Термостабилизированное свч ферритовое устройство

Термостабилизированное свч ферритовое устройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к технике СВЧ, Цель изобретения - повышение стабильности амплитудно-частотной х-ки за счет исключения влияния паразитных магнитных полей. СВЧ-сигнал, поданный на один из микрополосковых преобразователей 3, возбуждает в монокристаллической пленке 1 поверхностную магнитостатическую волну (ПМВ), распространяющуюся в направлении другого микрополоскового преобразователя 3, где происходит обратное преобразование ПМВ в СВЧ-сигнал. Дисперсионные свойства ПМВ определяют частотную селективность устройства. При изменении температуры окружающей среды, фиксируемой датчиком температуры, изменяется разностное напряжение блока 10 управления , который изменяет степень нагрева подключенного к нему через металлический слой 8 резистивного слоя Б, В результате уст навливэется прежнее значение температуры устройства, т.е. устанавливаются прежние значения физических величин, определяющих закон дисперсии. При этом паразитное магнитное поле, возникающее при протекании тока через резистивный слой 6, компенсируется магнитным полем, возникающим при протекании того же тока через металлический слой 8. 1 ил. (Л С

СОК33 СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (si)s Н 01 P 1/215, 1/30

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4611523/09 (22) 30.11.88 (46) 07.05.91. Бюл. Иг 17 (72) М, Б. Савичев, С. В. Семенов, Д, Н. Чарторижский и В, T. Шароватов (53) 621,372,852.1(088.8) (56) Заявка Великобритании N. 2161653, кл. Н 01 Р1/215,,1986.

Котовой B. О., Лебедь Б. M,,Ïîïoâ С. Н, и Шишкин Н, И. Термостатирование устройств на спиновых волнах. Тез. докл. конф, Спиновые явления электроники СВЧ.—

Краснодар: Изд-во КГУ, 1987, с. 181. (54) ТЕРМОСТАБИЛИЗИРОВАННОЕ СВЧ

ФЕРРИТОВОЕ УСТРОЙСТВО (57) Изобретение относится к технике СВЧ, Цель изобретения — повышение стабильности амплитудно-частотной х-ки за счет исключения влияния паразитных магнитных полей. СВЧ-сигнал, поданный на один иэ микрополосковых преобразователей 3, возбуждает в монокристаллической пленке 1

„„. Ж„„1647707 А1 поверхностную магнитостатическую волну (ПМВ), распространяющуюся в направлении другого микрополоскового преобразователя 3, где происходит обратное преобразование ПМВ в СВЧ-сигнал. Дисперсионные свойства ПМВ определяют частотную селективность устройства. При изменении температуры окружающей среды, фиксируемой датчиком температуры, изменяется разностное напряжение блока 10 управления, который изменяет степень нагрева подключенного к нему через металлический слой 8 резистивного слоя 6. В результате устанавливается прежнее значение температуры устройства, т. е. устанавливаются прежние значения физических величин, определяющих закон дисперсии. При этом паразитное магнитное поле, возникающее при протекании тока через резистивный слой 6, компенсируется магнитным полем, возникающим при протекании того же тока через металлический слой 8. 1 ил.

1647707

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть применено для частотной селекции в измерительной и приемной аппаратуре.

Цель .изобретения — повышение стабильности амплитудно-частотной характе.ристики за счет исключения влияния паразитных магнитных полей, На чертеже представлено термостабилизированное СВЧ ферритовое устройство.

Термостабилизированное СВЧ ферритовое устройство содержит монокристаллическую пленку 1 феррит-граната иттрия, размещенную на диэлектрической подложке 2, два микрополосковых преобразователR 3 электромагпитныx волн в магнитостатические волны, которые нанесены на поликоровую подложку 4 с металлизированным основанием 5, на диэлектрической подложке 2 последовательно закреплены резистивный слой 6, слой 7 диэлектрика и металлический слой 8, причем резистивный слой 6 по краю 9 соединен гальванически с металлическим слоем 8., а противоположным краем и смежным с ним краем металлического слоя 8 он подключен к выходу блока 10 управления, который разностью опорного напрлжения и напряжения датчика температуры (не показан) управляет нагревом резистивного слоя

6, и магнитную систему (не показана, условно показано лишь направление ее магнитного поля Но).

Термостабилизированное СВЧ ферритовое устрьйство работает следующим образом.

СВЧ-сигнал, поданный на один из микрополосковых преобразователей 3, возбуждает в манокристаллической пленке 1 поверхностную магнитоста1ическую волну (ПМСВ), распространяющуюся в направлении другого микрополоскового преобразователя 3, где происходит обратное преобразование ПМСВ в СВЧ-сигнал. Дисперсионные свойства ПМ СВ определяют частотную селективность устройства, При изменении температуры окружающей среды, фиксируемой датчиком температуры, изменяется разностное напряжение блока 10, которое изменяет степень нагрева подключенного к ему через металлический слой 8 резистивного слоя 6.- В результате устанавливается прежнее значение температуры устройства, т. е. устанавливаются прежние значения физических величин, определяющих закон дисперсии, При этом паразитное магнитное поле, возникающее при протекании тока через резистивный слой 6, компенсируется магнитным полем, возникающим при протекании того же тока через металлический слой 8, Формула изобретения

Термостабилизированное СВЧ ферри10

20 товое устройство, содержащее диэлектрическую подложку, на одной стороне которой размещена монокристаллическая пленка феррит-граната иттрия, а на другой через резистивный слой установлен слой диэлек25 трика, два микрополосковых преобразователя электромагнитных волн в магнитостатические волны, которые эакреплены на монокристаллической пленке ферритграната иттрия, магнитную систему и

40 датчик температуры; который подключен к входу блока управления, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что, с целью повышения стабильности амплитудно-частотной характеристики за счет исключения влияния паразитных магнитных полей, на слой диэлектрика нанесен металлический слой, который одним из краев гальванически соединен с резистивным слоем, а противоположным краем и смежным с ним краем резистивного слоя подключен к выходу блока управления, толщина слоя диэлектрика выбрана меньше толщины диэлектрической подложки, а датчик температуры установлен на поверхности металлического слоя.

Составитель Н, Савченко

Техред M.Моргентал Корректор v1. Шароши

Редактор Т. Федотов

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Заказ. 1407 Тираж 358 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5