Люминесцентный материал на основе селенида индия

Люминесцентный материал на основе селенида индия

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к люминесцентному материалу на основе In Se, содержащему Но, и позволяет повысить интенсивность фотолюминесценции. Осуществляют синтез материала сплавлением из элементов In, Se, Но в кварцевой ампуле вертикально в печи при 1000 К и из полученных поликристаллов выращивают монокристаллы методом Бриджмена в виде слитков длиной 45-50 мм, диаметром 8-40 мм, которые скалывают по плоскостям спайности. 1 табл , 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (st>s С 09 К 11/62, 11/88

ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

+ ®IIÌ апитв-тщщцрцщ

ЙЙБЛИЩТ, ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4715036/26 (22) 07.07.89 (46) 30.10.91. Бюл. N. 40 (71) Институт физики АН АЗССР и Азербайджанский государственный университет им.

С.М. Кирова (72) Г.И. Абуталыбав, Л.С. Ларионкина, А.M. Гусейнов, А.Ш, Абдинов и Н,А. Рагимова (53) 621.3.032.35:546,239.682(088.8) (56) Курбатов Л.Н. и др. — ФТТ, 1970, М 12, вып. 12, с, 3634.

Taglew R, В.G„Niftlew G.М. and F. Sh.

AIdcyew Solid State CommunlcatIons, 1985, ч.

53, М 10, р, 877 — 879.

Изобретение относится к люминофорам, а именно к люминесцентному материалу на основе селенида индия InSe, используемого в оптической промышленности и квантовой электронике;

Цель изобретения — повышение интенсивности фотолюминесценции InSe в области спектра 1,30 — 1,32 эВ при 77 К.

Люминесцентный материал на основе

InSe получен методом синтеза (вертикальный вариант) исходных компонентов— инд4ия, селена и гольмия в откачанных до

10 мм рт.ст. и запаянных кварцевых ампулах. Ампулы нагревают в печи с равномерным распределением температуры до полного сплавления содержимого, выдерживая при 1000 К (T»lnSe =960 К) в течение

7 — 8 ч с периодическим перемешиванием, после чего медленно (в течение нескольких часов) охлаждают до комнатной температуры. Для синтеза использованы элементы

„„. ЖÄÄ 1687592 А1 (54) ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ МАТЕРИАЛ НА

ОСНОВЕ СЕЛЕНИДА ИНДИЯ (57) Изобретение относится к люминесцентному материалу на основе In Se, содержащему Но, и позволяет повысить интенсивность фотолюминесценции. Осуществляют синтез материала сплавлением из элементов In, Se, Но в кварцевой ампуле вертикально в печи при 1000 К и из полученных поликристаллов выращивают монокристаллы методом Бриджмена в виде слитков длиной 45 — 50 мм, диаметром 8 — 40 мм, которые скалывают по плоскостям спайности. 1 табл„1 ил. высокой частоты: In марки В-3, Se марки В-5, Но-ГО М-0.99.71.

Монокристаллы люминесцентного материала выращены из полученных поликристаллов методом Бриджмена: скорость перемещения ампулы 1,6 мм/ч, скорость падения температуры вдоль слитка 4 — 5 град/ч, температура зоны перемещения ампулы

1000 — 450 К, отжиг при 450 К в течение нескольких часов и последующее охлаждение до комнатной температуры с указанной выше скоростью, время всего процесса около

5 сут. Выращен н ые монокристалл ические слитки длиной 45-50 мм, диаметром 8 — 10 мм скалывают по плоскостям спайности.

С помощью термограмм и дифрактограмм осуществляется контроль од нородности по составу, однофазности, монокристалличности и равномерного распределения по объему примесей, выращенных слитков, 1687592

Количе

Состав материала

Но,ат %

0,59252709

0,59252255

0,5923

0,5821

0,00001

0,0001

0,005

0,01

f Г 7 931 1Л М(.98) Составитель Л, Романцева у

Техред M,Ìeðãåíòàë Корректор Л. Бескид

Редактор Т. Лазоренко

Заказ 3677 Тираж 407 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101

В таблице представлень данные по количеству исходных элементов In, Se и Но для получения 1 гматериала.

На чертеже представлены спектры фотолюминесценции при 77 К материала на основе InSe и с различным содержанием

Но. Кривые 1 — 5 соответствуют монокристаллам состава: 1 — InSe; 2 - 1пЗе и Но—

0,00001 ат.%;. 3 — InSe и Но — 0,0001 ат.%;

4 — InSe и Но — 0,005 ат,%, 5 — lnSe и Но—

0,01 ат.%, Указанные спектры зарегистрированы при стационарном возбуждении излученио ем лазера ЛГН-208Б (il =: 6328A).

Приведенные спектры показывают, что интенсивность фотолюминесценции для

InSe с содержанием Но 0,0001 — 0,01 ат.% имеет величину.

5 Формула изобретения

Люминесцентный материал на основе селенида индия, содержащий редкоземельный элемент, отл и ч а ю щи йся тем, что, с целью повышения интенсивности фо10 толюминесценции в области спектра 1,30—

1,32 эВ при 77 К, он содержит в качестве редкоземельного элемента гольмий при следующем соотношении компонентов, ат,%: селенид индия 99,99 — 99,9999; голь15 мий 0,0001-0,0100.