л и ч а ю " шийся тем, что.,освещение осуществляют с двух противополозиых сторон, а в качестве светспроэрачного материала используют лавсановую пленку.

1645290

Таблица 1

Спектр ламп типа ЛБ

Диапазон длины волны излучения нм

Доля потребляемой энергии, преобразуемой в излучение, 10

0,39

750-760

Т а блица 2

Спорообразование изолятов S.nodorum в культиваторе из лавсановой пленки толщиной 10 мкм в зависимости от источника света (выход в 1Ф к10 спор/г субстрата) Тип ламп

Изоляты

ЛБ-90 ЛЭ-30

270-280

280-290

290-300

ЗОО-З1О

320-330

330-340

340-350

350-360

360-370

370-380

380-390

390-400

400-410

410-42о

420-430

430-440

В-25/МС-3

В-64

В-28/кг-1

В-26/Ср-1

В-29/ЭС-1

В-24/МС-2

В-40/У-6

В-63

В-65

В-70

0,0015

0,0029

0,038

0,019

0,020

0,034

О,1О

4,2

0,51

О,86

1,О

7,З

1,7

2,1

1 00-120

90-100

70-75

45-50

45-50

15-20

5-10

0,2-0,5

0,3-0,4

250-300

400-450

450-500

300-350

400-410

450-480

200-240

450-480

95-100

45-50

550-600

1 645290

300 ЛО ЗгО ЛО ЛО МО ЛЮ

Дяига Гаянэ, ип

Фиг.!

ЖО 350

ФОО

Рие.2 Ф

O с

<< ою ь 2

М л 8 б 2

1 100

Ъ

> 80

h о ф Щ

Ъ с» 20

Ю 6

5N

% и

450 500 550

Дпина баяны, ни

1645290

Buzgacm нДлыУЦ ) б! rymrru

270

iso юо ямину болин, нк

Редактор А. Огар

Заказ 1322 Тираж 378 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина, 101

0

О

О

Ь

Ъс

1 " г

Ъ) 126

Ъ

Ф 100

3 M ф ф

" 4д

Ъ ф М

Фиг. Ф

Составитель P. Андреев

Техред M,äöäûê Корректор М. Bapoam