Датчик электромагнитного излучения

Датчик электромагнитного излучения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение касается к технике измерений параметров электромагнитного поля. Цель изобретения - уменьшение веса и габаритов . Цель достигается тем, что в качестве преобразователя в датчике электромагнитного излучения используют полупроводниковую интегральную микросхему операционного усилителя. Датчик электромагнитного излучения содержит операционный усилитель (ОУ) 1 с цепями 2 коррекции и баланса, цепью 3 обратной связи на инвертирующий вход 4 ОУ 1 с цепями питания 5. Антенна 6 подключена к одному из выводов микросхемы, например к выводу 7 цепи коррекции и баланса. Разделение высокочастотной цепи антенного входа с низкочастотными цепями осуществляется индуктивностью 8. Неинвертирующий вход 9 ОУ 1 заземлен. Выход 10 ОУ 1 служит входом преобразователя и подключен к входу индикатора 11. 2 ил. со с XI о о 4 3

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (s<)s G 01 R 29/08

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

I з

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4736839/09 (22) 14.07,89 (46) 23.12.91. баюл. %47 (71) Тбилисский государственный университет (72) А.В, Бобров, З.В. Квиникидзе, Я,А. Пятигорский и В.М. Федоров (53) 621.317.328(088.8) (56) Валичов P.À., Сретенский B.Н. Радиоизмерения на сверхвысоких частотах, — M.:

Воениздат, 1957.

Авторское свидетельство СССР

N- 1376048, кл. G 01 R 29/08, 1986, (54) ДАТЧИК ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ (57) Изобретение касается к технике измерений параметров электромагнитного поля.

Цель изобретения — уменьшение веса и га„, SU„, 1700499 Al баритов. Цель достигается тем, что в качестве преобразователя в датчике электромагнитного излучения используют полупроводниковую интегральную микросхему операционного усилителя. Датчик электромагнитного излучения содержит операционный усилитель (ОУ) 1 с цепями 2 коррекции и баланса. цепью 3 обратной связи на инвертирующий вход 4 ОУ 1 с цепями питания 5. Антенна 6 подключена к одному из выводов микросхемы, например к выводу

7 цепи коррекции и баланса. Разделение высокочастотной цепи антенного входа с низкочастотными цепями осуществляется индуктивностью 8. Неинвертирующий вход

9 ОУ 1 заземлен. Выход 10 ОУ 1 служит входом преобразователя и подключен к входу индикатора 11. 2 ил.

1700499

Изобретение относится к технике измерений параметров электромагнитного поля и может быть использовано при измерении напряженности электромагнитного поля, 5

Цель изобретения — уменьшение массы и габаритов, На фиг. 1 приведена электрическая схема датчика„электромагнитного излучения!, (ЭМИ); на фиг, 2 — амплитудно-частотные 10, характеристики (АЧХ) преобразователей, выполненных из ОУ типа К140УД20.

Датчик электромагнитного излучения содержит операционный усилитель (ОУ) 1 с 15 цепями 2 коррекции и баланса, цепью 3 обратной связи на инвертирующий вход 4 операционного усилителя с цепями 5 питания. Антенна 6 подключена к одному из выводов микросхемы, например к выводу 7 20 цепи коррекции или баланса, Разделение высокочастотной цепи антенного входа с низкочастотными цепями (коррекции или баланса) осуществляется индуктивностью B.

Неинвертирующий вход 9 операционного 25 усилителя 1 заземлен, Выход 10 ОУ t служит входом преобразователя и подключен к входу индикатора 11. Все выводы ОУ i, кроме вывода 7, заземлены по высокой частоте емкостями С, 30

Датчик ЭМИ работает следующим образом.

Экспериментально обнаружено, что при подаче на вход преобразователя датчика высокочастотного сигнала в дециметро- 35 вом диапазоне величина потенциала на выходе ОУ определяется частотой этого сигнала и его величиной (частотой и напряженностью электромагнитного излучения в области расположения антенны датчика), 40

Вывод 7 цепей баланса и коррекции является входом для подключения антенны 6.

На ОУ подают питание и после его входа в режим регулировкой баланса в цепи 2 добиваются заданной величины потенциала на 45 выходе микросхемы. Затем на антенну 6 подают электромагнитное излучение в дециметровом диапазоне воли и вновь измеряют потенциал на выходе микросхемы 10 индикатором 11. Разность потенциалов до и после подачи электромагнитного излуче- 50 ния (разность показаний индикатора) — есть реакция датчика на воздействие этого излучения.

На фиг. 2 (кривые а и б) в качестве приема приведены амплитудно-частотные 55 характеристики двух датчиков электромагнитного излучения, размещенных в общем корпусе микросхемы типа К140УД20.

Кривые а и б были получены при следующих условиях: к излучателю подводилась мощность порядка 10 Вт, датчик был расположен в 1,2 м от излучателя, ЭДС источников питания +6,3 В.

Как видно из фиг. 2, оба датчика обладают чувствительностью к электромагнитному излучени|о в определенных областях дециметрового диапазона волн, Для разных интегральных микросхем количество областей чувствительности, их ширина и расположение отличаются одна от другой, Экспериментально установлено, что при подаче на антенный вход датчика модулированного по амплитуде высокочастотного сигнала частота изменения величины потенциала на выходе датчика совпадает с частотой модуляции.

При приведенных экспериментальных данных следует, что полупроводниковые интегральные микросхемы обладают обоими обязательными компонентами (частотнозависимым элементом и детектором) преобразователей электромагнитного излучения, выполненных по схеме прямого усиления, и могут выполнять функцию преобразователя датчика электромагнитного излучения в определенных полосах частот дециметрового диапазона волн. Аналогичными свойствами обладают

ОУ К140Д6, К140Уд7, К553УД1 и ряд других.

Использование известных интегральных микросхем операционных усилителей в качестве преобразователя датчика электромагнитного излучения в дециметровом диапазоне волн обеспечивает уменьшение веса и габаритов датчика.

Формула изобретения

Датчик электромагнитного излучения, включающий последовательно соединенные антенну, преобразователь и индикатор, о т л и ч а ю щ и-й с я тем, что, с целью уменьшения массы и габаритов, в качестве преобразователя используют полупроводниковую интегральную микросхему операционного усилителя, вывод цепи коррекции или баланса которой является входом преобразователя, цепь обратной связи подключена с выхода полупроводниковой интегральной микросхемы операционного усилителя на его интегрирующий вход, неинвертирующий вход заземлен, все выводы, кроме выходного и входного, заземлены через конденсаторы, а вывод коррекции подключен к цепи коррекции через индуктивность.

1700499

ЮО ° ЯР

4ие 2

aunerg

Составитель П.Савельев

Техред M.Ìoðãåíòàë Корректор M.Êó÷åðÿâàÿ

Редактор Л.Гратилло

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Заказ 4465 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35 Раушская наб., 4/5