Погружной полупроводниковый преобразователь

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к электротехнике , а именно к полупроводниковым преобразователям , работающим при больших давлениях окружающей среды. Цель изобретения - повышение надежности - достигается тем, что в преобразователе, содержащем силовые полупроводниковые приборы 9 с радиаторами 10 и блоками управления 11, расположенные внутри заполненного диэлектрической жидкостью 5 герметически замкнутого внешнего корпуса , снабженного компенсатором 3 гидростатического давления воды и герметичными вводами, корпуса полупроводниковых приборов снабжены индивидуальными компенсаторами гидростатического давления, а их внутренние полости заполнены химически чистой и инертной по отношению к р-пструктурам диэлектрической жидкостью. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (Я)5 Н 01 3 25/00, 23/44

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

flO ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) 1354280 (21) 4672771/07 (22) 04.04.89 (46) 15.09.91. Бюл. M 34 . (71) Специальное конструкторское бюро техники морских геологоразведочных работ с опытным производством (72) Ю.Г.Штарев, Н.Д,Томилов и А.Н.Полозок (53) 621.315(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

М 1354280, кл, Н 01 L 25/00, 1983. (54) ПОГРУЖНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ (57) Изобретение относится к электротехнике, а именно к полупроводниковым преобразователям, работающим при больших

„„Я „„1677746 А2 давлениях окружающей среды. Цель изобретения — повышение надежности — достигается тем, что в преобразователе, содержащем силовые полупроводниковые приборы 9 с радиаторами 10 и блоками управления 11, расположенные внутри заполненного диэлектрической жидкостью 5 герметически замкнутого внешнего корпуса, снабженного компенсатором 3 гидростатического давления воды и герметичными вводами, корпуса полупроводниковых приборов снабжены индивидуальными компенсаторами гидростатического давления, а их внутренние полости заполнены химически чистой и инертной по отношению к р-иструктурам диэлектрической жидкостью, 2 ил.

1677746

Изобретение относится к электротехнике, а именно к полупроводниковым преобразователям, работающим при больших давлениях окружающей среды, Цель изобретения — повышение надеж.ности, На фиг.1 схематически изображено предлагаемое устройство, общий вид; на фиг.2 — узел I на фиг.1 (силовой полупроводниковый прибор из состава преобразователя), Погружной полупроводниковый преобразователь содержит внешний легкий корпус в виде контейнера 1 с крышкой 2, снабженный компенсатором 3 гидростатичвского давления и герметичным электрическим вводом 4, Внутренняя полость контейнера 1 залита трансформаторным маслом 5. На контейнере 1 также имеются пробки для заливки 6 и слива 7 диэлектрической жидкости.

Внутри контейнера 1 на раме 8укреплены силовые полупроводниковые приборы 9 с радиаторами 10 и блоками 11 управления.

На корпусе 12 силового полупроводникового прибора 9 выполнен компенсатор гидростатического давления, представляющий собой резиновую манжету 13, с натягом охватывающую корпус 12 с выполненными на нем отверстиями 14. Внутренняя полость силового полупроводникового прибора заполнена полиметилсилоксановой жидкостью 15.

При погружении преобразователя в воду при помощи компенсатора 3 выравнивается давление снаружи и внутри преобразователя, При этом компенсаторы 3 обеспечивают равномерное приложение давления к полупроводниковым структурам, предотвращая смешивание трансформаторного масла 5 с полиметилсилоксановой жидкостью 15.

Применение индивидуальных компенсаторов для полупроводниковых преобра5 зователей повышает надежность погружного полупроводникового преобразователя, поскольку изолирует структуры от возможных продуктов разложения и взаимодействия диэлектрической жидкости с

10 различными материалами, процесс образования которых трудно контролируем и зависит от многих факторов (давление, температура, химический состав конструкционныхматериалов,электрическое напря15 жение, наличие растворенных газов и т.д,).

Кроме того, стоимость химически чистых и инертных по отношению к р — и структурам диэлектрических жидкостей (например, полиорганосилоксановых), в среде которых

20 возможна работа полупроводников, на 1-2 порядка выше стоимости обычных диэлектрических жидкостей (например, трансформаторного масла), Поэтому применение индивидуальных компенсаторов дает воз25 можность снизить стоимость преобразователя в целом, так как позволяет использовать дорогостоящую диэлектрическую жидкость в небольших объемах.

Формула изобретения

30 Погружной полупроводниковый преобразователь по авт,св. М 1354280, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью повышения надежности, корпуса тиристоров и полупроводниковых приборов снабжены индивиду35 альными компенсаторами гидростатического давления воды, при этом внутренние полости упомянутых корпусов заполнены химически чистой и инертной по отношению к полупроводникам диэлектрической жидко40 стью.