Способ очистки тетраэтоксисилана
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Изобретение касаетря кремнийорганических веществ, в частности очистки тетраэтоксисилана - отхода производства моносилана при диспропорционировании триэтоксисилана. Цель - повышение степени очистки и упрощение процесса. Его ведут обработкой отхода этанолом при их молярном соотношении (3-15): 1 (в расчете на триэтоксисилан) при 25-80°С. Эти условия позволяют удалять примеси триэтоксисилана, моносилана, синолята щелочного металла и продуктов гидролиза из ректифицированного очищенного продукта с достижением, чистоты, необходимой для дальнейшего использования в процессах зпитаксиального покрытия пластин кремния или в производстве ос.ч. диоксида кремния . 2 табл.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (я)ю С 07 F 7/20
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4725551/04 (22) 03.05.89 (46) 30.11.91. Бал, N 44 (71) Запорожский завод и Кремнийполимери (72) И.Н.Литвиненко, Д.M.Äèäåíêî, Н.И.Шуцкий, Т.С.Калиниченко, Е.П.Белов, Е.Н.Лебедев, С.И.Клещевникова, Г.А.Дубровская, Е.А.Рябенко, К.Г.Егоров,, A,È,Êóçнецов и A.Ô.Ëoãèíîâ (53) 547.245.07 (088,8) (56) Авторское свидетельство СССР
hL 192210, кл. С 07 F 7/20, 1967.(54) СПОСОБ ОЧИСТКИ ТЕТРАЭТОКСИСИЛАНА (57) Изобретение касается кремнийорганических веществ, в частности очистки тетраИзобретение относится к кремнийорганической химии, к улучшенному способу очистки тетраэтоксисилана, являющегося отходом производства моносилана методом каталитического диспропорционирования триэтоксисилана, от примеси триэтоксисилана, моносилана, силанолята щелочного металла и продуктов гидролиза. Очищенный тетраэтоксисилан используется для эпитаксиального покрытия пластин кремния, производства особо чистого диоксида кремния и др.
Целью изобретения является увеличение степени очистки тетраэтоксисилана и упрощение процесса, Пример 1. В трехгорловую колбу, снабженную мешалкой, холодильником, термометром, загружают 100 r тетраэтоксисилана — отхода производства моносилана, „„ Ы„„1694585 А1 этоксисилана — отхода производства моносилана при диспропорционировании триэтоксисилана. Цель — повышение степени очистки и упрощение процесса, Его ведут обработкой отхода этанолом при их молярном соотношении (3-15):1 (в расчете на триэтоксисилан) при 25 — 80 С. Эти условия позволяют удалять примеси триэтоксисилана, моносилана, синолята щелочного металла и продуктов гидролиза из ректифицированного очищенного продукта с достижением. чистоты, необходимой для дальнейшего использования в процессах эпитаксиального покрытия пластин кремния или в производстве ос.ч. диоксида кремния. 2 табл. содержащего 4,1 мас, (25 мг-моль) триэтоксилана, 1,5 мас,g катализатора — сила- нолята натрия, 2,5 продуктов гидролиза 0 тетраэтоксисилана и 1.2 взвешенных мик- 10 рочастиц, вносят 13,8 r (300 мг-моль) абсо- ф „ лютированного этилового спирта, (у повышают температуру до 60 С и выдерживают реакционную смесь при этой темпера.туре 5 ч, после чего реакционную смесь подвергают ректификации для выделения тетрвэтоксисилана. При этом ректификацию реакционной смеси ведут таким обра- в зом, чтобы часть тетраэтоксисилана оставалась в кубе.
Кубовый остаток представляет собой раствор силанолята натрия в тетраэтоксисилане. После отстоя взвешенных частичек геля последние отделяют от раствора силанолята натрия в тетраэтоксисилане, ко1694585 т рый затем направляют в процесс получения моносилана.
