Способ построения переключающих и логических устройств

Способ построения переключающих и логических устройств

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАН ИЕ

ИЗ ОБ Р ЕТЕН ИЯ

N АВТОРСРОй- ;У СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кя 42»п 14оз

Заявлено 23.Х1.1961 (№ 819212/26-24) с присоедiп|епием заявки ¹

Гос1гдарственный

«омитет flo делам изобретению открытий СССР

Приоритет

Опубликовано 17., 11.1965, Бюллетень № 7

Дата опубликования описания 11.VI.1965

МПК 6 06f

УДК 681.142(088.8) Автор изобретения

H. А. Хохлачева

Заявитель

СПОСОБ ЙОСТРОЕИИЯ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИХ И

ЛОГИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВ ходных электродах d — d и с — с проявляется с. г»,. U,„,. = l.

При подаче напряхкения на управляющие электроды в — в наклон экьипотенциальных линий изменяется и выходные электрсды d.— d u с — с оказываются под одинаковым потенциалом, поэтому выходной сигнал на этих электродах отсутствует и Ь,,.= О.

Изменяя количество входных электродов, а

10 также количество и расположение выходных электродов, можно решать различные логические задачи. Аналогичный эффект пол чается при управлении переключением посредствоÄ эффекта Холла, градиента температур

15 или фотоэлектрического эффекта.

Описанный способ найдет применение в вычислительно I технике для создания логических устройств, в автоматике для переключения г.::спей, в технике связи для коммутации

20 разговорных трактов.

Способ построения переключающих и логи25 ческих устройств на кристалле (переключающих IIIKpo!!oäó.!åé) с п входами и пг выходамп, от.гачающаггся тем, что выходные электроды располагают на противоположных гранях кристалла, а процесс переключения осу30 ществляют, создавая в нем поперечное элек11одписная группа Л3 174

Изобретение относится к способам создания переключающих или логических устройств на кристалле (переключающих микромодулей) с л входами и гп выходами.

Описываемый способ отличается тем, что выходные электроды располагают на противоположных гранях кристалла произвольно, а процесс переключения осуществляют, создавая поперечное электрическое поле внутри кристалла, изменяющее наклон эквипотенциальных линий в нем. Причем поперечное электрическое поле создают дополнительным источником э. д. с. или за счет проявления различных физических эффектов: эффекта Холла, термоэлектрического или какого-либо другого эффекта.

На фиг. 1 и 2 приведены схемы переключающих устройств, построенных по предложенному способу, в которых поперечное электрическое поле создают дополнительным источником э. д. с.

Устройство состоит из полупроводниковой пластины а с напаянными на ее гранях электродами: е — е — входные, в — в — управляющие; d — d u c — с — выходные.

На фиг. 1 штрихами нанесено направление эквипотенциальных линии при отсутствии управляющего сигнала Š— 0 и при постоянном входном сигнале Е1 — — Const. При этом на выПредмет изобретения

169892

Е, СопИ

Фиг,2

С,=Const

<Рог. I

Составитель А. Иванова

Редактор Н. А. Джарагетти Техред Л. К. Ткаченко Корректор О, Б. Тюрина

Заказ 1128 10 Тираж 975 Формат бум. 60+901/s Объем 0,13 изд. л. Цена 5 коп.

Ц1-1ИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 трическое иоле, изменяющее наклон эквипотенциальных линий, с помощью дополнительного источника э. д. с. или за счет проявления различнгях физических эффектов: эффекта

Холла, термоэлектрического, фотоэлектрического или какого-либо другого эффекта.