Микросхема памяти

Микросхема памяти

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в технологии изготовления микросхем памяsfc XNKXN v XNCV CsX XXVNNXVsKXX 5 1 б I I I ХУУУЧЛ. СУ ч/Ч У ААХХХхЧЛХХх: / 8 4 ти с защитой от «-излучения. Целью изобретения является повышение надежности функционирования микросхемы памяти. Поставленная цель достигается тем, что слой 8 кремнийорганического соединения расположен на внутренней поверхности крышки 6 корпуса 1 и внутренней поверхности корпуса 1. Такое расположение слоя 8 исключает термомеханические напряжения в поверхностном слое полупроводникового кристалла 3, т.к. отсутствует механический контакт между слоем 8 и полупроводниковым кристаллом 3. Кроме того, выделяемая кристаллом 3 теплота свободно передается верхней части корпуса 1 за счет лучеиспускания , что улучшает тепловой режим работы микросхемы. 1 ил. 5 1 б I I I Ё О ю 00 ю о J

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (5!)5 G 11 С 13/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4796664!24 (22) 27.02.90 (46) 15.11.91. Бюл. М 42. (71) Ленинградское научно-производственное объединение "Красная заря" (72) ЯМ, Беккер, М.Я. Беккер, А.А. Заколдаев, М.И. Фомин и Н.Д. Фролов (53) 681,327.6(088.8) (56) Технические условия на микросхему

537РУ6 К0,347.243.06 ТУ.

Технология сверхбольших интегральных схем./Под ред. С.М. Зи.-М.: Мир, 1986, т. 2, с. 370. (54) МИКРОСХЕМА ПАМЯТИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в технологии изготовления микросхем памя„„SU ÄÄ 1691890 А1 ти с защитой от а-излучения. Целью изобретения является повышение надежности функционирования микросхемы памяти. Поставленная цель достигается тем, что слой 8 кремнийорганического соединения расположен на внутренней поверхности крышки

6 корпуса 1 и внутренней поверхности корпуса 1. Такое. расположение слоя 8 исключает термомеханические напряжения в поверхностном слое полупроводникового кристалла 3, т.к. отсутствует механический контакт между слоем 8 и полупроводниковым кристаллом 3. Кроме того, выделяемая кристаллом 3 теплота свободно передается верхней части корпуса 1 за счет лучеиспускания, что улучшает тепловой режим работы микросхемы. 1 ил.

1691890

Формула изобретения

Составитель С, Королев

Редактор А. Маковская Техред М.Моргентал Корректор О. Кравцова

Заказ 3931 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва. Ж-35, Раушская наб.. 4/5

Производственно-иэдятел ьский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина, 101

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в технологии изготовления микросхем памяти с защитой от а-излучения.

Целью изобретения является повышение надежности функционирования микросхемы памяти, На чертеже представлена конструкция микросхемы, разрез.

Микросхема памяти содержит корпус 1, контактные выводы 2, полупроводниковый кристалл 3 с контактными площадками 4, соединительные проводники 5, крышку 6, уплотнительное кольцо 7, слой 8 кремнийорганического соединения.

B процессе работы микросхемы а-частицы, испускаемые материалами корпуса и внешними источниками излучения, поглощаются кремнийорганическим слоем 8 и не попадают на поверхность кристалла 3 из-за низкой проникающей способности в компаундах (слое 13), т.е. интенсивного торможения а-частиц на их пути..Так как покрытие наносится на внутреннюю поверхность крышки 6 корпуса 1 и на свободную внутреннюю поверхность основания корпуса ll, то термомеханические напряжения в поверхностном слое полупроводникового кристалла 3 не возникают вследствие отсутствия механического контакта между полупроводниковым кристаллом 3 и слоем 8 компаунда. Кроме того, выделяемая в процессе функционирования полупроводнико5 вого кристалла 3 памяти теплота за счет лучеиспускания свободно передается верхней части корпуса 1, что облегчает тепловой режим работы микросхемы.

Микросхема памяти, содержащая корпус, полупроводниковый кристалл с контак15 тными площадками, расположенный на донной части корпуса, контактные выводы; закрепленные в корпусе, соединительные проводники, расположенные между контактными площадками полупроводникового

20 кристалла и контактными выводами, крышку корпуса, уплотнительное кольцо, расположенное между корпусом и крышкой корпуса, слой кремнийорганического соединения, отличающаяся тем,что,сцелью

25 повышения надежности функционирования микросхемы памяти, слой кремнийорганического соединения расположен на внутренней поверхности крышки корпуса и внутренней поверхности корпуса.