Преобразователь постоянного напряжения
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано в системах вторичного электропитания промышленных установок, в частности для заряда емко стного накопителя. Цель изобретения -повышение КПД. Преобразователь содержит источник 1 питания,трансформатор 2 с первичной 3 и вторичной 4 обмотками, транзистор 5. диоды 6-8, конденсаторы 9,10 и дроссель 11. Дроссель 11, конденсатор 10 и диод 7 включены по резонансной схеме. Запирание трамистора 5 проходит при токе, меньшем максимального , что уменьшает коммутационные потяри. 2 ил. со с Ш 77 RH ч о 4 ю Јь СП
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИллиСТичЕ СКИХ
РЭСПУБЛ!ЛК (si)s Н 02 M 3/335
Г0СУД РСТВЕ .ЛЦй КОЬ ЛТЕТ
ПО ИЗОБРЕ ГЕг1ИЯМ И ОТКРИТИМЛ н „,, ° н-, с,,"г р
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВЫ,ЦЕТЕЛЬСТВУ (21) 475501п 07 (22} Ои.12,80 (46) 07.01,92. Бгол. М 1 (71) Грузи геь" и политехнический институт им. B. И. Лъ,iна (72) А. h. А и::,--".::, Ш. Ш. Начхе бия, Б.А. Поп ов, М, А. Шуь а и П. -Э. Рерабиивили
;53) 621 314 г", 038 8) (5б) Заявка Beni-,кобрит нии М 2050084, кл. Н 02 Е,", 3/24, 31.12.80.
Заявка с ранции М 2454724, кл, Н 02 М 3/24, 18Я4.80.
Авторское свидетельсти СССР
N 12б7556. кл. Н 02 M3/335. 29.10.85.,, Ы,, 1704245 А1 (54) ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПОСТОЯННОГО
НАПРЯЖЕНИЯ (57) Изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано в системах вторичного электропитания промышленных установок, в частности для заряда емкостного накопителя. Цель изобретения — повышение КПД. Преобразователь содержит исгочник 1 питания, тоансформатор 2 с первичной 3 и втсричной 4 обмотками. транзистор 5. диоды 5-8, конденсаторы 9, 10 и дроссель 11. Дроссель 11, конденсатор 10 и диод 7 включены по резонансной схеме. Запирание транистора 5 проходит при токе, меньшем максимального, что уменьшает коммутационные потери.
2 ил.
170.л2 "5
>4<,<о,",рс) >": ., (>с;сс; K <:O< Gj>j,"„>Ова1ЕЛЬ! <Ой )GÕILL> -. . L >Х .<..; с. >Л >; iC
<0 !3 ?????? ??????>t i ВТ<, с> a! !G; C> . )It :с. >рОП>1! )>! t,Ч промышле«> !.;.. уст- Оа<):-. з ";стнг .-! tt для
ЗаР>>,Л,З Е.i (<)C i,)ОГО На::0;:.; t <-ЛЯ.
jj0Л! 5 )С ГЕ (5>>i Г,< i)!2(L Н<лi j,.
СНИХл.в<,;0!<Оса И Г;.2Л>>ЗИ>0 П!)ЕОбраэ()ва)Еля.
5) > 1а ч>иг, 1 пГ)ива>(™«а с хес !3 j (соб)р"-..->с вателя; на фиг. 2 зидто«а <-e>I t.. rOj).-) Tj)н- 10 зистора.
Г1р(30!2рг>з )ватель Со.-.,с;)",;": — t!GTG><<<<лк 1 п! та>,и;,, тра«< << !op»;! Oр ° < г)> Г»3<4 >;<(2й 3 и втори-<НОГ> 4 )C:40)а." .;,;"„ : ..:- :"Ор, первыи L) с О!)Ой 0 т . u дигд!.>, а> т > .л <3 1 ) ??????>п-.!!: 9 и гиорои 10 конд,;,са.оры и дроссель 11.
Преобразоеател работае> следу>ощим образом.
