П хсичгскай "^щ^ччп^
Иллюстрации
Реферат
) 68809
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое ol авт. свидетельства ¹
Заявлено 08.1Ч.1963 (.л" 829694/26-25) Кл. 21g, 21рг с присоединением заявки ¹
Приоритет
Оп бликовало 26.11.1965. Бголлетеггь ¹ 5
Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР
МПК H Olj
Дата опубликования описания 10.111.1965
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРЕМЕННОГО
МАГНИТНОГО ПОЛЯ
ЦИКЛИЧЕСКИХ УСКОРИТЕЛЕГ! ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ
Предмет изобретения !оописная группа Л3 97
Известен способ формирования переменного магнитного поля циклических ускорителей заряженных частиц, заключающийся в при;I,àíHè нужного профиля полгосным наконечникам железного магнита. Известен также и способ формирования магнитного поля с помощью профилированных металлических проводников.
Предложенный способ отличается от известных тем, что формирование переменного магнитного поля осуществляется одновременным применением ферромагнитных полюсных наконечников и профилированных металлических проводников. Этот способ позволяет устранить краевые эффекты и сделать пригодной для ускорения всю ширину дорожки ме>кду полюсами магнита. При этом необходимо, чтобы толщина профилированных шин была много больше эффективной толщины скинслол.
Все это приводит "тому,,что при данном способе формирования переменного магнитного поля может быть значительно уменьшен вес магнита, снижена потребляемая реактивная энергия, а введение в систему полюсов и магнитопроводов из ферромагнетика приведет к снижению механических усилий на эле5 менты магнитной системы и сделает ее конструкцию более удобной.
1о Способ формирования переменного магнитного поля циклических ускорителей заряженных частиц, от.гичаюигггйся тем, что, с целью устранения потоков рассеяния, обеспечения требуемой формы магнитного поля во всей
15 области между полюсами и наилучшего использования реактивной энергии, форма переменного магнитного поля создается одновременно полюсами из ферромагнетика и профилированными металлическими проводниками, толщина которых должна быть существенно больше эффективной толщины скин-слоя на выбранной частоте питания магнитной системы.