Магнитная муфта

Магнитная муфта

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к электротехнике о Цель изобретения - повышение динамической устойчивости муфтыо Магнитная муфта содержит наружную 1 и коаксиальную ей внутреннюю полумуфты, разделенные неподвижным немагнитным металлическим экраном. На наружной 1 и внутренней полумуфте расположены радиально намагниченные постоянные магниты 4 в виде отдельных таблеток„ Число слоев магнитов 4 по длине муфты кратно двум, постоянные магнитны 4 образуют переменно-полюсную магнитную систему в окружном и оксиальном направлениях На наружной 1 полумуфте постоянные магниты 4 расположены в ячеистой обойме 5, выполненной из электропроводного материал а с На полумуфтах размещены магнитопроводы, в частности на наружной полумуфте 1 магнитопровод 70 Магнитопроводы могут быть выполнены составными из колец с шириной, равной длине магнита 4С Выполнение демпфирующей обмотки в виде ячеистой обоймы 5, охватывающей каждый магнит, приводит к увеличению демпфирующего момента при переходных процессах и к повышению динамической устойчивости муфты. 1 з,п„ ф-лы, 3 ил« Л с Ј (/ о ел со о 00 1 фиг з

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (51) 5

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4700761/07 (22) 05.06.89 (46) 30.05.91 Бюл. N - 20 (72) Ю.Д. Кондрашов, Г.П. Ильин, Н.В. Шкорина, Г.З. Бучин, А.А.Крутько и А.Н. Алексеев (53) 621.313{088.8) (56) Заявка ФРГ Р 3202074, кл. Н 02 Н 49/10, 1983.

Авторское свидетельство СССР

Р 584403, кл. Н 02 К 49/00, 1976.

Авторское свидетельство СССР

Р 907718, кл. Н 02 Н 49/10, 1980.

Авторское свидетельство СССР

9 860230, кл. Н 02 К 49/10, 1980. (54) МАГШПНАЯ МУФТА (57) Изобретение относится к электротехнике. Цель изобретения — повышение динамической устойчивости муфты. Иагнитная муфта содержит наруя ную 1 и коаксиальную ей внутреннюю полумуфты, разделенные неподвижным немагнитным металлическим экраном.

„„SU„„1653087 А 1

На наружной i и внутренней полумуфте расположены радиально намагниченные постоянные магниты 4 в виде отдельных таблеток. Число слоев магнитов 4 по длине муфты кратно двум, постоянные магнитны 4 образуют переменно-полюсную магнитную систему в окружном и оксиалъном направлениях. Иа наружной 1 полумуфте постоянные магниты 4 расположены в ячеистой обойме 5, выполненной из электропроводного материала. На полумуфтах размещены магнитопроводы, в частности на наружной полумуфте 1 магнитопровод 7. Магнитопроводы могут быть выполнены составными из колец с шириной, равной длине магнита 4. Выполнение демнфнрующей 5 обмотки в виде ячеистой обоймы 5, ох- уу ватывающей каждый магнит, приводит к увеличению демпфирующего момента при С переходных процессах и к повышению динамической устойчивости муфты.

1 з,по ф-лы, 3 ил.

Маи

1653087

Изобретение относится к электротехнике, а именно к магнитным экранированным муфтам, и может быть использовано в химической, микробиологической и других отраслях промышленнос5 ти для привода быстроходного вала герметичного аппарата.

Цель изобретения — повьш ение динамической устойчивости муфты, !

О

На фиг. 1 показана магнитная муфта с магнитами переменной полярности как в окружном, так и в продольном направ— лении, продольное сечение; на фиг.2— сечение А-А на фиг. 1; на фиг. 3участок наружной попумуфты с ячеистой обоймой.

Магнитная муфта состоит из наружной полумуфты 1, коаксиальной ей внутренней полумуфты 2, разделяющего их неподвижного экрана .3. Наружная 1 ! ! и внутренняя 2 полумуфты содержат по стоянные анизотропные магниты 4 в виде таблеток с направлением оси легкого намагничивания, перпендикулярном 25 поверхности полумуфт. Постоянные магниты 4 установлень; в виде переменнополюсной системы (фиг. 1). Наружная полумуфта содержит также ячеистую обойму 5 из электропроводного немагнитного материала, при этом каждый магнит наружной полумуфты размещен в отдельной ячейке обоймы. Магнитопроводы 6 и 7 полумуфт 1 и 2 могут быть составными из колец с шириной, равной длине магнитов 4.