Тетраэтоксисилан, полученный после очистки и ректификации, характеризуется следующими показателями содержание триэтоксисилана менее 1 10 мас. (чувствительность хроматографического метода анализа 1 10 мас.70);.содержание продукт в гидролиэа (димера, тримера) менее 1х
1 мас. (чувствительность анализа 1 10 з мас.Ы: соаеожание силанолята натрия м нее 1 !Оч мас,$ (чувствительность хим ческого метода, анализа 1 10 мас.,ь, -4 с! держание микролримесед, $. Fe 2 10
Mg 5 10; AI 2 10; В 5 10 >Мп 1 10; Си
7!10; Сг 1 ° 10; TI 2 10; Аз4 .1 10
SI! 1 10 . C!! 0 10, P(1 10 .
Чувствительность химико-спектральноrd метод7а анализа : Fe 1 ° 10; Mg 1 10
Tl 1 10; Cr 1-10; Al 1 10; Са 1 ° 1 ; Сц, 5 !10; Мп 5, ° 10; В 5 10; P 1 ° 10; As 1
10 ;Sb 1 10
Примеры, аналогичные описанному, илл стрирующие влияние температуры ведения процесса, соотношение реагентов и время выдержки, сведены в табл. 1.
Был использован тетраэтоксисилан, отхОд производства моносилана с содержанием 4,1 триэтоксисилана, 1,5 (, катализатора — силанолята натрия, 2,5 продуктов гидролиза (димера, тримера) и
1,2;(, неидентифицированных примесей (примеры 1 — 7,10).
Для примера 8 использовался тетраэтоксисилан с содержанием 8,2 триэтоксисилана, 1,8 катализатора — силанолята натрия, 3,0 (, продуктов гидролиза (димера, тримера) и 1,1 неидентифицированных примесей, 5 Для примера 9 был использован тетраэтоксисилан, содержащий 5,1 триэтоксисилана, 1,7 (! катализатора — силанолята натрия, 4 продуктов гидролиэа (димера, .тримера) и 1,3 ф неидентифицированных
10 примесей.
В табл. 2 приведены данные анализа тетраэтоксисилана после очистки на содержание микропримесей металлов, В и P.
Способ позволяет получить тетраэток15 сисилан марки ос.ч, что позволяет его испольэовать для получения защитных пленок диоксида кремния и др.
Фоомчла изобретения
20 Способ очистки тетраэтоксисилана, являющегося отходом производства моносилана, методом каталитического диспропорционирования триэтоксисилана от примеси триэтоксисилана, моносилана, 25 силанолята щелочного металла и продуктов гидролиза путем обработки тетраэтоксисилана очищающим реагентом с последующей ректификацией, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени очистки и
30 упрощения процесса, в качестве очищающего реагента используют этиловый спирт, взятый в молярном соотношении (3-15): 1 по отношению к триэтоксисилану, и процесс ведут при 25 — 80 С, 35
1694585
1
1
1
1
1
1 1
1.
1
1 !
I I
° и
Фа4) 1 ai s
Т J Т
4) Z a
zec
1 d4
1 и
-I m к
m3 и
1о
U (о
1 X
Д3 Y
1 IZl V
I X с! т о (О е! 0
3-! О
1 C
)Т
Э и
I . Z
1 X а с
I 4I
1 X (Т
I Е
1 )4 а ю
I О (O! a4 (О
t)d Ы, о о о
an о и
)о о
1
1 î
IЕ««
1 ! о
1 «4 и
v ()Ю I
343 е
«съ
I y
)Ю !
I ° «4
I a )
1 м и
I» о с! J
)4 а
З Э X
4t tZ Y
1 Q а
1 CD!
1 %.Э
)О
I
1 Iа ь сч л
I I а ! 14 с о
1 Ф ф t т оисо сеот
e (- Z 3- O
1 hC U (4 1«3 Ф е
l- 1 а(4)
xzc; со и (м м м ссъ аао о лсч -о
- с"1а а (Ч»»
z z ° v
1 Ф MZ 4)
Чт е Т
3 т е Ф т
43 Z (Z т(-ас
1
I ЮФ
1 ° и
1 IO
X
1 Y
3I V
I X
Т о
1 о 1
I 3X»», 1 O л и с е о! ф а с. с Т
I ф
1 Е
М а
1 4) 1 Ч
1 О
I С.Э с«\ ь м а сч о .з
I ! Ф
43 ,Т()3 ! Г
I «»
I «4
1 C)3 а а а
an сс«
I г
3 3
IЮ
I «» .
