Противофильтрационный экран накопителя на льдонасыщенном основании

Противофильтрационный экран накопителя на льдонасыщенном основании

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к гидротехническому строительству. Цель изобретения - повышение эксплуатационной надежности тивофчльтрационного экрана путем повыпк ния его компенсаторной способности при теп мопросадочных деформациях оттаиваюши грунтов. Противофильтрационный экран включает подстилающий слой 5, защитный слой 6 и пленочное полотнище 1. В основании накопителя выполнены траншеи 4 г.пбиной, равной толщине поверхностного слоя льдонасыщенных грунтов. На дно и откосы траншей 4 и на поверхность основания между ними отсыпан подстилающий слой 5 i: , сыпучего материала. На него уложено пленочное полотнище 3 с образованием компенсаторов 2, заглубленных в траншеи 4. пространство над которыми заполнено сымушм материалом защитного слоя 6. 1 з. п. ф-лы, 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (5!)5

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4734267/15 (22) 01.09.89 (46) 15.09.91. Бюл. № 34 (71) Сибирский филиал Всесоюзного научноисследовательскогоо и нститута гидротехни ки. им. Б. Е. Веденеева (72) Г. И. Кузнецов (53) 627.8(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 1006573, кл. F 02 В 3/16, 1983.

Авторское свидетельство СССР № 1469010, кл. Е 02 В 3/16, 1989. (54) ПРОТИВОФИЛЬТРАЦИОННЫЙ ЭКРАН НАКОГ!ИТЕЛЯ НА ЛЬ (ОНАСЬ!ЩЕННОМ ОСНОВАНИИ (57) Изобретение относится к гидротехническому строительству. Цель изобретения — по„„Я0„„1677167 А 1

BblLLlEHHå эксплуатационной над«жно«ти пр(>т ивоф(зл ьтра ц ион ного экрана пу гем новы и ((ния его компенсаторной способности при т«) мопросадочных деформациях оттаиваюи(и. грунтов. Противофильтрационный экр;ill включает подстилающий слой 5, защитный слой 6 и пленочное полотнище l. В основании накопителя выполнены транп(еи 4 глубиной, равной толщине поверхностного слоя льдонасыщенных Гр) нтов. На д)(О ii от((о«ь траншей 4 и на поверхность основании м«кду ними QT«ûïàí подстилающий слой 5 I:d сыпучего материала. Hd него уложено пл(ночное полотнище 3 с образованием компе((саторов 2, заглубл HHhlx в траншеи 4, Ilp()сTpdH«TBo Hdj, которыми заполнено сыну iiiм материалом защитного слоя 6. 1 з. п. ф-лы, 2 ил.

1677167

Формула изобретения

Составитель В. Байдаков

Техред A. Kp»"Y

Тираж

Корректор Н. Ревская

Подписное

Редактор Н. Шитев

Заказ 3089

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж--35, Рву гп ская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат «Патент», г. Ужгород, ул. Гагарина, 101

Изобретение относится к гидротехническому строительству, в частности к конструкциям противофильтрационных экранов накопителей твердых отходов, преимущественно шламохранилищ и золоотвалов на льдонасыщенных мерзлых основаниях.

Цель изобретения — повышение эксплуа., тационной надежности против 1фильтрацион ного экрана путем повышения его компен саторной способности при термопросадочных деформациях оттаивающих грунтов.

1О

На фиг. 1 изображен экран, выведенного на верховой откос дамбы, начальное состояние; на фиг. 2 — то же, после оттаивания и осадки льдонасыщенного основания.

Противофильтрационный экран накопителя содержит пленочное полотнище 1, уло,женное с образованием компенсаторов 2 на грунт основания 3 и в траншеи 4. На дно и откосы траншей и на поверхность основа .,ния между траншеями отсыпан подстилаю.щий слой 5 из сухого сыпучего материала. ,При этом в качестве сыпучего материала

,применяют песок или твердые отходы, например хвосты или золу. Полотнище экрана в траншеях и на участках между ними защищено защитным слоем 6 из такого же сыпучего материала, который применен для устройства подстилающего слоя. Первый компенсатор выполнен непосредственно у подошвы верхового откоса ограждающей дамбы 7, на который выведено пленочное полотнище 1. Остальные компенсаторы разме- 30 щены на экранируемой площади ложа нако пителя в соответствии со льдистостью и, расчетными осадками оттаивающих грунтов — на участках с повышенной льдис тостью компенсаторы расположены ближе один к другому. 35

Противофильтрационный экран работает следующим образом.

Проводят планировку поверхности ложа и в зимний период выполняют проходку траншей 4 в мерзлом грунте основания 3, после чего на дно и откосы траншей и на поверхность ложа между ними отсыпают подстилающий слой 5 из сухого сыпучего материала, укладывают пленочное полотнище 1 с образованием компенсаторов 2, заглубленных в траншеи, затем отсыпают защитный слой 6 из сухого сыпучего материала. После завершения всех работ по устройству экрана в ложе накопителя выполняют работы по устройству экрана на верховом откосе ограждающей дамбы 7, после чего начинают заполнение накопителя. В ходе его эксплуатации происходит постепенное оттаивание и осадка грунтов основания между траншеями и соответствующее опускание экрана; компенсаторы расправляются и происходит выравнивание наружной поверхности экрана без ыарушения его водоупорных своиств, продолжающееся до стабилизации термопросадочных деформаций оттаивающего основания.

1. Противофильтрационный экран накопителя на льдонасыщенном основании, включающий подстилающий и защитный слои и пленочное полотнище, отличающийся тем, что, с целью повышения эксплуатационной надежности противофильтрационного экрана путем повышения его компенсаторной способности при термопросадочных деформациях оттаивающих грунтов, в основании накопителя выполнены траншеи глубиной, равной толщине поверхностного слоя льдонасыщенных грунтов, на дно и откосы траншей и на поверхность основания между траншеями отсыпан подстилающий слой из сыпучего материала, на него уложено пленочное полотнище с образованием компенсаторов, заглубленных в траншеи, при этом пространство над компенсаторами н траншеях заполнено сыпучим материалом защитного слоя.

2. Экран по п. 1, отлича>ощийся тем, что первый компенсатор устроен непосредственно у подошвы верхового откоса ограждающей дамбы накопителя, а пленочное полотнище из него выведено на верховой откос дамбы.