При подкл>очени<1 ИOTG-:ника 1 пит<п!Ич 20
0T(1t1p(>0! с-ч тра>4эистОГ) 5 и 1 . f>t .ptt>vi -ii!0!3 00моте г, 3 транс(> .()р>ла>с )а 2 1>р>л .;л;3дl lвается
>)ан. я, Э)>< вторич«ой сбмот>:и 4 транс<, ;)p,".3òoðP 2 направлс:;, )аки>л огзразг><л, ч;а транзи:тор 5 25 поддеГ,.Иваегся в сткрыто состоянии. Начинаетс» заряд втт)рого конденса-,о, а 10 по Ko>!3,ру: вторичная 0- 1->отка 4 тра>)сформ тора 2, .;росс — ëi 11. Tj2 тий д. .Од 8, t3sp(. x0д з<литт ра — база TpOнз .стора 5. За 30 счет вкл>оче«t«я дра-.селя 11 ток зз яда второгo конденсат-.ра Iu из;.леняется ио
3at.о><у, близкс;лу к с>>нусоидально!,;. Коплекторный ток транзистора 5 складывdoòc» иэ двух сосfавля о<дик: приведенному к 35 и pn« I>б>- отк» 3 тОку зав>>да Вто>30! О ког>де>гора 10 (1,) (фиг. 2) и тока::.а! >агНИЧИВа Н" я Трса >4Сфор>.)ато! а (i;(). j З » ря;5.Е нис 1!а вторгм кон енса> зе 10 на .ина т возраст>3(ь, а Ток ч рез lit,0, как и ток базы 40 транэис) О!)а 5 изл<е>4яетсч по синуc(> . .д;3льному . .; О«у. Г1ри ул.ень.»ен»>I тока базы транзи,. ора 5 до некоторого з>4ачен.>ч 0 < выходит в линейный режиM и запира .тся.
Уа! нт>тог>ровод трз; сл, орма>ора 2 вкл>оча:- (ся либ>э l13 материал 3 с низко . магнитной проницаемость>o (н..п!)! л=р, альсифера), либо с зазсро<1, и 33>T0It) t>ðLt запира« .итр; зис)ора5зс «к>рома;«итная 50 энергия, запасенная в и;:Г>t t>òooðo(>(t;;(.h >43 чинае> г>оступ;->гь <ерез t><>:р»тый первый диод б 0 перль)51 ко;<денсл<ор <3 ?? ??????>.узку.
Од><овр ".p«!!0 ><àa-»< >;т<: > ра,)a>L ()()ро(о конде«с::3()p,3 10 чер- 3 ..> () >. " :.»0„)ь в10 -)5 рИЧНОИ 0<,)Л<отс! 1 4 И li j>E>; >, д<, д 6 it П- Itt>>1
Ко><доt< )Тор 4 l I!3;.; .»., 1>» -рч;;. Г)„>Г)ОГ() >,0,,o !c то()а > l< .- »>!(a ttо 3;»со ну, {2i! ::-Ол
Г>0<3 >е р: зр:<с(л I:0 <ДГ.><с(>loГ)ОГО i *0 Р;<)ЛСII И," (>; Кj)!! аа>.. 1 С5> В ГО!>Ой Д!" с >Д (И (C) . "."..рвз ft(. рс t.,. Д>10Д 6 си I!1>I:>PT lt 1>>Е
>!5! > ь(.я >,о ли .<(,i! >с .. / 3 >«o! !) . Г!Осле yr4>!«! п>они". Это<О тс».а ДО нуля .р-l«3L!c>0p 5
О ПИ;: .ТC)i И Гс<. С i! j )l(<. (:Сl! I) t ÕÃ r1(; <10(3 t
k)Tcл I30;1P5>,."ен;1; ><а f>1:>3!<0 4 ????<<????????;>)ОГ)е ., >Зоз!25)стает, <1 >>р; некг);Орг<4 ??(?? ".?????????????? ?????? ()5??)5 .?? ??l)0 ??????!>»д ) K(»I >(Ðñ <>".Лт(л!):> 1 П ст
I:.0tt3ttI(:я больш» >< >я. HTG;:()и ди<)д 7 запиГ>асзтс5>, и то: чег ".; (<10!>ОЙ >:.GI <Д>":нса о!) 10 изме><5,"(. Гся по 3 . П>!), близ«0< ;,. к OTpo3K;3I4
))>)) х С!;« "со! iд, It!, ..<Ом ток и >)Г)»i <51 за!)яда
ОПрЕ,P>35!>OTCe ВЕ>:.;ЧИ«ой ИНду: «(3>!«C) tt дросс(>!51 1! 11, а TO! < . в>> 3>4» !)аз<)яд,> — I)<. Itè:иней )!ндуктиен<2сти мори и<с и обмот>:и 4 транс<< Ор;латора 2.
