Способ обнаружения газовых включений в диэлектрике

Способ обнаружения газовых включений в диэлектрике

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для контроля диэлектрических материалов. Цель изобретения - повышение чувствительности. Способ включает измерение распределения значения диэлектрической проницаемости «о площади диэлектрика, помещенного в электрическое поле, причем исследуемый диэлектрик покрывают иммерсионной жидкостью, а значение приложенного напряжения не превышает 099 величины напряжения пробоя бездефектного диэлектрика 1 ил.

СООЗ СОВЕТСНИХ

СОЯИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

Р1)5 G 01 И 27/22 . ф;.. t Ä 9;-. . ц

°: c-„.

t. (4""

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ASTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

fO ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (2l ) 4389624/25 (22) 09.03.88 (46) 15.05.91 . Бюл, Р 1 8 (71) Институт прикладной физики

AH БССР (72) В.В.Кожаринов, В.И.Крылович и П.Н.Логвинович (53) 551 .508.7(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

Р 781 687, кл. G Ot N 2?/24, 1980.

Авторское свидетельство СССР

9. 1 376030, кл. G 01 Б 27/22,23,02 ° 88.

{54) СПОСОБ ОБНАРУЖЕНИЯ ГАЗОВЫХ ВКЛИЧЕНИИ В ДИЭЛЕКТРИКЕ

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для контроля диэлектрических материалов.

Цель изобретения — повышение чувствительности при обнаружении дефектов структуры диэлектрика, Сущность способа состоит в том, что контролируемый диэлектрик помещают в электрическое поле высокой напряженности, достаточное для возникновения в местах нарушения сплошности (порах) диэлектрика пробоя

rasa. В результате в области дефекта резко возрастает диэлектрическая проницаемость, что цриводнт к существенному изменению сигнала датчика, например, емкостного. Для устранения некоторого шумового сигнала, обусловленного возможностью возникновения самостоятельного газового разряда между поверхностью контроли.руемого диэлектрика и одной из обкла„„80„„164940 А1

2 (57) Изобретение относится к измерительной Тех«НКр и может быть использовано для контроля диэлектрических материалов. Цель изобретения — повышение чувствительности. Способ включает измерение распределения значения диэлектрической проницаемости ао площади диэлектрика, помещенного в электрическое поле, причем исследуемый диэлектрик покрывают иммерсионной жидкостью, а значение приложе«ного напряжения «е превышает 0,9 величины напряжения пробоя бездефектного диэлектрика. 1 ил . док емкостного датчика, обкладку кон- (®® денсатора, накладываемую на диэлектрическое покрытие, помещают в иммерсионную электронзоляцконную жидкость, что устраняет возможность возникновения газового разряда в этой области. рипы

На чертеже приведена структурная ф схема одного из возможных вариантов ф„ устройства для реализации способа. цр

Устройство состоит нз кварцевого генератора 1, измерительного преобразователя 2, представляющего собой, например, емкостный датчик, частотного компаратора 3, частотно-фазового дискриминатора 4, реверсивного счетчика 5 и частотомера 6. Преоб- ф разователь 2 помещен в нммерсионную юй электроизоляцконную жидкость 7 над контролируемым диэлектрическим объектом 8 с дефектами структуры

9 на металлическом основании 10. При. этом выход кварцевого генератора 1 соединен с входами измерительного

1 649405

Формула изобретения

Составитель В.Немцев

Техред А,Кравчук- Корректор А.Обручар

Редактор K.Крупкина

Заказ 1517 Тираж 407 Подписное

ВНКИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина, 101 преобразователя 2, частотного компаратора 3, частотно-фазового дискриминатора 4 и частотомера б, выход измерительного преобразователя 2 че5 реэ вторые входы частотного компаратора 3, частотно-фазового дискриминатора 4 соединен с входом реверсивного счетчика S а выход частотного компаратора 3 соединен с вторым вхо- 10 дом частотомера 6, металлическое ос.. нование 1 0 подключено к источнику электрического поля высокой напряженности.

П р н м е р. Контролируемый диэлектрический объект 8 помещают в . электрическое поле высокой напряженности, например, податая высокий потенциал на металличес.".ое основание 20

10, предварительно зааолнив зазор между измерительным греобразователем

-! 2 и поверхностью кон" ролируемого объекта 8 иммерсионн и электроизоляционной жидкостью 7. В результате 25 этого в области дефектов структуры

9 (например, поры) возникает газовый разряд, приводящий к резкому изменению диэлектрической проницаемости дефекта структуры 9, что влечет за собой изменение емкости измерительного преобразователя 2, что, в свою очередь, приводит к изменению частот выхЬдного сигнала измерительного преобразователя 2, на выход которого подан высокостабильный по частоте гармонический сигнал. Частотный компаратор 3 умножает изменение частоты

Д,й в 10" раз (n - 0,1,2,3,4), выделяет сигнал с умноженной,разностной 40 частотой, частотно-фазовый дискрими-натор 4 выдает счетный импульс (на сложение или вычитание в зависимости от знака gf) каждый раэ, когда разность фаэ измерительного и опорного сигналов изменяется на величину г

2 и m, где m 1, . 2,...,10 выбирается в зависимости от требуемой точности.

По показаниям частотомера 6, измеряющего период, определяют скорость из" менения емкости преобразователя.

Эксперимент, проведенный на диэлектрических плоских образцах, вы-, полненных в виде фторпластовых пластин толщиной 3 мм с отдельными дефектами посередине образцов в виде поры диаметром 0,2 мм, показал, что с помощью предлагаемого способа указанный дефект обнаруживался достаточно уверенно. Подаваемое на контролируемый диэлектрический объект напряжение составляло 8 кВ.

Способ обнаружения газовых включений в .диэлектрике, включающий измерение распределения значения диэлектрической проницаемости по площади диэлектрика,. помещенного в электрическое поле, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения чувствительности, поверхность материала покрывают иммерсионной электро-. изоляционной жидкостью, а значение напряжения приложенного электрического поля не превышает 0,9 величины напряжения пробоя бездефектного. диэлектрика.