Способ обработки коллектора термоэмиссионного преобразователя энергии

Способ обработки коллектора термоэмиссионного преобразователя энергии

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к термоэмиссионному методу преобразования тепловой энергии в электрическую и можетбытьиспользовано в технологии формирования рабочей поверхности коллектора термоэмиссионного преобразователя энергии (ТЭП). Цель изобретения - повышение эффективности ТЭП с низкотемпературным коллектором - достигается за счет снижения работы выхода 2 коллектора рс в паре цезия при одновременном уменьшении энергии адсорбции цезия на коллекторе Способ заключается в имплантации в рабочую поверхность коллектора ионов цезия или бария с энергией 30-60 кэВ дозами 1014-1016 ион/см2 Выбор типа имплантируемых иоков и параметры способа обоснованы зксперементальным путем Для коллектора из монокристалла молибдена с гранью (110) на рабочей поверхности после имплантации минимальное значение ( понизилось на 0,15 0,20 эВ с одновременным снижением Т/ТС (Тк и Тс - температуры коллектора и резервуара с цезием соответствен но, К) с 1,9 до 1,3-1,35 по сравнению с исходным состоянием. сл С

;ф (;()il I » (I>t 1I КИК (:()I tÈЛЛИС t i1i lti(;КИХ

PF.(.(1ÓÜ(4ËÊ

rsЮ Н 01 45/00

ГОСУДЛР СТВ Е ННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4660658/21 (22) 10.03.89 (46) 15.11.91. Бюл. N 42 (72) M È.Ãóñåâà, В.З.Кайбышев, В.А.Карюкин и В.П.Обрезумав (53) 621.362(088.8) (54) СПОСОБ ОБРАБОТКИ КОЛЛЕКТОРА

ТЕРМОЭМИССИОННОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ЭНЕРГИИ (57) Изобретение относится к термаэмиссианному методу п реобразования тепловой энергии в электрическую и можетбытьиспользавано в технологии формирования рабочей поверхности коллектора термоэмиссионного преобразователя энергии (ТЭП). Цель изобретения — повышение эффективности ТЭП с низкотемпературным коллектором — достигается за счет снижения работы выхода

Изобретение относится к термоэмиссионному методу преобразования тепловой энергии в электрическую и может быть использовано в технологии формирования рабочей поверхности коллектора термоэмиссионного преобразователя энергии (ТЭП).

Цель изобретения — повышение активности ТЭП с низкотемпературным коллектором — достигается за счет снижения работы выхода коллектора р< в паре цезия при одновременном уменьшении энергии адсорбции атомов цезия на коллекторе.

Способ заключается в имплантации в рабачуюпаверхность коллектора ионов цезия или бария с энергией 30 — 60 кэВ дозами

10 — 10 ион/см .Выбор типа имплантиру2 емых ионов и параметры способа обоснованы эксперементальным путем. Имплантация в коллектор злектроположительных элементов (цезия или бария) в дальнейшем при работе ТЭП приводит к снижению миниму.. Ж „„1691904 Al коллектора, в паре цезия при одновременном уменьшении энергии адсарбции цезия на коллекторе. Способ заключается в имплантации в рабочую поверхность коллектора ионов цезия или бария с энергией

30-60 кэВ дозами 10 -10 иан/см . Выбор типа имплантируемых ионов и параметры способа обоснованы эксперементальным путем, Для коллектааа из манакристалла молибдена с гранью (110) на рабочей поверхности после имплантации минимальное значение + понизило ь на 0,15-0,20 эВ с одновременным снижением Т/Т (Тк и Тс— температуры коллектора и резервуара с цезием соответственно,К) с 1,9 до 1,3 — 1,35 по сравнению с исходным состоянием.

1 ма (р, с одновременным уменьшением ад-. сорбции цезия на поверхность коллектора, т.е. уменьшению отношения Тк/Тс, где Т и Tcs — температуры коллектора и резервуара с цезием, при котором достигается минимальное значение р,, При энергии ионов менее 30 кэВ из-за малой глубины залегания внедренных ионов эмисионные свойства коллектора нестабильны, а при более 60 кэВ появляется радиационные дефекты, также ухудшающие эти свойства, При дозах менее 10 ион/см2 максимальное снижение минимума p„- и соответствующее снижение Т /Тсв не достигаются. Дозы более

10 ион/см не вызывают дальнейшего наращивания концентрации внедренных ионов.

Способ реализуется следующим образом.

Изготавливается заготовка коллектора

ТЭП, например, из манакристалла молибде! (191

cD о р м у л а и з и Fi р и r - . и q

Составитель В. Синявский

Техред M.Моргентал Корректор М. Максимишенец

Редактор А. Маковская

Заказ 3932 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, )К-35, Раушская наб., 4/5

Производствоннс-издательский комбинат "Патент". г Ужгород ул Гагарина 1 ".1 на, I< вакуумной камере на рабочую поверхнос1ь коллеvropý Осуществляется имплан тация ионов цезия или бария при энергиях ионов 30 --60кэВ и дозах облучения 10

1ri

10 ион/см, После этого коллектор монтируется в ТЭГ1.

Для коллектора из монокристалла мс, либдена с гранью /110/ на рабочей поверхнос1 и уменьшение минимального значения

<р,, после имплантации гоставило 0,15

0,20 эВ по сравнению с исходным с одновр".ìåÍíûì снижением Т,/Т;,, с 1,9 до 1,3

-- 1,35, Способ обработки Kîëлектора термоэмиссионного преобразователя

5 энергии, включающий имплантацию ионов в рабочую поверхность коллектора, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности термоэмиссионного преобразователя энергии с низкотемпературным коллектором, в

10 качестве имплантируемых ионов используют ионы цезия или бария с энергией 30-60 кэВ, а имплантацию осуществляют дозами, равными !

Π— 10 ион/см .