Способ получения рельефов на поверхности полупроводника

Способ получения рельефов на поверхности полупроводника

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 02.VII.1963 (№ 845048/26-9) Кл. 21я, 11еа с присоединением заявки №

Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР

МПК Н 011

Приоритет

Опубликовано 26.Х.1964. Бюл

Дата опубликования описани

Авторы изобретения

М. А. Королев, К. И. Гельтищева, В. В. Марков, И. А. Туто и Б. А. Догадкин

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЛЬЕФОВ НА ПОВЕРХНОСТИ

ПОЛУПРОВОДНИКА

Подписная группа № 82

Способ фотогравировки на полупроводниках известен. Он заключается в нанесении фоточувствительного слоя на поверхность полупроводника, экспонировании его через трафарет с заданным рисунком и последующем проявлении рисунка.

В полиграфической промышленности извес1ен циклокаучук как составная часть типографских красок. Использование циклокаучука для получения глубоких рельефов на поверхности полупроводника неизвестно и не описано в патентной и технической литературе.

Предлагаемый фоточувствительный материал позволяет получать глубокий (более

0,1 мм) рельеф на поверхности полупроводника.

Для получения глубоких рельефов приготовляют 10%-ный раствор циклокаучука в бензине, который наносится па поверхность полупроводника на центрифуге (толщина слоя

1 мк).

После десятиминутной подсушки в термостате при 60 С на поверхность полупроводника, покрытую слоем циклокаучука, через кварцевый трафарет экспонируют рисунок. Проявляют era в холодном бензине, задубливают облучением под ультрафиолетовой лампой

ПРК-4 в течение 15 мин. Глубокий рельеф вытравливают в смеси плавиковой и азотной кислот в соотношении 1:4. Задубленный циклокаучук, после вытравливания рельефа, снимают растворителем P-4.

Фотогравировка с помощью циклокаучука может найти применение не только в полупро1о водниковой промышленности, но и в других областях техники (полиграфии точной мехапике и т. д.).

Предмет изобретения

Способ получения рельефов на поверхности полупроводника путем фотогравировки, состоящий в нанесении фоточувствительного слоя на поверхность полупроводника, экспо20 нировании его через трафарет с заданным рисунком и последующем проявлении рисунка, стличающийся тем, что, с целью получения глубокого рельефа, в качестве фоточувствительного кислотозащитного материала ис25 пользуют полимерный материал — циклокаучук.