Нр!1 c;)oTt30Tc3 ву!0>цей I(o>4ñ Tpóêöèt> трансформатора 2, ун>с.цил др<2ccoëч 11 >i>0ж(>г вь<полнять и: дукlивность рассеяния тра«с >2!)>латорз 2 1 дроссель 11 можно не
C1 <-.," .и f ь.
Ес.-и преобраа в:3! .с) ь пог.)оян«ого ><лпрч:ке,:ич рабо га f «а .=:ряд ем костного накоп«! 0! .5!, нап!)Ч)(>>ие. 12азр«дг> Ko)oj>010 п1)с>зь»с)ает напря:с;с;4ие источника 1 пи>гния, пспвь>й канд .:.-.а>ор 9 и нагрузку ц лесообразно подкл>О ить к другому пол<осу исто II>и«а 1 l>ита><к>Я. Еоэффици нт l113< .Обрззования при з>г><л иовышаетсч»а единtlL! Y
В Сг:.ЯЭ>1 С тЕМ, >ТО ЭаПИРаНИЕ ТРанс<>ОРr5а>ора 2 происходит при токе, ме>>ьш".ì ма»;си! сального (1 м). коммутационные потери в прсдлагаемс>л конверторе значитель«о ниже, чем в извест><о>.1.
j50мбинацич р,.зонансноro и класс<лческ it 0 режимов ра .ОТ>,> преобразователя позволяетт повысить >< OT<2>)> !p005pi)30()o«t<>i, а з>на .ит, снизи) ь га>.зр>>ты и вес маг>4и! ных элементов.
Исг)ытан>< л<акеты (<рео )разоиате)>е>1 I;0 пред>Р ГаемОЙ и извсстr со cf),>„ )
>О>ци>4и характер стиками; первич><ое
l<апп5>)ке1lt;<) 12 j5: емкость наvOпttтел<<
1Г>0 14кФ; зне!)Г>1» заряда 80 Ц)к; час)о>а разряда 1 Гц.
>1сг>! <та<>ия f)05:азали, что пр<)дл.<Гав<4 ь<<1 пр обр) «овэт ль >и 4«.ет И1Д Ili) 7g, больше, а вес ><а 30„r..å>< (>е. чем из!)Ос)!<ый при
УД< .ЛЬН<2 1 ???????? lo )?? ??>0(Цс и ji.-)Ät<0L130топного термозлс .тpt«>ecKO< î l o>t(:paTOp;t
1000 !)уб)/Вт.
Формула изобретения
Г10ЕОб>ПЛЗГ,".ТТ,- с.Ь NOCTO»>«<0(0 > ..рх<=>t!! . . 3р <з<>г.f()p, з><иттер кото> Огп пр!.со;.д -.. н к пс! "., IL ход><ол>у
<с<.,;>:, а КОЛ>< "., 1, ". ("3. ",Ы< I С !II(>j ЫЛ> Bt!
Х, . < > i \ и L.< В 0 (); 1,:;, . . 3 П Е П l3 L I I",!0 t > (., .1 (j 1 >"
T „ tl!,: : Plt ° >Г(;> .l . ." II(I с,! >>>О!1« ><<оп
1704245
Составитель А.Апаров
Техред М.Моргентал
Род.гк тор 1).Òóãèöã
Корректор Э,Лончакова
Тира.к ПодФ сное
<"Н "1" 1т11 " - "1 с.тзенного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, 1-аугвская наб., 4/5
Произвo,".ñ .":янно-1 здательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина. 101 обмотки соединен ч-.ðeç первый диод с первым выходн !1 выводом и первым выводом первого конденсатора, второй вывод которого подкл!о l н к одному из входных вы во дов, второй конде сатори, шунтированный в оркв диодом, т рети1л диод, присоединенный первым выводом к базе транзистора. отличающийся тем,что,сцелью повышения КПД, введен дроссель, включенный между вторым выводом третьего диода и Ilервым выводом втоpè÷((ой Обмотl;è трансформатора, второй вывод которой
5 присоединен к первому выводу, второго конденсатора. второй вывод кото",îãî подключен K первому входному выводу, соединенному с вторым выходным выводом.