Однотактный преобразователь постоянного напряжения

Однотактный преобразователь постоянного напряжения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в системах вторичного электропитания и автоматики. Цель изобретения - повышение надежности путем предотвращения вторичного прибоя. Между истоком и подложкой силового МДП-транзистора 4 включен конденсатор 9, который заряжается при обратном напряжении, приложенном к этому транзистору. Уровень напряжения на конденсаторе 9 ограничен цепочкой из согласно-последовательно соединенных диодов 5 - 7. Напряжение на конденсаторе 9 приложено в запирающем направлении к переходу база - эмиттер паразитной биполярной транзисторной структуры, присутствующей в силовом МДП-транзисторе 4, что предотвращает вторичный прибой. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)з Н 02 М 3/335

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

flO ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

+Ох.ь (21) 4709652/07 (22) 26.06.89 (46) 30.07.91. Бюл, М 28 (71) Московский институт радиотехники; электроники и автоматики (72) Д.В.Игумнов, В.В,Фомишкин H

В.А.Масловский (53) 621.314.58(088.8) (56) Патент Европы

hk 00005555994411, кл. Н 02 М 7/537, 1982, Окснер Э,С. Мощные полевые транзисторы и их применение. Радио и связь, 1985, с. 195, рис. 8.2 (54) ОДНОТАКТНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

ПОСТОЯННОГО НАПРЯЖЕНИЯ (57) Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в системах

„, 2„, 1667208 А1 вторичного электропитания и автоматики, Цель изобретения — повышение надежности путем предотвращения вторичного прибоя.

Между истоком и подложкой силового МДПтранзистора 4 включвн конденсатор 9. который заряжается при обратном напряжении, приложенном к этому транзистору. уровень напряжения на конденсаторе 9 ограничен цепочкой иэ согласно-последовательно соединенных диодов 5-7. Напряжение на конденсаторе 9 приложено в запирающем направлении к переходу база — эмиттер паразитной биполярной транзисторной структуры, присутствующей в силовом

МДП-транзисторе 4, что предотвращает вторичный прибой. 1 ил.

1667208

Составитель В.Моин

Техред М.Моргентал

Редактор A,Oãàð

Корректор С.Шевкун

Заказ 2531 Тираж 389 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в системах вторичного электропитания и автоматики, Цель изобретения — повышение надежности путем предотвращения вторичного пробоя.

На чертеже представлена принципиальная схема преобразователя.

Преобразователь содержит силовой трансформатор 1, выпрямитель 2, сопротивление нагрузки 3, силовой МДП-транзистор

4 с индуцированным и-каналом 4, три диода

5-7, блок 8 управления и конденсатор 9.

Трансформатор 1 имеет не менее двух обмоток: первичную и вторичную, Первый вывод первичной обмотки подключен к одному входному выводу преобразователя и одному выводу блока 8 управления, другой вывод которого подключен к истоку

МДП-транзистора 4 и к другому входному выводу преобразователя. Второй вывод первичной обмотки трансформатора 1 подключен к стоку МДП-транзистора 4 и катоду диода 5, анод которого подключен к катоду диода 6, анод которого подключен к католик диода 7. Подиожка МДП-транзистора 4 через конденсатор 9 подключена к аноду диода 7 и к истоку этого транзистора, Выводы вторичной обмотки трансформатора 1 подключены к входным выводам выпрямителя

2, выходные выводы которого подключены к сопротивлению нагрузки 3.

При поступлении на затвор МДП-транзистора 4 положительного напряжения он открывается и в первичной обмотке трансформатора 1 начинает протекать ток. Сигналы вторичной обмотки трансформатора 1 поеобраэуются выпрямителем 2 в постоянное напряжение, поступающее на нагрузку

3. При работе в резонансном режиме рабоая частота преобразования определяется выходной емкостью МДП-транзистора №, емкостью и индуктивностью обмоток трансформатора 1, а также параэитными реактивностями.

При закрывании МДП-транзистора 4 эа счет рабочих (или паразитных) резонансных явлений напряжение на втором выводе пер5

45 вичной обмотки трансформатора 1 представляется в виде синусоиды. Отрицательная полуволна этого напряжения через прямосмещенный р-и-переход сток — подложка МДП транзистора 4 заряжает конденсатор 9. С помощью прямосмещенных диодов 5-7 осуществляется ограничение и стабилизация этого напряжения, В зависимости от конкретных технических требований количество диодов может быть уменьшено или увеличено, При использовании трех кремниевых диодов отрицательное напряжение на стоке МДП-транзистора 4 не может превысить примерно 2,1 В. В результате конденсатор 9 заряжается до напряжения 1,4-1,6 В (с учетом падения напряжения на переходе сток — подложка). Такое отрицательное напряжение на подложке МДПтранзистора 4 является вполне достаточным для надежного смещения в обратном направлении (запирания) р-и-перехода исток — подложка. Это определяет закрытое состояние параэитной биполярной п-р-и-структуры в МДП-транзисторе 4. коллектором которой является область стока, змиттером — область истока. а баэой— подложка, в результате чего предотвращается возможность вторичного пробоя, Формула изобретения

Однотактный преобразователь постоянного напряжения, содержащий силовой

МДП-транзистор, исток которого соединен с первым входным выводом преобразователя, а сток через первичную обмотку силового трансформатора — с вторым входным выводом преобразователя, причем силовой

ЧДП-транзистор шунтирован ограничителем напряжения, отличающийся тем, что. с целью повышения надежности путем предотвращения вторичного пробоя, в качестве ограничителя напряжения использована цепочка иэ нескольких согласно-последовательно соединенных диодов, направление проводимости которых обратно по отношению к направлению проводимости силового МДП-транзистора, между истоком и выводом подложки которого включен введенный конденсатор.