Полупроводниковый прибор

Полупроводниковый прибор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к электронике и может быть использовано в СВЧ-технике, широкополосных усилителях, приемниках. Цель изобретения - улучшение электрических параметров путем снижения последовательной индуктивности и параллельной емкости - достигается тем, что выводы входа и выхода выполнены в виде трапецеидальных микрог-олосковых участков металлизации , обращенных к кристаллу меньшими основаниями трапеций, а две боковые грани , перпендикулярные микрополосковой линич, и нижняя поверхность керамического основания выполнены металлизированными и электрически соединены между собой и с микрополосковой линией. 1 ил.

и с союз сс>петсклх социАлистиче ск{лх

РЕСГ>УБЛИК

{ч)с Н 01 L 23И0

1-:

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4699751/21 (22) 05.06.89 (46) 15.11.91. Бюл. ¹ 42 (72) A.P.Íåâîëèí (53) 621.382(088.8)

{56) D.W.Hughes, Н.M.Harris апб Bucker "Ап

erluivaient circuit for à Fomll mlcrostrip

packade" Microwave Journal, August 1986, (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР

{57) Изобретение относится к электроника и может быть использовано в СВЧ-технике, широкополосных усилителях, приемниках.

Изобретение — палуп роводниковый прибор для усилителей распределенного усиления (УРУ) СВЧ вЂ” относится к электронике M может быть использовано в СВЧ-технике, широкополосных усилителях, приемниках.

Цель изобретения — улучшение электри. ческих параметров путем снижения последовательной индуктивности и параллельной емкости.

На чертеже представлена конструкция основания прибора с полевым транз{лстсром с общим источником.

Полупроводниковый прибор состоит из керамического основания f с металлизацией в виде низкаомнай микрополаскавой линии (МГ1Л) 2, кристалла 3, соединенного м{ .ðoпроволокой 4 с саответствуюшими выводами входа МПЛ 2, а выводы выхода кристалла подключены к проходящим через корпус транзистора высакаамным МПЛ 5 и 6 гикропроволокой 7 и 8 соответственно, металлизированных боковых граней 9 аснавани

Полупроводниковый прибор работает следующим образом.

Цель изобретения — улучшение электрических параметров путем снижения последовательной индуктивнасти и параллельной емкости — достигается тем, чта выводы входа и выхода выполнены в виде трапецеидальных микрополасковых участков металлизации, абра{ценных к кристаллу меньшими основаниями трапеций, а две боковые грани, перпендикулярные микрапалоскавой линии, и нижняя поверхность керамического основания вь>палнены металлизиравгнными и э> ектрически соединены между собой и с микрополоскавай линией. 1 ил, Транзисторы собираются боковыми металлизированными гранями с последующим заземлением, при этом образуются входная и выходная передающие линии, штоки оказываются заземленными, и при подключении соответствующих нагрузок образует я

УРУ с уменьшенными элементами, Часта1ные свойства ега при этом определяются величиной корпуса (шага между транзисторами) и свойствами самого кристалла, Это позволяет значигельна расширить паласу усиливаемых частот по сравнению с использованием в гибридных УРУ транзиcTopoB c извест{{ыми конструкциями карпу;:ов, Пример . Корпус был изготовлен из пал икара. Металлиза {лия вы пал нека па типовому технологическому процессу. Примекение карлуса размерам 1х1,5х0,25 мм позволила на чипе АГ1339А5 изготовить гибридный УРУ, работающий до 12 ГГЦ, Формула изобретения

Полупроводниковый прибор, преимущественно усили гель раса ределеннага усиления СВЧ, содержащий керамическое

Составитель С. Манякин

Техред M.Морге))тал Корректор M.Äeì (ик

Редактор Н. Каменская

Заказ 3932 Тира;к ПОДП ИС)90:..

ВН)ЛИГЗИ Государстве): 9nro комитата гс изобре Гениям и Открытиям при ГК)-1Т „ ССР f 13035, МосKBB.,?K 33, P-"} øñêßß наб„4/5

Г) роизведст)ЗРН)30 И ада 3 еЛЬск)lи KO 433 ) 133т 1ате)11, Г, Уж Горов. )t,), I:Л ) =33; t)r i) 13; 1

Ос)1 3Г<3!.1Ие, НБ ЛИЦВ,ОЙ Г1033ерхНОС! И l(070p0(.") СИ 393 9етричl- еГО боковым Граням распо.Ложена низкоомная микрополосковая линия, кристалл, симметрично расположенный на к9икропОлосковой!1инии и сг)ВДинен- 5 ный r.. Ней общим выводом, и входной и р ь)ХОГ! ной Выводы, распОНОженнь3е 380K3JIbно-симметрич130 01носительно Mill(p0130310"

c3(0R0 .9 линии, 0 т л и ч а 10 гц и Й с я тем, что, с цег)ь)О улучшения электрических парамет- 10 ров путем с)-)и>кения посг)едовательной индуктивности и параллель)чой9 емкости системы

3зыводов, выводы входа и выхода выполнены в виде трапецеидальных микрополосковых участков металлизации, обращенных к кристаллу меньшими основаниями трапеций, а две боковые грани, перпендикулярные микрополосковой г)инии, и нижняя поверхность керамического основания выполнены металлизированными и электрически соединены между собой и с микрополосковой линией,