Муфта работает следующим образом.

При вращении с помощью какого-либо приводного устройства наружной полумуфты 1 происходит рассогласование

40 взаимного положения магнитов 4 наружной 1 и внутренней 2 полумуфт. При этом возникает магнитная реактивная сила, обеспечиваюшая вращение внутренней полумуфты 2 синхронно с наружной полумуфтой 1. Герметизирующий металлический немагнитный экран 3 обеспечивает герметизацию полости, в которую передается вращение.

При вращении полумуфт 1 и 2 в экране 3 индуцируются выходные токи, 50 связанные с пронизывающим экран переменным магнитным олем. Однако благодаря выполнению полумуфт 1 и 3 в осевом направлении в виде переменно-полюсной системы с количеством магнитов 5

4 по длине кратным двум, ЭДС, наводимые по длине муфты, компенсируют друг друга и суммарная величина токов вдоль всей длины экрана 3 эавна нулю. Отношение ЭДС локальных гоков к длине их замыкающей мало, а значит и малы локальные вихревые токи в экране 3, что освобождает от необходимости применения специальных устройств для охлаждения экрана и увеличивает передаваемую мощность.

При резких изменениях в относительном положении полумуфт 1 и 2 в случае разгона или изменения нагрузки в ячеистой обойме 5, охвв.тывающей каждый магнит 4 наружной пслумуфты 1, индуцируются токи, пропорциональные скорости изменения магнитного потока в каждом магните 4. Возникающие при этом дополнительное магнитное поле увеличивает синхронизирующую силу при увеличении рассогласования и уменьшает при уменьшении рассогласования, т.е. препятствует быстрому изменению относительного положения наружной 1 и внутренней 2 полумуфт.

Проведенные исследования показали, что.по сравнению с прототипом момент в динамических режимах возрастает на

257., при этом почти в два раза уменьшается температура нагрева экрана.

Выполнение демпфирующей обмотки в виде ячеистой обоймы из электропроводного немагнитного материала и размещение элементарных магнитов в ячейках этой обмотки приводит к повышению динамического момент.а муфты в переходных режимах, поскольку в охватывающих каждый магнит обмотках индуцируются токи, компенсирующие изменение магнитных потоков в системе. Это создает также дополнительные удобства при изготовлении и креплении магнитной системы.

Разделение магнитопровода на кольцевые участки с шириной, равной длине магнитов, позволяет без увеличения габаритов муфты снизить потоки рассеяния между соседними кольцевыми слоями магнитов вследствие увеличения магнитного сопротивления участка между кольцевыми слоями за счет удвоения суммарной ширины =-азоров между слоями. Это также приводит к улучшению динамических свойств муфты.

Формула изобретения

1. Магнитная муфта, содержащая наружную и внутреннюю коаксиальные полумуфты, разделенные немагнитным металлическим экраном, обойму на наружной

1653087

Составитель В. Никаноров

Редактор Л.Пчолинск;м Техред Л.Олийнык Корректор М.Самборская

Заказ 1778 Тираж 337 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Е-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат Патент, r. ужгород, у!! t! л Гага ина 101 р полумуфте и магнитопроводы полумуфт, при этом на полумуфтах расположены радиально намагниченные анизотропные постоянные магниты .с числом слоев по длине муфты кратным двум, образующие переменно-полосную магнитную систему, в окружном и аксиальном направлениях, отличающаяся тем, что, с целью повышения динамической устойчивости муфты обойма выпочнена из электропроводного материала с ячейками, а постоянные магниты — в виде отдельных таблеток. вставленных в ячейки

5 обоймы.

2. Муфта по п, i о т л и ч а ю— ц а я с я тем, что магнитопроводы выполнены составными из колец шириной, равной длине магнита.