Антенна бегущей волны
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Изобретение относится к антенной технике и может быть использовано в системах радиосвязи диапазона миллиметровых волн. Цель изобретения - повышение КПД антенны. Последняя содержит питающий волновод 1, возбуждающий переход 2,соосI 1 но с которым расположен диэлектрический волновод 3, и переиэлучэющую периодиче- .скую решетку в виде полупроводниковой пластины 5, размещенной над матрицей светоизлучающих элементов 7. Полупровод никовая пластина 5 установлена от диэлектрического волновода 3 на расстоянии не более 0,25 рабочей длины волны На стороне диэлектрической пластины 5, обращенной к матрице светоизлучающих элементов 7, расположен оптически прозрачный экран 6, отражающий электромагнитные волны рабочего диапазона диэлектрической антенны . Изменение периодичности включения элементов матрицы светоизлучающих элементов 7 обеспечивает сканирование диаграммы направленности в плоскости расположения антенны бегущей волны при эффективности более 90% преобразование поверхностных волн диэлектрического волновода 3 в излучаемые волны. 3 ил О
СОЮЗ COBETCKMX
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (51)5 Н 01 0 3/44
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ пО изОБРетенияь1 и ОткРытиям
ПРИ ГКНТ СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Фиг.1 (21) 4669499/09 (22) 27.03.89 (46) 23.06.91. Бюл. М 23 (71) Воронежский политехнический институт (72) А,И,Климов и В.И.Юдин (53) 621.396.677(088.8) (56) Matsumoto М. е.а. Radiation of millimeter
waves from a leaky dielectric wavegulde with а light-Induced grating layer // IEEE
Transactions on Microwave Theory and
Technlgue. - 1987. v, MTT-35, М 11, р. 1033—
1041. (54) АНТЕННА БЕГУЩЕЙ ВОЛНЫ (57) Изобретение относится к антенной технике и может быть использовано в системах радиосвязи диапазона миллиметровых волн. Цель изобретения — повышение КПД антенны, Последняя содержит питающий волновод 1, возбуждающий переход 2. соос„„Я „„1658248 А1 но с которым расположен диэлектрический волновод 3, и переизлучающую периодическую решетку в виде полупроводниковой пластины 5, размещенной над матрицей светоизлучающих элементов 7. Полупровод никовая пластина 5 установлена от диэлектрического волновода 3 на расстоянии не более 0,25 рабочей длины волны. На стороне диэлектрической пластины 5, обращенной к матрице светоизлучающих элементов
7, расположен оп гически прозрачный экран
6, отражающий электромагнитные волны рабочего диапазона диэлектрической антенны. Изменение периодичности включения элементов матрицы светоизлучающих элементов 7 обеспечивает сканирование диаграммы направленности в плоскости расположения антенны бегущей волны при эффективности более 90 преобразовани поверхностных волн диэлектрического волновода 3 в излучаемые волны. 3 ил
1658248
Изобретение относится к антенной технике и может быть использовано в системах радиосвязи диапазона миллиметровых волн, Цель изобретения — повышение КПД.
На фиг.1 приведена структурная схема антенны бегущей волны; на фиг.2 — то же, продольное сечение; на фиг.3 — матрица светоиэлучающих элементов, общий вид, Антенна бегущей волны содержИт питающий волновпд 1, возбуждающий переход
2, диэлектрический волновод 3, переизлучающую периодическую решетку 4, полупроводниковую пластину 5, оптически прозрачный экран 6 и матрицу светоизлучающих элементов 7.
Диэлектрический волновод 3 расположен соосно с возбуждающим переходом 2, Расстояние от полупроводниковой пластины 5 до диэлектрического волновода 3 выбрано не более 0,25 рабочей длины волны.
Оптически прозрачный экран 6 выполнен из материала, отражающего электромагнитные волны рабочего диапазона антенны бегущей волны, например из оксида индия, и располагается на обращенной к матрице светоизлучающих элементов 7 стороне полуп ро водниковой пластин ы 5.
Антенна бегущей волны работает следующим образом;
Электромагнитная волна питающего волновода 1 через возбуждающий переход
2 возбуждает диэлектрический волновод 3, вдоль которого распространяются поверхностные неизлучаемые волны, Переизлучающая периодическая решетка 4 расположена под диэлектрическим волноводом 3 на расстоянии не более 0,25 рабочей длины волны. что обеспечивает ее эффективное влияние на поле диэлектрического волновода 3, При включении элементов матрицы светоизлучающих элементов 7 их оптическое излучение проходит сквозь оптически прозрачный экран 6 и попадает на поверхность полупроводниковой пластины 5, резко увеличивая электропроводность освещенных областей. Поскольку в матрице светоизлучающих элементов 7 элементы расположены рядами, полупроводниковая пластина 5 уподобляется гребенчатой дифракционной решетке с диэлектрическим заполнением, эффективно рассеивающей поверхностные волны диэлектрического волновода 3 и формирующей, таким образом, после излучения антенны. Изменяя периодичность включения элементов матрицы светоизлучающих элементов 7, можно изменять период гребенчатой дифракционнои решетки и, таким образом, осуществлять сканирование диаграммы направленности антенны бегущей волны в плоскости YOZ.
Выбор расстояния между диэлектрическим волноводом 3 и полупроводниковой пластиной 5 и наличие оптически п-,озрачного экрана 6 обеспечивают эффективность преобразования поверхностных волн диэлектрического волновода 3 в излучаемые (КПД) более 90 .
Таким образом, обеспечивается высокая эффективность преобразования поверхностных волн в излучаемые при сканировании диаграммы направленности антенны бегущей волны.
Формула изобретения
Антенна бегущей волны, содержащая питающий волновод, возбуждающий переход, соосно с которым расположен диэлектрический волновод, переизлучающую периодическую решетку в виде полупроводниковой пластины, расположенной надматрицей светоизлучающих элементов, о т л ич а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения
КПД, полупроводниковая пластина расположена от диэлектрического волновода на расстоянии < 0,25 рабочей длины волны, а на . обращенной к матрице светоизлучающих элементов стороне полупроводниковой пластины расположен оптически прозрачный экран.
1658248
Составитель А, Кондратьев
Редактор О. Хриптэ Техред M.Ìîðãåíòàë Корректор Q. Кундрик
Заказ 1717 Тираж 366 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101