Способ изготовления полупроводникового прибора

Способ изготовления полупроводникового прибора

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов Цель изобретения - повышение надежности полупроводникового прибора Способ заключается в том, что полупроводниковые кристаллы помещают на основания с выводами , алюминиевые контактные площадки кристаллов соединяют проволокой с выводами оснований термокомпрессионной или ультразвуковой сваркой Собранные полупроводниковые приборы в технологической таре помещают в ванну с деионизованной водой с удельным электрическим сопротив лением 18-20 МОм см при 20±2°С и выдерживают 30-40 с Затем тару с приборами помещают в ванну с деионизованной водой при 85±5°С и обрабатывают в течение 20±1 мин Удель ное электрическое сопротивление воды после обработки приборов должно быть не ниже 7 МОм -см После обработки приборы сушат при 100 + 5°С в течение 15-20 мин В результате обработки на поверхности алюминиевых контактных площадок и на алюминиевом покрытии выводов основания в зоне их соединения с проволокой образуется плотная пленка оксида алюминия толщиной 0406 мкм обладающая влагостойкостью и обеспечивающая защиту от проникновения влаги и коррозии в месте соединения Ё

ОО«Оз сов тских

СО! «ИЛЛИСТИ «F r-,К!ЧХ

f Ã:спуьлик (Я)5 Н 01 (21/607

ГОСУДЛРСТРЕН«1ЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗ О БРГГТГ t «HHM l1 ОТКР ЫТ ИЯЫ (1РИ ГК««Т СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4604619/21 (22) 14.11.88 (46) 15.11.91. Бюл. № 42 (72) Н,В,Тиханков, А.С.Федонин, Jl.À.Ñàâченко и Л.В,Демченко (53) 621.382(088.8) (56) Мэдленд Г.P. и др, Интегральные схемы. Основы проектирования и технологии.—

M.: Сов. радио, 1970, с.103-114, Заявка Японии

¹ 59 — 129433, кл, Н 01 1 21/607, 1984. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА (57) Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов.

Цель изобретения — повышение надежности полупроводникового прибора. Способ заключается в том, что полупроводниковые кристаллы помещают на основания с выводами, алюминиевые контактные площадки кристаллов соединяют проволокой с вывоИзобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полупроводникового прибора.

Целью изобретения является повышение надежности полупроводникового прибора.

Сущность изобретения заключается в том, что на кристалле создают активные области, наносят диэлектрическую и алюминиевую пленки, формируют из алюминиевой пленки токоведущие дорожки и контактные площадки, защищают поверхность кристалла вне контактных площадок слоем диэлектрика, присоединяют микросваркой проволоку к контактным площадкам, формируют оксид на поверхности алюминия контактных площа„„Ы.) „„1б91910 А1 дами оснований термокомпрессионной или ультразвуковой сваркой. Собранные полупроводниковые приборы в технологической таре помещают в ванну с деионизованной водой с удельным электрическим сопротивлением 18 — 20 МОм см при 20 2"С и выдерживают 30-40 с. Затем тару с приборами помещают в ванну с деионизованной водой при 85 5"Ñ и обрабатывают в течение 20 «-1 мин, Удельное электрическое сопротивление воды после обработки приборов должно быть не ниже 7

МОм см. После обработки приборы сушат при

100+ 5 С в течение 15 — 20 мин. В результате обработки на поверхности алюминиевых контактных площадок и на алюминиевом покрытии выводов основания в зоне их соединения с проволокой образуется плотная пленка оксида алюминия толщиной

0,4-0,6 мкм, обладающая влагостойкостью и обеспечивающая защиту от проникновения влаги и коррозии в месте соединения. док последовательной обработкой в деионизированной воде с удельным электрическим сопротивлением 18 — 20 МОм см при 1822 С в течение 30 — 40 с и при 80-90 С в течение 19-21 мин, сушкой при 100-105 С в течение 15-20 мин и герметизируют прибор.

Экспериментально установлено, что получение воды с электрическим сопротивлением более 20 МОм см связано с большими техническими трудностями. Снижение удельного электрического сопротивления деионизованной воды ниже 18 МОм см приводит v. сни>кени«о повторяемости результатов, Пробивные напряжения при обработке приборов в холодной воде при температуре