Способ измерения параметров нерезонансных двухполюсников
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для измерения параметров комплексных величин. Целью изобретения является повышение точности измерения двухэлементных нерезонансных двухполюсников. Изобретение включает последовательную подачу на исследуемый двухполюсник синусоидального сигнала частотой F<SB POS="POST">1</SB> и F<SB POS="POST">2</SB>, измерения фазы φ<SB POS="POST">1</SB> и φ<SB POS="POST">2</SB> сигнала на выходе двухполюсника и определения параметров двухполюсника по результатам измерения. Особенностью изобретения является дополнительное измерение напряжений U<SB POS="POST">1</SB> и U<SB POS="POST">2</SB> на входе и токов J<SB POS="POST">1</SB> и J<SB POS="POST">2</SB> на выходе двухполюсника и соответствующий выбор номиналов частот F<SB POS="POST">1</SB> и F<SB POS="POST">2</SB> и расчет параметров двухполюсника с учетом результатов дополнительных измерений токов и напряжений. 4 ил.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4711966/21 (22) 27.06.89 (46) 30,08.91. Бюл, ЬЬ 32 (71) Ивано-Франковский институт нефти и газа (72) Л,И,Жуган, А.Г.Конник, В.Г,Плотников, Ю,M.Ñîðoêà, Г.А.Штамбергер и А.И.Ярухин (53) 621.317.733(088.8) (56) Кисслер В.Ю., Боровских Л.П. Определение параметров многоэлементных двухполюсников. М,: Энергоиздат, 1986, с.36-42. (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ
НЕРЕЗОНАНСНЫХ ДВУХПОЛЮСНИКОВ (57).Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для измерения параметров комплексных величин. Целью изобретения
Изобретение относится к электроизмерительной технике и предназначено для измерения параметров комплексных величин.
Целью изобретения является повышение точности измерения двухэлементных нерезонансных двухполюсников.
На фиг.1 приведена функциональная электрическая схема устройства для измерения параметров нерезонансных двухполюсников, реализующая способ измерения параметров нерезонансных двухполюсников; на фиг.2 — виды нерезонансных двухэлементных двухполюс ников и их характеристики; на фиг,3 и 4 — варианты выполнения устройства для измерения параметров нерезонансных двухполюсников.
Устройство для измерения параметров нерезонансных двухполюсников содержит
5U 1674010 А1 является повышение точности измерения двухэлементных нерезонансных двухполюсников. Изобретение включает последовательную подачу на исследуемый двухполюсник синусоидального сигнала частотой 11 и 12, измерения фазы р и
pz сигнала на выходе двухполюсника и определения параметров двухполюсника по результатам измерения. Особенностью изобретения является дополнительное измерение напряжений Ui u Uz на входе и токов 11 и lz на выходе двухполюсника и соответствующий выбор номиналов частот f1 и f2 и.расчет параметров двухполюсника с учетом результатов дополнительных измерений токов и напряжений. 4 ил. контролируемый нерезонансный двухэлементный двухполюсник 1, управляемый кодом генератор 2 гармонических сигналов, вольтметр 3 с цифровым выходом, частотомер 4 с цифровым выходом, амперметр 5 с цифровым выходом, фазометр 6 с цифровым выходом, контроллер 7 (микро-ЭВМ). Кроме того, устройство дополнительно содержит (фиг,3 и 4) вольтметр
8 с цифровым выходом, операционный усилитель 9, резисторы 10 — 12, конденсатор 13, катушку 14 индуктивности.
Генератор 2 соединен с двухполюсником 1, вольтметром 3, фазометром 6, частотомером 4. Выход двухполюсника 2 соединен с амперметром 5 и вторым входом фазометра 6. Выходы вольтметра 3, частотомера 4, фазометра 6 и амперметра соединены с входами контроллера 7, Выход
1674010 т2 = k2mfog, (10) "2 где в, p — текущие значения круговой частоты и угла сдвига фазы; впп — опорная частота, при которой
R -=1/в С.
Поскольку tg успп = 1, то
Noï (5)
Чувствительность определяется по формулам: «аЛ / (6)
Рассчитывают значения низкой и высокой частот
N1 = К1 Воп, (8)
Са = К2 Воп. (9)
Коэффициенты k1 и k2 можно рассчитывать в зависимости от желаемой чувствительности: с цс (11)
Формулы (10), (11) получаются при подстановке в формулы (6) и (7) соответственно (8) и (9).
На вычисленных частотах проводят измерения и рассчитывают значения R и С:
lu1I
П Г cosy> (12) 1021 в2 (13)
В макетном образце измерительного устройства (фиг.2) достигнута точность измерения двухэлементного двухполюсника в пределах 01 .
Таким образом, в предлагаемом способе измерения проводятся на частотах, при которых достигается желаемая максимальная чувствительность к параметрам схемы замещения и тем самым обеспечивается высокая точность измерений, Формула изобретения
Способ измерения параметров нерезо5 нансных двухполюсников, включающий последовательную подачу на исследуемый нерезонансный двухполюсник синусоидального сигнала частоты f1 и f2, измерение фазы р1 и pz сигнала на выходеисследуе10 мого нерезонансного двухполюсника для этих частот и определение искомых параметров по результатам измерений, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью повышения точности измерения двухэлементных нере15 зонансных двухполюсников. дополнительно измеряют напряжение U1 и U2 на входе и токи 11 и 12 на выходе нереэонансного двухполюсника соответственно на частотах
f1 и f2, причем частоты f1 и f2 определяют по
20 формулам
f1 = k)fTlfon, з 1
25 (" ) где rn — масштабирующий коэффициент;
4пп — опорная частота выбирается произвольно;
uzi dlZI и 1 dlZI
-э1, вс вС а параметры нерезонансного двухполюсника определяются по формулам для последо35 вательного соединения R и С
П11 IU21
N1lu1IsIïp1 R = lt l — для параллельного соединения R и С
1011, I 21 р2
I I1ICOS 01 IU21®2 — для последовательного соединения L ий
1 — ; R = cos pz;
1011 э!и 1, 1021
1111 в! !121 — для параллельного соединения L u R
1U1I, U21
50 Й = — «sP1 1ll1l N !121 SI0 Р2 где в! =2л11, Nz =2%f2 .;
1674010
Фиг. 2
1674010
Составитель В.Ежов
Техред М.Моргентал
Корректор А.Осауленко
ЪГ
Редактор С.Лисина
Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101
Заказ 2917 Тираж 401 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5