Способ фотометрической записи информации и устройство для его осуществления

Способ фотометрической записи информации и устройство для его осуществления

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к способам фототермопластической записи и позволяет увеличить цикличность записи. Запись осуществляют при одновременном воздействии на фототермопластический слой 10 и на слой 9 фотоэмиттера, который расположен от слоя 10 на расстоянии D, соответствующем соотношению D/&epsi;≤D≤λ<SB POS="POST">E</SB>, оптическим излучением 13 (D, &epsi; - толщина и диэлектрическая проницаемость слоя 10, λ<SB POS="POST">E</SB> - длина свободного пробега фотоэлектрона в инертном газе). Инертный газ находится в зазоре 12 между пластинами 7 и 8. 2 п. ф-лы.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

: СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)л 6 03 G 16/00

ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Puz1

К А8ТОРСKOMY С8ИДЕТЕЛЬCTBY (21) 4468364/12 (22) 29.07.88 (46) 15.07,91. Бюл. KL 26 (72) П,А.Буров, Н.Г.Находкин, M,Ê;Íîâîñåлец, С.С.Саркисов и Ю.А.Черкасов (53) 772.93 (088.8) (56) Colburn W.S., Chang В,O. Opt. Engin, 1978, чЛ7, М 4, р.334. (54) СПОСОБ ФОТОТЕРМОПЛАСТИЧЕСКОЙ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ (57) Изобретение относится к способам фо„„5U„„1663600 А1

% тотермопластической записи и позволяет увеличить цикличность записи. Запись осуществляют при одновременном воздействии на фототеомопластический слой 10 и на слой 9 фотоэмиттера, который расположен от слоя 10 на расстоянии О, соответствующем соотношению Обе 0 54, оптическим излучением 13 (б, я — толщина и диэлектрическая проницаемость слоя 10;

Ме- длина свободного пробега фотоэлектрона в инертном газе). Инертный газ находится в зазоре 12 между пластинами 7 и 8. 2 с.п.ф-лы, 2 ил. о (Ь

0д

Qh

О

1663600

Изобретение относится к записи ин- формации, в частности к оптической записи на фототермопластических материалах, Целью изобретения является увеличение цикличности записи, На фиг. 1 дана схема предлагаемого устройства; на фиг. 2 — записывающая ячейка, поперечное сечение.

Устройство состоит из средства экспонирования, включающего источник 1 экспонирующего оптического излучения, оптический затвор 2, оптический проекционный блок 3, оптический транспарант 4, источник 5 электрического напряжения, электронагреватель, включающий импульсный источник бтока, записывающую ячейку, которая состоит из двух параллельных прозрачных пластин 7 и 8. На внутреннюю поверхность пластины 8 нанесен слой 9 фотоэмиттера, а на внутреннюю поверхность пластины 7 — фототермический слой

10, под которым находится прозрачный проводящий слой 11. Слой 10 расположен от слоя 11 на расстоянии, соответствующем соотношению

d/e 0 il где d, 8 — толщина и диэлектрическая проницаемость слоя 10; .4 — длина свободного пробега фото .электрона в инертном газе, находящемся в зазоре 12 между пластинами 7 и 8, Устройство работает следующим образом.

Фотоэмиттер подключают к отрицательному полюсу источника 5 напряжения.

Открывают затвор 2 и экспонируют оптическое излучение 13 одновременно на слой 10 и на слой 9 фотоэмиттера, сформированное в результате прохождения экспонирующего излучения источника 1 через оптический проекционный блок 3 и оптический транспарант 4. С фотоэмиттера выбиваются электроны 14. Часть 15 экспонирующего излучения попадает на слой 10, в котором проходит ток 16 фотопроводимости. После выполнения экспонирования в устройстве закрывают затвор 2 и с выхода источника 6 тока подают иа слой 11 импульс тока. За счет джоулева тепла, выделяющегося в слое

11, нагревается и переходит в вязкотекучее состояние слой 10, Деформирующие силы, порожденные электрическим полем заряда на поверхности слоя 10, деформируют поверхность. Скрытое электростатическое изображение информации преобразуется в геометрический рельеф поверхности слоя

10. По окончании импульса тока, пропускаемого через слой 11, слой 10 охлаждают для фиксирования геометрического рельефа, несущего записанную информацию.

Формула изобретения

1. Способ фототермопластической запи5 си информации, состоящий в электростатической зарядке фототермопластического слоя при приложении разности потенциалов между проводящим слоем и слоем фо- тоэмитгера, экспонировании фототермопластического

10 слоя, тепловом проявлении, считывании и стирании, отличающийся тем, что, с целью увеличения цикличности записи, фототермопластический слой и слой фотоэмиттера экспонируют одновременно, а величину U

15 разности потенциалов и длительность t экспонирования выбирают из соотношений: г ТЯтп я 6Ео тэ max 8 d 3 Syph

20 1 67jjmSфз3о mo 2 о е

< Уп 0

<

Бфтп, Зфэ — их светочувствительности;

J< — плотность мощности экспонирующего излучения;

m0, е — масса и заряд электрона;

D — величина зазора между поверхностью слоев фотоэмиттера и фототермопластического;

d,я — толщина и диэлектрическая проницаемость фототермопластического слоя;

p — рабочий потенциал фототермопластического слоя; я, — абсолютная диэлектрическая проницаемость;

40 Wm — максимальная энергия фотоэлектронов;

n, m — показатели степени: и = О, m=1 при экспонировании со стороны фототермопластического слоя;п=1, m = 0 при экспо45 нировании со стороны фотоэмиттера, 2. Устройство для фототермопластической записи информации, содержащее средства экспонирования и считывания, источник электрического напряжения, электронагреватель и

50 записывающую ячейку, сопряженную с нагревателем и состоящую из двух параллельных прозрачных пластин, зазор между которыми герметизирован и заполнен инертным газом,и их внутренние поверхности покрыты про55 зрачными проводящими слоями с нанесенным на один из них фототермопластическим слоем и соединенным с источником напряжения, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью увеличения цикличности записи, проводящий слой выполнен из слоя эмиттера, который располо1663600

Составитель А.Павлов

Техред M.Ìoðãåíòàë

Редактор А.Лежнина

Корректор C.Øåâêóí

Заказ 2266 Тираж 291 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 жен от фототермопластического слоя другой пластины на расстоянии, соответствующем соотношению б)Е<0 <А; где А — длина свободного пробега фотоэлектрона в инертном газе.