Полевой полупроводниковый прибор

Полевой полупроводниковый прибор

Реферат

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в усилителях и генераторах несинусоидальной формы. Цель изобретения повышение параметрической надежности полевого транзистора с управлякщкм р-п-первходом. Расположение дополнительного р-п-перехода на определенном расстоянии от истока позволяет за счет генерации горячих электронов при обратном напряжении на этом переходе увеличить ток стока без увеличения напряжения на электродах сгока и затвора. 1 ил.