Детектор на полупроводниковом диоде
Иллюстрации
Реферат
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 24.VI11.1963 (¹ 853988j26-9) Кл. 21а>, 42 с присосдинением заявки ¹
Приоритет
МГЭИК Н ОЗЙ
УДК 621.376.2 (088.8) Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР
Опубликовано 18,Н,1965. Бюллетень № 4
Дата опубликования описания 15.III.19б5
Лвтор изобретения
Г. A. Дер
Заявитель
ДЕТЕКТОР НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ ДИОДЕ смещая тем самым и рабочую точку детектора с участка А на участок Б. При выходе рабочей точки па участок Б процесс детектирования аналогичен работе ооычных детектороь, 5 при котором на нагрузке 2 происходит падение напряжения пульсирующего характера, а амплитуда пульсаций меняется по закону мод ляции.
Напряжение пульсаций сглаживается емко10 cTblo 8 >< D форме c» ггала модуляции nr;,tгается а вход последующего каскада.
ОТД мокино использовать так же как второй детектор для автоматической регулировки усиления, так как прп высоком ровне вход15 ного сигнала рабочая точка ОТД смещается правее участка Б и коэффициент передачи . адает.
Детектор на полупроводниковом диоде, цепь нагрузки которого шунтирована емкостью фильтра, от гика;ои,ийся тем, что, с целью повышения его чувствительности и использова25 ния в качестве второго детектора без внешнего источника смещения, в качестве упомянутого диода использован «обращенный» туннельный диод.
Подписная гру г>га И 89
Описываемый детектор на полупроводниковом диоде по сравнению с известными обладает повышенной чувствительностью и может быть также использован в качестве второго детектора без внешнего источника смещения.
Это достигается тем, что в качестве детектора используется «обращенный» туннельный диод (ОТД).
На фиг. 1 изображена эквивалентная схема описываемого детектора; на фпг, 2 — характеристика туннельного диода: а — обычного (ТД), б — «обращенного» (ОТД), Входной сигнал подается на катод «обращенного» туп диода 1, анод которого подключен и сопротпвленшо нагрузки 2, шупгнровапной емкостью 3.
При подаче на вход детектора высокочастотного сигнала в положптельньгй полупериод через емкость 4 диода 1 протекает ток, при этом омическое сопротивление 5 диода 1 возрастает, При отрицательном полупериоде входного сигнала ток через емкость 4 протекает в обратном направлении, но величина сопротивления 5 диода 1 резко падает. В результате возникающий разностный ток протекает через емкость 4 только в одном направлении и через несколько первых периодов входного сигнала происходит заряд емкости 4, Предмет пзобретенпя
Составитель Й. Белоуеой
Редактор Л. Струве Техред А. А. Камышникова Корректор Ю. М. Федулова
Заказ 288/14 Тираж 600 Формат бум. 60+90 /з Объем 0,13 изд. л. Цена 5 коп.
ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР
Москва, Центр. пр, Серова, д, 4
Типография, пр. Сапунова, 2