Способ удаления порошкового

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 07,V.1963 (№ 834904/26-9) К:!. 21gi 1102 с присоединением заявки №

Приоритет

Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР

МПК Н 011

Опублггковано 01.Х11.1964. Бюллетень ¹ 23

Дата опубликования описания 9.111.1965

УЛК

1 C=CII .;, . . (=- r тсНт;.

ТЕЯФЧЕГ.,":"-:;

:,.,af „ !

Авторы изобретения

А. М. Наймарк и В. А. Пешехонов

Заявитель

СПОСОБ УДАЛЕНИЯ ПОРОШКОВОГО

ЭЛЕКТРОГРАФИЧЕСКОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ

С ФОТОПОЛУПРОВОДНИКОВЬ!Х ПЛАСТИН тельно и притягивают к себе отрицательно заряженные частицы порошка, образующего электрографическое изображение. Встряхивая пластину, удаляют частицы соли вместе с частицами порошка.

Поваренная соль используется неоднократ-! го, до полного загрязнения. Срок сл лкбы селеповых пластин при использовании списанного способа возрастает примерно в два раза.

Способ удаления порошкового электрографического изображения с фотополупроводни15 ковых пластин; например с поверхности селеновых пластин, основанный на механическом удалении частиц порошка, образующих электрографическое изображение, от.гичаюи1ийся тем, что, с целью повышения срока

20 службы пластин, их покрывают слоем поваренной соли (NaC1), придают частицам соли возвратно-поступательное или круговое движенгге и удаляют их вместе с частицами порошка встряхиванием пластин.

Подписная группа № 82

При получении порошковых электрографических изображений на поверхности фотополупроводниковых, например селеновых, пластин стирание этих изображений обычно производят при помощи хирургической ваты, посредством которой механически удаляют частицы порошка, образующего изображение, с поверхности пластин. Удаление порошка при помощи ваты приводит к повреждению поверхности селеновых пластин, ухудшает качество получаемых копий и сокращает срок службы пластин.

Описываемый способ удаления порошкового электрографического изображения с фотополупроводниковых, например селеновых, пластин позволяет значительно повысить срок службы пластин, что достигнуто использованием для удаления частиц порошка поваренной соли (NaC1).

Поверхность селеновых пластин покрывают слоем соли, частицам которой придают возвратно-поступательное или круговое движение. В результате трибоэлектрического эффекта кристаллы соли заряжаются положиПредмет изобретения