Способ получения полупроводниковых пленок на основе германия

Способ получения полупроводниковых пленок на основе германия

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПЙСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

K АВТОРСКОМУ СЗНДНЕЛ":::САВВУ

l6 5420

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от агт. свидетельства ¹

Кл. 12с, 2

МПК В 01d

Заявлено 21.11.1962 (№ 765536/23-4) с присоединением заявки №

Приоритет

Государственный комитет по делам

ИЗО О т.;; 11

N отко:..г. и:.!: ССР

Опубликовано 12.Х.1964. Бюллетень № 19

Дата опубликования описания 28.XI.1964

УДК

F г гс I I г „,, .3. „

Авторы изобретения

H. И. Четвериков и В. A. Заяц

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК

НА ОСНОВЕ ГЕРМАНИЯ

GeC14+ 2H> < 4НС1+(.Зе

Иодплсная группа № 88

Известен способ получения полупроводниковых пленок на основе германия нз газовой фазы при реакции пиролиза в токе водорода на подогретой подложке.

С целью получения покрытия заданной формы на выбранном участке подложки предложен способ, по которому подло>кку с трафаретом помещают в зону певыпадепия германия, непосредственно предшествующу1о зоне выпадения, при t 570 С и под углом в

10 по отношению к направлен>по тока водорода. По предлагаемому способу лоток водорода со скоростью 12 — 18 л час, насыщенный парами тетрахлорида германия (GeCl.I) М

0,6 — 1%, попадает в нагретую зону кварцевой трубы при t 570 + 10 С. Температуру поддер>кивают постоянной с точностью +5 С вдоль участка кварцевой трубы длиной, превыша1ощей длину держателя на несколько сантиметров. При этом тетрахлорид разлагается по следующей схеме:

Оса>кдепие происходит па держателе из спектрально-чистого гряфпта, не содержащего бора, располо>кепного под углом в 10 к оси трубы, причем не по всей поверхности держателя, начинаясь в нескольких са11тиметрах от нагретого края.

1 IpH оса>кдеllни ня держателе резl о ol раIIH IHI3alorcH две зоны: осаждения ii непокрытого держателя. Наличие двух зон обусло 3лепо тем, что каждой температуре соответст5 вует критическая плотность оса>кдаемых частиц. Если в зоне непокрытого держателя создать локальные пересыщения чañòHö германия, т. е. повысить их плотность, то онп HH-Iнут осаждаться.

В зону невыпадения помещают стеклянные подложки, па графитовый держатель или на них кладут фигурные графитовые илн фигурIlbIc герхlаниевые пластины, рисунок когзръ|х

15 должен быть воспроизведен на стеклянных

Hoдло>кках. г1e>K+у подло>кко11 H графитовым или германиевы;1 трафаретом создается повышенная плотность паров германия благодаря эффекту адсорбцин. Осаждение про20 исхо;1ит только на участках соприкосновения стеклянных подло>кек с трафаретами.

По предлагаемому способу получаются мелкокристаллические германиевые пленки

25 (размеры кристаллов 3 — 5 л1к) lia стекляш1ых подложках при t 570 С+10 C требуемой конфигурации. Время пребывания в нагревателе с температурой 570 +10 С выбирают в зависимости от требуемо" толщины плсцкп, 30

165420

Предмет изобретения

Составитель Н. Грехнева

Техред Ю. В. Баранов Корректор Т. С.,Прожжина

Редактор Герасимова

Заказ 2819/7 Тираж 750 Формат бум. 60 X 90 /8 Объем 0,1 изд. л. Цена 5 кон.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Способ получения полупроводниковых пленок на основе германия из газовой фазы при реакции пиролиза в токе водорода, отличающийся тем, что, с целью получения покрытия заданной формы на выбранном участке подложки, подложку с трафаретом помещают в зону невыпадения германия под углом 10 по отношению к направлению тока водорода при

5 температу ре 570 С.