Динамический регистр сдвига

Динамический регистр сдвига

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретемте относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано для хранения и сдвига информации. Цель изобретения - расширение области применения регистра за счет возможности выполнения реверсивного сдвига. Регистр содержит элементм памяти, разбитые на три группы, в каждый элемент памяти дополнительно введены второй транзистор записи и второй транзистор управления сбросом. 2 ил.

СО 03 СОВЕТСКИХ

СОЦИЛЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

„.,SUÄÄ 1671047 А 1 (51) 5 С 11 С 19/28

ГОСУДЛРСТВЕККЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР ь ° ьt, А б

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ4

Н АВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

° °, и транзистора управления предустановкой 16. Кавдьаь ЭП.ииеет ввод 17 и выход 18. Па фиг. 1 показаны также левый 19 и правый 20 последовательные входы регистра, левый 21 и правый 22 выходы записи, левый 23 и правый 24 входы сброса регистра.

На фиг. 2 показаны следуюшие напряжения: U4 U5 U6 — на тактовьос вход "е

Мв дах 4,5,6 017, - на входе 18 i-ro

ЭП, i 1,4; 015; - на затворе тран- С0 эистора 15 i-ro ЭП; U14; — на затво ре транзистора 14 i-го ЭП; U10; иа выходе i-ro ЭП.

Описание работы устройства дано на примере четырех последовательно соединенных ЭП (фиг,- 1). Если до поступления управляюцего напряжения дв на тактовый вход 4, соединенный с пер. вым ЭП, на входе 17 напряжение соответствует логическому "0" (на фиг.2 эта ситуация в момент t<-t7 ???? ?????????? ?????????????? ????), ???? ?? ???????? ???? ???????????????? (46) 23.09.92. ??>юл. Р 35 (21) 46 15803/24 (22) 05. 12.88 (72) Л.В. Вехтеров, В.Г. Десятков и Н.П. Путырина (53) 68 1.327ебб(088.8) (56) Цило В.П. Популярные цифровые микросхемы. — И.: Радио и связь, 1987, с. 130-132, 261-266.

Лвторское свидетельство СССР

Р 1146731, кл. С 11 С 19/28, 1987.

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано для хранения и сдвига информации.

Целью изобретения является расширение области применения регистра эа счет возиожности выполнения реверсивного сдвига, Иа фиг. 1 приведена принципиальная электрическая схема регистра; на фиг. 2 — временные диаграммы напряжений при сдвиге вправо и влево.

Регистр содержит элементы памяти

1,2,3, Имеющие соответственно тактовые входы 4,5,6 и подключенные к шине нулевого потенциала 7. Каждый элемент памяти (ЭП) состоит из ЯП-варактора

8, ключевого транзистора 9, первого

1О и второго 11 транзисторов записи, первого 12 и второго 13 транзисторов управления сбросом, транзистора сброса 14, транзистора предустановки 15 (54) ДИНЛИИЧЕСКИЙ РЕГИСТР СДВИГА (57) Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано для хранения и сдвига информации. Цель иэобретения — расширение области применения регистра за счет воэможности выполнения реверсивного сдвига, Регистр содержит элементи памяти, разбитые на три группы, в каждыйл элемент памяти дополнительно введены второй транзистор записи и второй транзистор управления сбросом.

2 ил.

1671047 транзистор 9 н транзис!тор управления предустановкой 16 закрыты, так как их затворы соединены с входом 17, и управляющее напряжение, поступающее на соответствующий вход управления, не проходит на транзистор предустановки !

5 и на выход 1О этого ЭП, а в соседние ЭП через первый 1О и второй

11 транзисторы записи, открывающиеся 10 под действием управляющего папряжеиия (момент t> -t ), запишется напряжение логического "0" (на входы 17).

Если же до поступления управляющего!5 напряжения на тактовый вход, соединенный с вторым ЭП (момент t t ) на входе !7 напряжение соответствует логической "!", то ключевой транзистор 9 и транзистор управления предустанов- 20 кой 16 открыты н управляющее напряжеwe проходит на затвор транзистора, предустановки 15 (U!5 ), открывая его и соединяя затвор транзистора сброса !

4 с шиной 7, т.е. закрывая его 25 (!!14 ). В то же время тактовое напря™ жение через открытый транзистор 9 поступает на выход второго ЭП в виде ло» гической " 1", и через открывающиеся под действием этого напряжения первый 3п

10 и второй 11 транзисторы записи записывают эту логическую "1" в следующий (третий ЭП) и предыдущий первый

ЭП одновременно. Надо заметить, что. здесь используется свойство МДП-ваД5 ракторов - увеличение емкости в случае наличия потенциала на его затворе (в нашем случае соединенном с входом 17).

