Способ получения монокристаллов металлов и полупроводников
Иллюстрации
Реферат
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
I6684l ".о©3 Советских
Социалистических
Респубпик
Зависимое от авт. свидетельства №
Кл. 40d, 1зе
Заявлено 09Х111.1963 (№ 851815/22-2) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 01,Х11.1964. Бюллетень № 23
Дата опубликования описания 21.1.19б5
М1(К С 22
Государствеиный комитет по делам изобретений и открытий CCCP
УДК
Автор изобретения
А. Я. Александров
3 а я витель
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МЕТАЛЛОВ
И ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Предмет изобретения
Подписная zpgizzza № 16
Известен способ получения монокристаллов металлов и полупроводников с малым числом дислокаций направленной кристаллизацией расплава или перекристаллизацией в твердой фазе.
Отличием описываемого способа является то, что кристаллизацию производят при давлении и температуре, соответствующих экстремальной точке кривой плавления или критической точке полиморфного превращения перекристаллизуемого вещества. При этих условиях кристаллизация или полиморфное превращение происходят без изменения объема, что исключает образование «вро>кден ы» дислокаций.
Монокристаллы с малым числом дислокаций по описываемому способу могут быть получены, например, B процессе зонной перекристаллизации при создании определенной температуры и давления. Например, для цезия таким условиям соответствуют: р =
= 22 000 кг/см- и t = 197 С, для рубидия— р = 40 000 кг/см-, t = 280 С.
Способ получения монокристаллов метал1О лов и полупроводников направленной кристаллизацией расплава или перекристаллизацией в твердой фазе, отличающийся тем, что, с целью получения бездислокационных кристаллов, кристаллизацию производят при давлении и температуре, соответствующих экстремальной точке кривой плавления или критической точке полиморфного превращения перекристалл изуемого вещества.