Способ удержания и накопления в ловушке высокотемпературной плазмы

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е 16726О

И ЗО Б РЕТЕ Н ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Кл 21 g 21;Iit

Заявлено 2.!11.1963 (№ 897246126-25) с присоединением заягки М

МПК б 21

УДh; 621.039 (088.8) Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР

Приоритет

Опубликовано 04.!.1965. 1:ю.l.itåtåtiü № 1

Дата опубликования описания 18.11.19б5

С ПО --, С. П. Ломнев, Э. Б. Переславцев и В. М, Шатунов, y--:. ... ..", fi

)/t

Авторы изобреге1:ия

Заявитель

СПОСОБ УДЕРЖАНИЯ И НАКОПЛЕНИЯ В ЛОВУШКЕ

ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЫ

Предмет изобретения

Подписная группа № 97

Магнитное поле точечного дино;1я можно рассматривать как магннтпу1о ловушку. Природной ловушкой такого вида является магнитное поле Земли, я существование ионных поясов вокруг ЗеAI)ttt подтверждает ее эффективность.

Известен способ у;1ержапия и накопления и ловушке высокотемпературной плазмы, образованной инжектируемыми частицами, например дейтонами, которые за ватываются и удерживаlотся магнитным полем.

Предлагаемый способ отличается тем, что используют растущее во времени магнитное поле дипольного типа, скорость It величина нарастания которого определяются параметрами конкретной установки. В результате улучшаются условия захвата, повышаются концентрация и подогрев частиц.

На чертеже приведена принципиальная схема магнитной "îâóøêè для удержания и накопления высокотемпературной плазмы.

Схема содержит: виток 1 с током или магнитную катушку (в качестве магнитного диноля); высоковакуум1п;1й обьем ), в который помещается маг1нтный диполь; высоковольтЬ ный дейтериевый источник ионов 8, который ннжектирует 3 аряжеllни:е частl1цы, зяхв аты5 ваемые полем логушкн; аппаратуру 1 д.1н наблюдения и диагностики плаз;1ы. В мягн ITном поле ВПТ1 а (ил51 кат1 шки с током) происходит накопление и удержание частиц, и11жектируемых исто-II(lti

Способ удержания и I.àêîïëåitètl в ловушке высокотемпературной плазмы, образованной

15 инжектируемыми частицами, например дейтанами, захватываемыми и удерживаемыми магнитным полем., отпини1ои ийся тем, что, с целью улучшения условий захвата, повышения концентрации и подогрева частиц, исполь20 зуют растущее во времени магнитное поле дипольного типа, скорость и величина нара тания которого определяются параметрами конкретной установки.

4ЙЯ

Составитель Г. А. Анашкин

Редактор И. Г. Карпас Техред Ю. В. Баранов Корректор Л. М. Комарова

Заказ 3814/12 Тираж 1025 Формат бум. 60)(90 is Объем 0,13 изд. л. Цена 5 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д, 4

Типография, пр. Сапунова, 2