Устройство для генерирования функций кинематической поправки
Иллюстрации
Показать всеРеферат
I68 540
ОПИСАН ИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Кл. 42m 14гц
42с, 42
Заявлено 29.IV.1963 (№ 833769/26-25) с присоединением заявки №
Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР
Приоритет
Опубликовано 18.!1,1965. Бюллетень ¹ 4
МПК G 06/
G 0lc
УДК
Дата опубликования описания 8.III.1965, "1-1 м ° о
Автор изобретения
П г1,1,1;", 1: Ак
М. Б. Рапопорт
Заявитель
f ii . х
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ГЕНЕРИРОВАНИЯ ФУНКЦИЙ
КИНЕМАТИЧЕСКОЙ ПОПРАВКИ лах от 0,1 до 0,4 сек. Начальные напряжения на конденсаторах 1 и 2 регулируются потенциометрами 6 и 7. В коллекторной цепи транзистора включен квадратичный делитель 8 кинематической поправки и батарея 9. Включение транзистора по схеме с общей базой обеспечивает независимость коэффициента усиления по току от температуры и напряжения батареи 9, а также низкое входное напряжение.
10 Транзистор должен иметь небольшой начальный ток коллектора, высокое пробивное напряжение и большой коэффициент усиления по току.
Устройство для генерирования функций кинематической поправки, содержащее ячейки
20 RC и транзистор, отличающееся тем, что, с целью обеспечения безынерционности в работе устройства, в эмиттерную цепь транзистора, выполненного по схеме с общей базой, включены ячейки RC, связанные с источником на25 пряжения через потенциометры.
Подписная группа № 174
В известных устройствах для автоматического построения сейсмических разрядов для генерирования функции кинематической поправки применяется, в основном, способ кусочнолинейной аппроксимации, для реализации которого требуются сложные электронные устройства. Предложенное устройство имеет простую схему и безынерционно.
Устройство состоит из транзистора, выполненного по схеме с общей базой, в эмиттерную цепь которого включены ячейки RC, связанные с источником напряжения через потенциометры.
На чертеже изображена схема устройства для генерирования функции кинематической поправки.
Экспоненциальные токи возникают при разряде емкостей 1 и 2 через омические сопротивления 8 и 4, Токи суммируются в эмиттерной цепи транзистора 5, входное сопротивление которого (в схеме с общей базой) пренебрежительно мало по сравнению с сопротивлениями
3 и 4.
Постоянная времени разряда конденсатора
2 с изменением его емкости меняется в предеПредмет изобретения
168540
Состави гель 10. Дадерко
Техред T. П. Курилко
Корректор О. Б. Тюрина
Редактор П. Шлаин
Типография, пр. Сапунова, 2
Заказ 154/17 Тираж 900 Формат бум. 60+90 /в Объем О,1 изд, л. Цена 5 коп.
ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4