Формирователь тока для доменной памяти

Формирователь тока для доменной памяти

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах для формирования управляющих токов в катушках с целью создания вращающегося магнитного поля. Цель изобретения - повышение надежности за счет синусоидальной формы тока. Формирователь тока для доменной памяти содержит первый и второй источники тока, выполненные в виде транзисторов 1, 2. первый и второй токозадающие элементы, выполненные в виде резисторов 3, 4, источник 5 напряжения положительной полярности, источник 6 напряжения отрицательной полярности , первый и второй согласующие усилители-инверторы 7, 8, первый и второй ключи 9, 10 и парафазный усилитель 11. За счет формирования синусоидального тока в катушке, использования источников тока на основе транзисторов 1, 2 и резисторов 3, 4 в цепях обратной связи по току удается повысить надежность доменной памяти при использовании предложенного формирователя тока. 1 ил. СО с о 00 со о V4

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

<ю s G 11 С 11/14

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4638658/24 (22) 17.01.89 (46) 07,10.91. Бюл. М 37 (72) Е.В. Горохов, В.А. Драчук, Э.С. Зиборов, А.М. Иванов, В.И. Косов, А.И. Савельев и

С.Б. Торотенков (53) 681.327.6(088.8) (56) Патент Японии М 60-48065, кл. G 11 С 11/14, опублик. 1985.

Авторское свидетельство СССР

М 1564694, кл. G 11 С 11/14, 1988. (54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ТОКА ДЛЯ ДОМЕННОЙ ПАМЯТИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах для формирования управляющих токов в катушках с целью создания вращающегося магнитного поля.

„, Ы„„16830?1 А1

Цель изобретения — повышение надежности за счет синусоидальной формы тока, Формирователь тока для доменной памяти содержит первый и второй источники тока, выполненные в виде транзисторов 1, 2, первый и второй токозадающие элементы, выполненные в виде резисторов 3, 4, источник

5 напряжения положительной полярности. источник 6 напряжения отрицательной полярности, первый и второй согласующие усилители-инверторы 7, 8, первый и второй ключи 9, 10 и парафазный усилитель 11. За счет формирования синусоидального тока в катушке, использования источников тока на основе транзисторов 1, 2 и резисторов 3, 4 в цепях обратной связи по току удается повысить надежность доменной памяти при использовании предложенного формирователя тока. 1 ил.

1683071

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах для формирования управляющих токов в катушках с целью создания вращающегося магнитного поля, Цель изобретения — повышение надежности эа счет синусоидальной формы тока.

На чертеже приведена схема формирователя тока для доменной памяти.

Формирователь тока содержит первый и второй источники тока, выполненные в виде транзисторов 1 и 2, первый и второй токозадающие элементы, выполненные в виде резисторов 3 и 4, источник 5 напряжения положительной полярности, источник 6 напряжения отрицательной полярности, первый и второй согласующие усилителиинверторы 7 и 8, первый 9 и второй 10 ключи и парафазный усилитель 11, Кроме того, формирователь содержит катушки 12 поля вращения и шину 13 нулевого потенциала. Согласующие усилителиинверторы содержат транзисторы 14, диоды 15 и резисторы 16 — 18. Ключи содержат транзисторы 19 и резисторы 20-22. Парафазный усилитель включает в себя транзистор 23 и резисторы 24 и 25.

На схеме также показаны управляющий вход 26 и вход 27 синусоидального напряжения формирователя тока.

Формирователь тока работает следующим образом.

В исходном состоянии (режим "Стоп" ) на управляющем входе 26 присутствует сигнал положительной полярности. При этом на прямом (эмиттерном) выходе парафаэного усилителя 11 устанавливается положительное напряжение более высокое (на величину падения напряжения база-эмит тер открытого транзистора 23), чем уровень сигнала на входе 26. Величины эмиттерного

24 и коллекторного 25 резисторов равны между собой и поэтому выходное напряжение на инвертирующем выходе парафазного усилителя 11 симметрично относительно нулевого потенциала шины 13. В этом режиме положительное напряжение с прямого выхода парафазного усилителя 11 через резистор 21 открывает транзистор 19 ключа 9, а отрицательное напряжение с инвертирующего выхода открывает транзистор 19 ключа 10.

Сопротивления резисторов 21 выбраны такими, чтобы обеспечить насыщение транзисторов 19 при всех значениях входного напряжения соответствующей полярности.

В результате положительная полуволна синусоидального напряжения поступающая на.вход ключа 9 с входа 27 синусоидальнаго

55 напряжения, шунтируется транзистором 19 на выходе ключа 9 до уровня напряжения насыщения на его коллекторе UHac, аналогично отрицательная полуволна синусоидального напряжения шунтируется на выходе ключа 10 до уровня напряжения насыщения на коллекторе транзистора 19

0нас . В силу того, что у типовых транэисторов малой и средней мощности напряжение коллекторного насыщения существенно меньше порога отпирания транзисторов в схемах с заземленным эмиттером, транзисторы 14 согласующих усилителей-инверторов 7 и 8 закрыты, коллекторные токи отсутствуют, в результате чего транзисторы

1 и 2 закрыты, их коллекторные токи, а следовательно, и ток в катушке 12 микросхемы доменной памяти равны нулю

После установки сигнала низкого уровня на входе 26 (переход в режим "Старт" ) напряжения на прямом и инвертирующем выходах парафазного усилителя 11 снижаются до значений, недостаточных после их ослабления входными делителями на реЗисторах 21 и 22 для отпирания транзисторов

19 ключей 9 и--10.

