Двухтактный самовозбуждающийся инвертор

Двухтактный самовозбуждающийся инвертор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к электротехние и может быть использовано в источниках вторичного электропитания. Цель изобретения - повышение КПД и надежности путем граничения бросков коллекторных токов в широком диапазоне температуры. Устр-во содержит диод 8 с идентичной транзисторам 4 и 5 вольт-амперной характеристикой, включенный между средним выводом управляющей обмотки 3 и вторым выходным выводом9 в проводящем направлении. Датчик 10 тока включен между объединенными эмиттерами транзисторов 4 и 5 и вторым входным выводом 9. Моменты переключения транзисторов 4 и 5 определяются открыванием диода 8, когда по мере роста коллекторного тока насыщенного транзистора (при насыщении сердечника трансформатора 1) сумма падений напряжений на датчике 10 тока и эмиттерном переходе насыщенного транзистора становится сумме ЭДС половины управляющей обмотки 3 и напряжения открывания диода 8. При идентичности хара ктеристик диода 8 и тра нзиствроа 4 и 5 уровень ограничения бросков коллекторных токов определяется только ЭДС половины управляющей обмотки 3 и сопротивлением датчика 10 тока и не зависит от температуры. 1 ил. сл с

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (з«)з Н 02 М 7/538

ГОСУДАРСТВЕН-«ЫЙ КОМИТЕТ

ГЮ ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

GAHCAHHE ИЗОБРЕТЕНИЯ о

Ф

СО Э

C) К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Р1) 4323943/07 (Щ 30,16.87 (463 Î7;05.91. Ьюл. Ь 17 (7t) ЬИжкеаский авиационный технологический институтим.Циолковского (72).С.M. Ненахов

{53) 621;314.58(088.8) (55) Двторекое. свидетельство СССР

В 636724, кл. Н 02 М 7/537, 1974.

Sae А.A. и др. Источники вторичного злектропитания с бестрансформаторным входом. - M.: Радио и связь, 1987. с.89, рис.5.1 б.

y4) ДВУХтАКтНЫЙ СИВОаОЗБУЖДА«О,ЩИЙСЯ ИНВЕРТОР ф7) Изобретение Отнесится к зле3щзотехниае и вмюкет быть использовано в источниках

- рте«южного злектропйтания. Цель изобрете.«ния — иевьивение КПД и надежности путем фгреиичанвю бросков коллекториых токов в

«««преком диапазоне температуры. устр-во ффдефжит ДЗщд 8 с идентичной транзисто".Ы „1647820 А1 рам 4 и 5 вольт-амперной характеристикой, включенный между средним выводом управляющей обмотки 3 и вторым выходным выводом 9 в проводящем направлении. Датчик 10 тока включен между объединенными эмиттерами транзисторов 4 и 5 и вторым входным выводом 9. Моменты переключения транзисторов 4 и 5 определявтсв QT«pbl ванием диода 8, когда по мере роста колле«торного тока насыщенного транзистщм (при насыщении сердечника трансфврматора 1) сумма падений нет«ряжений иа датчике 10 тока и эмиттерном переходе иасакценного транзистора становится сумме ЭДС половины управляющей обмотки 3 и напряжения открывания диоде 8. При идентичности характеристик диода 8 и транзисторовв 4 и5 уровень ограничения бросков

«иМлекторных токов определяется только

3ДС врловииы управляющей обмотки 3 и

Ю сит m тев«иературы. 1 ил.

Изобретениеотноситсякэлектротехни- диод 8 открывается и в него ответвляется ке и может быть использовано в источниках часть тока резистора 6. Вследствие этого вторичного электропитания, базовый ток насыщенного транзистора 4

Цель изобретения — повышение КПД и уменьшается, что приводит к выходу его из надежности путем ограничения бросков 5 насьицения, Далее развивается лавинообколлекторных токов в изироком диапазоне разный процесс переключения транзистотемпературы. . ров4и5.

На чертеже представлена электричв- . Если принять, что падение напряжений ская схема инвертора, нв прямосмещенном эмиттерном переходе

Устройство содержит трансформатор 1 10 насыщенного транзистора и на открытом со входной 2 и управляющей 3 обмотками, диоде равны между собой и одинаково изтранзисторы 4 и 5 одного арпа проводимо- меняютея с температурой, то уровень ограсти, эмиттеры которых объединены;.коллек-,ничения бросков коллекторных токов торы соединены с крайними аыводами определяется только ЭДС половииыуправвходной обмотки, а базы — с крайними вы- 15. ляюа ей Обмотки трансформатора и сопро.водами управляющей обмотки, резистор 6, тйвлением датчика тока и не зависит от одним выводом подключенный к среднему температуры. выводу входной обмотки трансформатора и Для лучшей компенсации температурпервому входному выводу 7, а другим — к ного влияния и технологического разброса среднему выводу управляющей обмотки, 20 параметров полупроводниковых элементов диод 8 с идентичной транзисторам вольт- целесообразно в качестве диода использоамперной характеристикой, включенный вагь змиттерный переход транзистора того между средним выводом управляющей об- же типа, а также обеспечивать низкое тепмотки и вторым входным выводом 9 в про-. ловов сопротивление конструкции. Наибоводящем направлении, и датчик 10 тока, 25 лее эффективно применение инвертора при включенный между эмитгерами транзисто- низких (3 — 68) и относительно постоянных ров и вторым входным выводом, напряжениях питания.

Инвертор работает следующим обов зам. Формула изобретения

При подключении напряжения питания 30: Двухтактный самовозбуждающийея инк входным выаадэм 7 и 9 через реэ юаюр 6 вертор, содержащий трансформатор с входначинает протекетьток, который рааеетвля-.. ной и управляющей . обмотками, ется в.базы транзисторов 4 и 5 и диод 8, транзисторы одного типа проводимости, Благодаря неидаитичности транзисторов 4 эцииары которых объединены, коллекторы и 5 и положительной обратной свези в схеме 35 соединены с крайними выводами входной развивается процесс лавинообразного на- обедники, а базы. — с крайними выводами сыщения ОднОГО из них и эащ4@ЭФ ия до Ге- уЩивляющей ОбмОтки, и резис нщ, одним

ro, 8. результате на обмотках- -. выводом подключенный к среднему выводу трансформаюра устанавливается такая по- . вх4днай о6мотки трансформатщи и перволярность напряжений, что aecb ток рраисю- 40 му входному выводу, а другим — к среднему ра 6 протекает в ьазу наеыщецного выводу управляющей обмотки, о т л и ч а ютранзистора, например,4. Пока.еуммаи".ц1е-. шийся тем, что, с целью повышения КПД ний напряжений на датчике 10 така:и эммет.- . и надежности путем ограничения бросков терном переходе насыщенного транзистора коллекторных токов в широком диапазоне

4 меньше суммы ЭДС правой по чертежу 45 температуры, в него введены диод с иденполовины управляющей обмотки 3 и напря- твчной транзисторам вольт-амперной хажения открывания диода 8; ток через пе- рактеристикой, включенный между вредним следний не течет. По мере роста вйводом управляющей обмотки и вторым коллектарного тока наоыщенного транаи-. входнйм выводом в проводящем направлестора 4 (в результате насыщения еердечни- 50 нии, и датчик тока, включенный между эмитка трансформатора 1) увеличивается терами транзисторов и вторым входным падение напряжения на датчике 10 тока, выводом.

Составитель Т;Ершова

Редактор Н.Лазаренко Техред М.Моргентау Корректор M. Шароши

Заказ. 1412 Тираж " ..Подписное

ВНИИПИ Государотвенного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113935; Москва, Ж-35,-Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101