Способ записи и считывания оптической информации

Способ записи и считывания оптической информации

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к одноступенчатой фотозаписи на слое аморфного полупроводника, изменяющего оптическую плотность, коэффициент отражения и преломления света под непосредственным воздействием активного света в процессе создания изображения, при котором повышается контрастность изображения. Для этого халькогенидный стеклообразный полупроводник получают в темноте, а процесс записи ведут во время процесса нанесения слоя путем проецирования изображения излучением с энергией кванта H*98H*02H<SB POS="POST">д</SB>, где E<SB POS="POST">д</SB> - ширина запрещенной зоны полупроводника.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (Д1) 6 03 В 41/00

ОПИСАНИЕ ИЗОбРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4249594/10 (22) 27.05.87 (46) 07.07.91 ° Бюл. N - 25 (75) В.В.Пономарь, П.Г.Чербарь и M.Р.Черний (53) 621.385(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

N 1563445, кл. С 03 В 41/00, 03.04.87. (54) СПОСОБ ЗАПИСИ И СЧИТНВАНИЯ ОПТИЧЕСКОИ ИНФОРМАЦИИ (57) Изобретение относится к одноступенчатой фотозаписи на слое аморфного полупроводника, изменяющего опИзобретение относится к фотозаписи на слое аморфного полупроводника, измеряющего оптическую плотность, коэффициент отражения и преломления света под непосредственным действием активного света в процессе создания изображения, и может быть иснользовано в устройствах записи-считывания оптической информации, голографии, . технической фотографии.

Целью изобретения является повышение контрастности изображения.

По предлагаемому способу .одноступенчатой фотозаписи на слое аморфного полупроводника путем облучения оптическим излучением с энергией кванта, большей или равной ширине запрещенной зоны полупроводникового материала, процесс напыления которого проводится в темноте, запись проводят непосредственно во время напыления слоя полупроводника.

Способ основан на явлении нелинейного поглощения света в халькогенид„SU„„1661711 А 1

2 тическую плотность, коэффициент отражения и преломления света под непосредственным воздействием активного света в процессе создания изображения, при котором повышается контрастность изображения. Для этого халькогенидный стеклообразный полупроводник получают в темноте, а .процесс записи ведут во время процесса нанесения слоя путем проецирования изображения излучением с энергией кванта

h0 F, где F@ - ширина запрещенной зоны полупроводника. них стеллах (хс) лои снеохслойной (/1 интенсивности оптического излучения ° Сю

Способ поясняется следующим примероме

Получали слои ХС типа As-Se на стеклянных подложках методом напыления в вакууме (10 мм рт.ст.), толщина получаемого слоя ХС ло 3 мкм. ц, Напыпение проводили в обычном режиме путем распыпения из нагреваемого танталового держателя, время напыления 45-60 С. Напыление проводили в темной камере. Для записи изобра кения.использовали белый свет интенсивностью 15-90 лк, при этом изображение проектировалось на напыляемый слой ХС во время процесса напыления в течение 50 с. После напыления образец изучали при обычном дневном освещении.

Обнаружено, что на слое ХС остается изображение, которое проектировалось на слой ХС- во время напыпения. Записанное изображение является

1661711 контрастным.и остается на слое ХС не менее 10 сут. Чувствительность

ХС к записи оптического изображения оказалась не ниже 5 10 Дж/см . запись которого осуществляют путем облучения оптическим излучением с энергией кванта, большей или равной ширине запрещенной зоны материала, при этом процесс напыления проводится в темноте, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения контрастности изображения, запись проводят непосредственно во время процесса напыления слоя аморфного полупроводникового материала.

Формула изобретения

Способ записи и считывания оптической информации на слое аморфного олупроводникового материала, полуенного методом напыления в вакууме, Составитель В. Андреев

Техред Л.Сердюкова

Ф

Редактор Т. Юрчикова

Корректор С. шекмар

Заказ 2122 Тираж 285 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035„ Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

»»» фр

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101