Способ ограничения распространения разрядов по поверхности диэлектрика

Способ ограничения распространения разрядов по поверхности диэлектрика

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к электротехнике , Цель изобретения - повышение надежности путем рассредоточения разрядов по поверхности диэлектрика и уменьшение их мощности, На поверхности диэлектрика устанавливают накладку , выполненную из сегнетоэпектрика. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„„1684822

А1

I! О1 Н 33/24, Н 01 В 1 7/4-

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А BTOPGKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4781252/07 (22) 27.11.89 (46) 15.10.91, Бюл. Р 38 (71) Институт физики АН КиргССР (72) В,С,Энгельшт и I..Т,Ларьки»а (53) 621,384,52(088.8) (56) Дашук П,Н,, Зайенц С,Л,, Комельков Г.С, и др, Техника боль— ших импульсных токов и магнитных полей, М,: Атомиздат, 1970> с, 268303.

Авторское свидетельство СССР

Y 427905. кл, С 01 В 13/12, 1969, Изобретение относится к облас ти электpc òåõ»èêè, а конкретно к переца— че с.èëüíûõ тс Ко» и может быть использовано в импульсных источниках света, плазменных ускорителях, магнитной гидродинамике, промышленной технологии, озонаторах, кабельных коллекторах, емкостных накопителях, Соединительные элементы электротехнических устройств, работающих на больших токах, зачастую находятся в условиях развития скользяшего разряда. В связи с этим необходимо предусматривать меры, ограничивающие распространение этих разрядов ° Особенно большая трудность возникает в том случае, если необходимо изолировать те участки соединительных элементов, где разрлд развивается в воздухе вдоль поверхности твердого диэлектрика.

Целью изобретения является повышение надежности путем рассредото2 (54) СПОСОБ ОГРАНИ !ЕНИЯ РАСПГОСТРА5П—

НИЯ РАЗРЯДОВ ПО ПОВЕРХ НОСТ55 J1IIIJTF I !в

РИКА (57) Иэобретение относится к лектро— технике ° Цель изобретения — повышение надежности путем рассредоточения разрядов по поверхности диэлектрика и уменьшение их мощности, На поверхности диэлектрика устанавливают накладку, выполненную из сегнетозлс кт— рика,. 2 ил. чения разрядов по поверхности диэлектрика и уменьшение их мощности.

1,а фиг, 1 показано устройство

1 для реализации способа ограииченин распространения разрядов до поверхности диэлектрика; на фиг ° 2 сечение А-А на фиг, 1, Устройство содержит стеклянную пробирку 1, на внешней поверхности которой закреплен первый кольцевой ! медный электрод 2 и сегнетоэлектрическая накладка в виде трубки 3 на основе пьезокерамики из титанатцирконат-бария, которая надета иа про,бирку 1 с воэможностью перемещения.

Пробирка 1.заполнена водой, которая является вторым электродом. Электро— ды подключены к источнику высокого напряжения.

Устройство работает глс 1 нсшим с б— разом, В момент включения вы»с - исльти го источника переменного ток; 1„„„, „ =

Составитель В.Гомзин

Техред А.Кравчук Корректор А.Обручар

Редактор О.Спесивых

Заказ 3510 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государстве. <ного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина, 101 (I кB) от кольцевого . лектрода 2 цо поверхности пробирки распространялся стримерный разряд в виде отдельных токопроводящих каналов, достаточно мощных, приводящих в отдельном случае к пробою стекла, При приближении сегяетоэлектрической трубки 3 к области распространения стримерного разряда в какой-то момент каналы 10 разряда распадаются на мелкие, которые, во"первых, равномерно распределяются по внешней поверхности пробирки в промежутке между медным электродом и сегнетоэлектрической трубкой

3, во †втор, отходят от поверхности стекла на сегнетоэлектрическую трубку, образуя кольцо. С приближением трубки 3 к электроду 2 количество разрядных каналов возрастает, зато их 20 мощность (свечение) резко снижается, Имеет место факт резкого уменьшения протяженности распространения стримерного разряда и равномерного рассредоточения его каналов по поверхности пробирки, Несмотря на то, что напряженность поля на этом участке выше основного, пробоя диэлектрика не произошло, вниду высокой пицек трцческой проницаемости сегнетозлектрической трубки, которая концентрирует на себя высокую энергию разряда.

Данный способ ограничения распространения разряда по поверхности диэлектрика достаточно прост в реализации, он не испытывает необходимости в осуществлении электрического контакта с электродом, что подтвердили лабораторные испытания, и что наиболее важно в связи с этим резко увеличивает надежность электротехнических устройств, Формул а и з о б р е т е н и я

Способ ограничения распространения разрядов по поверхности диэлектрика путем уменьшения напряженности основного электрического поля на поверхности укаэанного диэлектрика, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности путем рассредоточения разрядов по поверх— ности диэлектрика и уменьшение их мощности, на указанной поверхности диэлектрика устанавливают накладку

Р выполненную из сегнетоэлектрика, 1