1 «4
С)3
Ж а а сч сЧ а (Ч а - an сч «сч асч о
«сч -а со а (Ч
М м а
I X I с и
O4IO
1Ы Т Е !
О о о о
О
Ь О CD о о
1 I»
I Y
1 Л
1 Cf о ! а
1 I»
1 m
Т 3 Ф и е)о -*o
z о ч оеао с Г- Ф
1 S
m o а х (- о е
I)
1 X
m o а х (- о
Е l3- 3«) 1
z czo еоо сxz т )- о и о
1 4) е I»
° z o точ е ао ссе
z ч е о с х
X to o
Ф
М
1 1 о
I- 1, I
) о
31 I
I З
3 О
1
1 ! N
«« 3
v÷ о !
1 C=) сс
1 Ф 1
I (С) СЛ
U a U I I I !
" 3о о о
V 1 I I ((Iо
« а
v сч v ° и
I- )о о î t о о а C) сч а - м а а а о an о о сч сч л сч л л
О О а
«- (ч а ас « а О In О an О сч а а an
-а -а «а «лмь лсч сч сч t» N N м -а
N (nСч сч N сч c 4 сч а а а а а (л
СЧ Сч N N .N сч м . а ч,) I co
i (I
I
I
I
l (I ( (I
t ! (1
I
) !
I
I !
I
I
) (I
I
I ! (1
I
I
I (I
1
I
I
1
1
I (I !
I ()
1
1 С" («
I (с( (Ь
) « (t 3
3,m ж
1 cza)oi
1 (-ь ! 0l
I !
1 43
I I- Е
v ч о о
3 Z )1- д ф с *
1 4l
Ф
z )m o
)- о и z ! t() 4) л с
1 J Ф
1 IТ
1 m Ф
1 х и с Ф
) m х (m
I ч е о Ф
1 ) X
1 4) (z e
t is m !
1 х cz и о
I «)) )I Т 4) (S Z в
I m>s
1 Cl S х о v
1 l- 4)
1 Е Т
1 Z Т о * а S
I XX (4« (1694585
Таблица
Содержание принеси, нас.С
Опнт
t" (Cu Мл (В
В» ttg
Al Са
Чуастаительность химико-спектрального иетора анализа
1 1с 1 io-с 5 10-ь 5.10- 5.10-0 1 10- 1 10-ь 1.10-
1 ° 10 . 110
1 ° 10 I 10
Составитель О. Минаева
Редактор Т, Лазоренко Техред М.Моргентал Корректор Л. Бескид
Заказ 4127 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 101
2 ° 10
3 .10
1 ° 10
5 10
3 10
I - -i G
I .10
2 10
5 lo
3 10
6 10
5-10
4 10
t.1О
2 ° 10
6 10
1-т
2.10
4 10
3 10
-т
1 ° 10
I ° 1G
2 10
5 ° 10
1.10 С
1 10
1 ° 10
1 10
1 10
1.10
1 ° 10
1 10
2 lo
3 10
5 .10
1 ° 10
1 ° 10
2.10
5 10
3:10
3 10
2 10
3 10
2 ° 1(ГС
4 ° 10
" 1О
3 10
3 lo В
5.!о ь
5 10
7 10
7 ° lo
6 10
5-10
5 10
5 IG
5-10
5 10 Ь
5 ° 10
5 10
6 ° 10 !
G 6
6° . iÎ ь
1 ° 10
6 ° 10
6 10
5 10
1 10
1 ° 10
6 ° IG
6 10! J"
1 10 1 ° 10 10
1 ° 10 1 IG 1 10
t t0 I0 1.10
1 ° 10 ь,! ° 10 1 ° 10
1.10 1.1O- 1.!О С
1 10 1 10 1 lo
1 10 1.10 I lo