Многослойный пленочный датчик э.д.с. холла

Многослойный пленочный датчик э.д.с. холла

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

С П И С А Н И Е I66389

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Кл. 21а1, 71

21g, 11ох

Зависимое от авт. свидетельства № 119556

Заявлено 21.III.1963 (¹ 826650/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 19.XI 1964. Бюллетень ¹ 22

Дата опубликования описания 28.XI.1964

МПК Н Oll

G Olr

Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР.".Вторы изобретения

А. A. Васильковский и В. И. Соколенко

Заявитель

МНОГОСЛОЙНЫЙ ПЛЕНОЧНЪ|Й ДАТЧИК Э,Д.С. ХОЛЛА

П<>дписная аруппа № И2

В основном авт. cB. № 119556 описан многослойный пленочный датчик э.д.с, Холл а, выполненный из напыленных в вакууме чередующихся слоем полупроводникового и изоляционного материалов, При параллельном питании элементарных датчиков, образованных напыленными слоями полупроводнико вого материала, от одного источника возможно их закорачивание, а многослойный датчик требует применения термостабилизации и может быть использован только при переменных магнитных полях и токах.

Предложенный датчик является дальнейшим развитием датчика, приведенного в основном авторском свидетельстве, и допускает использование параллельного питания. не требует стабилизации и может использоваться как при переменных, так и при nocT0BFIHIIx магнитных полях н токах. Это д;стигнуто включением в цепь токовых электродов балластных сопротивлений, изготовлением элементарных датчиков из полупроводникового материала с одним типом проводимостч

1! последовательным соединением элементарных датчиков в цепи Холла.

Конструкция многослойного датчика, состоящего из двух элементарных пленочных датчиков, изображена на чертеже.

Каждый элементарный пленочный датчик 1. образованный при напылении на изоляцион«ую пленку полупроводникового материала с проводимостью типа п, снабжен включенным в цепь токовых электродов 2 балластными сопротивлениями 8, выполненными в виде пленки высокоомного сплава, нанесенной на кснцы датчик". При изготовлении балластных сопротивлений из материала, обладающего малым температурным коэффициентом сопротивления. повышается температурная

10 стабильность датчика. Все элементарные датчики в цепи Холла соеди сены между собой последовательно при помощи токопроводящих перемычек 4 и подключены к Холловским электродам 5. Вольтовая чувствительность многослойного датчика в и раз превосходит чувствительпосгь однослойного датчика, где и — число элементарных датчиков, образую. щих многослойный датчик. Входное сопротив; ение многослойного датчика в и раз больше, 2o re.;I у однослойного. Коэффициенты передачи мпогослойного и однослойного датчика одинаковыы.

Предмет изобретения

25 Ыногосло11п1.111 пленочный датчик э.д.с. Хол.<а, выполненный по авт. св. М 119556, отл ич а ю шийся тем, что., с целью устранения закора<1пван11я пр;1 па1заллельном питании от одного источника элементарных датчиков, 30 образованных слоями полупроводникового ма166389

Составитель 3. Н. Крейнин

Техред Л. К. Ткаченко

Корректор М. П, Ромашова

Редактор Н. С. Коган

Заказ 3135/13 Тираж 925 Формат бум. 60 Х 901/8 Объем 0,13 изд. л. Цена 5 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 териала, повышения температурной стабильности многослойного датчика и использования его как при постоянном, так и при переменных магнитных полях и токах, в цепь токовых электродов датчика включены балластные сопротивления, изготовленные, например, напылен нем в вакууме пленки высокоом ного сплава, все элементарные датчики изготов. лены из полупроводникового материала одного типа проводимости и соединены в цепи

Холла последовательно посредством токопроводящих перемычек.