Способ записи и считывания информации

Способ записи и считывания информации

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

СОгг,квг(ксTИ (еских

Респ(1 ба и(к

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 05.1.1963 (№ 812552/26-24) Кл. 42m, 140з с присоедг!пением заявки №

ГОсудвРствекнь1й

КОМ(п тот Г10 PO«!«I М

И «ОО=."((«1«(й

И Отк(.Ь!" «(И (CP

МПК G 06f

УДК

Приоритет

Опубликовано 18.11965. Бюллетень № 2

Дата опубликования описания 29.1.1965 (>(с (Г(((Автор изобретения

Заявитель

С. Я. Беркович

СПОСОБ ЗАПИСИ И СЧИТЫВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ

В ЗАПОМИНАЮЩЕМ УСТРОЙСТВЕ ТИПА Z

HA СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ЭЛЕМЕНТАХ C ЗАХВАЧЕННЫМ

Il 0TO KOM

Подписная грутга М 145

Описываемое изобретение относится к способам записи и считывания информации в запоминающем устройстве типа Z»3 сверхпроводящих элементах памяти с захваченным потоком, работаю!цих в адиабатическом режиме.

Двоичную информацию представляют в виде близкого к иул!о тока сзерхпроводимости в элементе памяти или сверхпроьодящего тока

Отрицатсл ь1!or Î 1!3 !Ip3 Bл сн ия.

Сущность описываемого способа закл1очаетСЯ В СЛСД((1ОЩ ",!

При записи информации в вь(бра Иую числову!о линейку запоминающего устройства подают стирающий импульс тока поло>кительпой полярности. 15

Амплитуда импульса тока достаточна для разрушения состояния сверхпроводимости всех эле. (10IITOB ПамятИ Bblop3il!!oil ЧИС IOBOII;IHIIPIIки.

Режим работь! сверхпроводящих элементов 20 памяти близок к адиабатическому. Поэтому после окончания стирающего импульса тока во всех элементах памяти числовой линейки ток сверхпроводимости равен или близок нулю, что соответствует записи «единицы» в этих 25 элементах памяти.

При записи «пуля», кроме пода пл в выбранН (Ю ЧИС ЧОВ (fo Л И;!ЕйКУ CTHP3 IOIJCГО И."(! ПУ(1ЬС3 тока!, п ода lот В p33pH,д!1ые ILины Тсх элеменТ0В памити, B f>, 30 импульсы тока записи «нуля» положительной полярности и длительностью, большей длительности стирающего импульса тока, Амплитуда тока записи «нуля» равна величине отрицательного тока сверхпроводимости, используеfi,0Iî для представления состояния «пуля».

Поэтому после окончания тока записи «нуля» в элементах памяти, в которых нужнозагисать «нуль», будет циркулировать сверхпроводящий ток отрицательного направления.

Считывание информации осуществляют подачей в выбранную числовую линейку положительного импульса тока. Амплитуда этого тока должна быть достаточна для установления нормального состояния сверхпроводимости тех элементов памяти, в которых хранится «единица», и недостаточна для изменения сверхпроводящего состояния тех элементов, в которых хранится «пуль» в виде отрицательного тока.

Так как режим работы элементов памяти адиабатический, информация при считывании

i.е разрушается.

Описываемый способ записи и считывания и:;формации позволяет повысить надежность работы запоми!!ающих устройств па сверхгроводпиковых элементах памяти, с захвачен1;ым потоко«м(например ii3 ячейках Крау или перзисторах.

167683

Предмет изобретения

Составитель А. Соколов

Техред А. А. Кудрявицкая Корректор Л. Е. Марисич

Редактор П. Шлаин

Заказ 3677/16 Тираж 825 Формат бум, 60)690>/8 Объем 0,13 изд. л. Цена 5 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр, Сапунова, 2

Способ записи и считывания информации в запоминающем устройстве типа Z на сверхпроводящих элементах с захваченным потоком, работающих в адиабатическом режиме, с представлением «единицы» в виде близкого к нулю тока сверхпроводимости, а «нуля»вЂ” в виде отрицательного тока сверхпроводимости, отличающийся тем, что, с целью увеличения надежности указанного запоминающего устройства и считывания информации без ее разрушения, запись информации призводят подачей в выбранную числовую линейку стирающего импульса тока положительной полярности, разрушающего состояние сверхпроводимости всех элементов памяти выбранной числовой линейки, и подачей в разрядные шипы тех элементов памяти, в которых нужно записать «нуль», импульса тока записи «нуля» положительной полярности с длительностью, большей длительности стирающего импульса тока, и амплитудой, равной величине упомянутого отрицательного тока сверхпроводимости, а считывание информации осуществТ0 ляют путем подачи в выбранную числовую линейку импульса тока положительной полярности, устанавливающего нормальное состояние проводи мости элементов памяти, хранящих

«единицу», и неизменяющего сверхпроводящее состояние элементов памяти, хранящих «нуль».