Поэтому тактовое напряжение ув яичива-. ет напряжение на входе !7 выше логи- 4О ческой,Р 1". Таким образом, ключевой транзистор 9 ь момент t>-С работает в крутой области, прн этом исключаются потери амплитуды импульсов на выходах 18, обусловленные пороговыми 45 напряжениями транзисторов 9, и разброс пороговых напряжений в этом слу»

Vae не отражается на разбросе амплитуд выходных импульсов. fIO ок1ончании действия тактового напряжения (t<) на входах 17 второго ЭП и соссдних с иим ЭП остаются записанными напряжения логической "1", транзистор предустановки через открйтый транзистор управления предустайовкой 16 (затвор ко- 5 торого соединен с входом 17) закрывается с окончанием импульса на тактовом входе, но транзистор сброса разряда 14 остается закрытым, так как иа его затворе записан логический л 1

° .

Если в момент t --t тактовое нап5 6 ряжение поступает на вход, соединенный с третьим ЭМ (сдвиг в прямом направлении), то аналогично описанной выше работе ЭП на выходе третьего ЭП вырабатывается импульс по форме, сов-; падающий с тактовым напряжением и этот импульс через транзистор управления сбросом 12 второго ЭП запишет на затвор транзистора сброса логическуи " 1", этот транзистор сброса откроется и соединит выход 18 третьего

ЭП с шиной 7, обеспечивая таким образом хорошую помехозащищейность устройства. Кроме того, в этот момент (t<"t<) через транзисторы записи третьего ЭП логическая "!" запишется s соседние с ним ЭП.

Таким образом, по окончании действия тактового напряжения в момент t< на входах 17 второго ЭП и соседних с ним ЭП записаны логические "!". В зависимости от дальнейшей очередности поступления тактовых напряжений на входы 4,5 и 6 продолжается сдвиг "!" вдоль регистра в прямом или обратном направлении.

1 формула изобретения

Динамический регистр сдвига, содержащий элементы памяти, каждйй из которых состоит из МДП-варактора, клю чевого транзистора, первого транзистора записи,транзистора сброса, первого транзистора управления сбросом, транзистора предустановки и транзистора управления предустановкой, причем затвор !!ДП-варактора соединен с затвором ключевого транзистора, сток и исток ИДП-варактора исток ключевого транзистора соединены с затвором первого транзистора записи, исток ключевого транзистора, сток nepsoro транзистора записи и сток транзистора сброса объединены и являются соответствующим параллельным выходом регистра, исток первого транзистора seписн каждого элемента памяти, кроме. последнего, соединен с затвором ключевого транзистора последующего элемента памяти, исток первого транзистора записи последнего элемента памяти является правым выходом эапйси ре» гистра, затворы ключевых транзисторов первого и последнего элементов памяти

167104 регистра являются соответственнс левым и правым последовательными входами регистра, истоки транзисторов сброса и предустановки соединены с шиной улевого потенциала регистра, затвор транзистора сброса соединен сс стоками транзистора предустановки н первого транзистора управления сбросом, затвор и исток первого транзистора управления сбросом каждого элемента памяти, кроме последнего, соединен со стоком транзистора сброса последу щего элемента памяти, затвор и исток первого транзистора управления сбросом последнего элемента памяти является правым выходом сброса регистра, о т л и ч а ю ц и и с я тем, что, с цель» расширения области применения регистра за счет возможности выполне- 20 ния реверсивного сдвига, стоки МДП-варакторов (3i-2)-х, (3i-1)-x n 3i-х элементов памяти 1 i Й и, и — число разрядов регистра, являются соответственно первым, вторым и третьим такто- 25 вааки входами регистра,а в каждый элемант памяти введены вторые транзисто7 ь ры записи и управления сбросом, причем затвор, сток и исток транзистора управления предустановкой. соединены соответственно с затвором ключевого транэистора, стоком МДП-варактора и затвором транзистора предустановки, затвор и сток второго транзистора эа" писи соединены соответственно с затвором и стоком первого транзистора зяписи, а исток второго транзистора записи калщого элемента памяти, кроме первого, соединен с затвором ключевого транзистора предыдущего элемента памяти, исток второго транзистора sanucu первого элемента памяти является левым выходом записи регистра, сток второго транзистора управления сбросом соединен со стоком транзистора предустановки, а затвор и исток второго транзистора управления сбросом ка:кдого элемента памяти, кроме первого, соединен со стоком транзистора сброса предьщуцего элемента, а затвор и исток транзистора управления сбросом, первого элемента памяти является левым входом сброса регистра.

167104 7

M И%

0174

Редактор И. Каменская

Заказ 4060 Тира@ Подписное

ВЫПЬИ Государственного комитета ио ивобретениям и открытиям ири ГЕНТ СССР

113035, Иасква, %-35, Рауаская наб., д. 4 5

° В В ФЕ

Проиэводствеино-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101

gas

LffyÔ

V f4

Р/4

Составнтепь Л. Дерюгин

Техред К,Дидык Корректор Л. Латай

t

t

t