В результате запирания транзистора 19 положительная полуволна синусоидального напряжения на входе 27 ключа 9 проходит почти без ослабления на ее выход и поступает на базу транзистора 14 согласующего усилителя-ин вертора 7.

Резистором 18 согласующего усилителя-инвертора 7 осуществляется смещение рабочей точки транзистора 14 до такого значения 0 м, чтобы при нулевом напряжении на сигнальном входе ключа 9 транзистор 1 находился на границе отпирания. При таком выборе рабочей точки транзистор 14 открывается на время положительной полуволны синусоидального напряжения на сигнальном входе ключа 9 и закрывается на время отрицательной полуволны.

Положительная полуволна напряжения на базе транзистора 14 согласующего усилителя-инвертора 7 создает в его коллекторе полуволну синусоидального тока, форма и амплитуда которого стабилизируется эмиттерным резистором 17 транзистора 14.

Коллекторный ток транзистора 14 на его коллекторном резисторе 16 формирует отрицательную полуволну синусоидального напряжения, которая поступает на базу транзистора 1 и открывает его. Включенный в эмиттерную цепь транзистора 1 резистор.

3 обратной связи по току обеспечивает коллекторному току форму полуволны синусоиды и стабильность амплитуды в широких пределах изменения значения и характера коллекторной нагрузки транзистора.

1683071

Формула изобретения

Формирователь тока для доменной памяти, содержащий источник напряжения положительной полярности и два источника тока, выполненные в виде транзисторов различного типа проводимости, причем коллекторы транзисторов объединены и являтока, формирователь содержит два токозадающих элемента в виде резисторов, два согласующих усилителя-инвертора, два ключа, парафазный усилитель и источник напряжения отрицательной полярности, причем эмиттеры первого и второго транзисторов источников тока соединены соответственно с выходами источников напряжения положительной и отрицательной полярностей через первый и второй резисторы, первый вход парафазного

20 усилителя является управляющим входом формирователя тока, а первые входы первого и второго ключей объединены и являются входом синусоидального напряжения формирователя тока, вторые входы первого и второго ключей соединены соответственно

25 с первым и вторым выходами парафазного усилителя, второй и третий входы которого подключены соответственно к выходам источников напряжения положительной и отрицательной полярностей, выходы первого и второго ключей соединены с первыми вхо30 дами соответственно первого и второго согласующих усилителей-инверторов, вторые входы которых связаны с выходами соответственно источников напряжения положительной и отрицательной полярности, выходы первого и второго согласующих усилителей-инверторов подключены к базам соответственно первого и второго транзисторов источников тока.

Составитель В. Топорков

Техред M.Moðãåíòàë Корректор О. Кравцова

Редактор M. Бланар

Заказ 3416 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Одновременно положительная волна входного напряжения на сигнальном входе ключа 10 проходит на базу транзистора 14 согласующего усилителя-инвертора 8, поддерживая его в запертом состоянии (диод 15 защищает транзистор 14 от пробоя). Отсутствие коллекторного тока транзистора 14 поддерживает в запертом состоянии транзистор

2, и поэтому коллекторный ток транзистора 1 в виде полуволны синусоиды полностью поступает в катушку 12 микросхемы доменной памяти в прямом направлении.

При закрытом транзисторе 19 ключа 10 отрицательная полуволна напряжения на ее сигнальном входе проходит на выход ключа

10 и поступает на базу тр" íçèñòîðà 14 согласующего усилителя-инвертора 8. Отрицательная полуволна напряжения на базе транзистора 14 согласующего усилителяинвертора 8 формирует на коллекторном резисторе 16 положительную полуволну синусоидального напряжения, которая поступает на базу транзистора 2 и создает в его коллекторной цепи полуволну синусоидального тока. В силу различных типов проводимости транзисторов 1 и 2 ток коллектора транзистора 2 протекает по катушке 12 микросхемы доменной памяти в обратном направлении по отношению к току, создаваемому в катушке транзистором 1. Таким образом, ток в катушке 12 микросхемы доменной памяти состоит из двух полуволн синусоидального тока различного направления, которые обеспечивают при равенстве их амплитуд ток синусоидальной формы.

Таким образом, эа счет формирования синусоидального тока в катушке, использования источников тока на основе транзисторов 1 и 2 и резисторов 3 и 4 в цепях обратной связи по току удается повысить надежность доменной памяти при использовании предлагаемого формирователя тока. ются выходом формирователя тока, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью повышения

10 надежности за счет синусоидальной формы