Устройство контроля пластин памяти из ферромагнитного материала

Устройство контроля пластин памяти из ферромагнитного материала

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕ НИЯ

Союз Советскик

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 04.Х.1963 (№ 859646/26-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 23.1V.1965. Бюллетень № 9

Дата опубликования описания 2.VI.19á5

Кл. 42m, 14,1

Государственным комитет по делам иаобретемим

w открытий СССР

МПК G 060

УДК 681.)42(088.8), ;! (г1 1 1

Авторы изобретения

Ю. Н. Салмин, В. Л. Сандеров н А. С. Уксусов .— 1;. ь" 6,1И0

Заявитель

УСТРОИСТВО КОНТРОЛЯ ПЛАСТИН ПАМЯТИ

ИЗ ФЕРРОМАГНИТНОГО МАТЕРИАЛА

Подписная еру1111а Л5 174

Известны устройства для контроля пластин памяти из ферромагнитного материала. Такие устройства содержат проводники, пронизывающие отверстия пластин памяти.

Описываемое устройство отличается тем, кки с каналами и выводами, расположенными в этих каналах, а проводники, пронизывающие отверстия пластин памяти, образованы токопроводящим материалом в жидком состоянии, контактирующим с выводами.

Это отличие позволяет автоматизировать контроль пластин памяти, так как упрощается одновременный ш1од проводников в отверстия

fi. I!1 ГTllll нам яти.

На черте>ке изображено описьпзасмое устройство, общ1ьй вид.

Устройство содержит корпус 1, закрытый снизу поддоном 2, а сверху — съемной крышкой 3.

В корпусе 1 смонтированы пластины-подло>кки 4, вь!пОлнсин!)1е II3 изоляционного материала и собранные в пакет. Пластины-подложки 4 имсloT отверстия, соответствующие отверстиям пластин памяти. В результате совмещения отверстий пластин-подложек в пакете образуются каналы 5. В каждый канал номен!ено f)o одному выводу 6, выполненному п виде тонкои проволоки или печатным монта>ком.

Контролируемая пластина 7 памяти устанавливается ио специальным базовым отверстиям над пакетом пластин-подложек 4 так, чтобы все отверстия пластины 7 памяти и под5 ло>кек 4 были совмещены, Вакуу мным насосом 8 откачивают закрытую систему, а затем поверх пластины 7 памяти из бачка 9 подают токоироводящий материал 10 в жидком состоянии. При перепаде давлений л!ежду верхней

10 н нижней полостями корпуса токопроводящий материал 10 продавливается через каналы 6 пластин-подложек 4 и замыкает выводы 6, которые подключены к автоматическим измерительным устройствам, ироизвод>ицим необ15 ходимыс замеры.

Для и1игторо1пгя цикла токоироводящий материал из поддона 2 насосом ll перекачивается в бачок 9.

Предмет изобретения

Устройство контроля пластин памяти из ферромагнитного материала, содержащее проводники, пронизывающие отверстия указанных пластин, отл11чп1ощсеся тем. что, с целью att25 томатизации контроля пластин памяти, устройство содер>кит пластины-подложки с каналами и выводами, расположенными в этик каналах, а проводники, пронизывающие отверстия пластин памяти, образованы токопроводящим ма-

30 териалом в жидком состоянии, контактирующим с упомянутыми выводами.!

70743

Составитель А, Соколов

Текред Л. А. Камышннкова

Редактор П. Шлаин

Корректор О. 8. 3 юрина

Заказ 1023!7 Тираж 950 Формат бум. 60)(9() /„Объем 0,13 изд, л. Цена 5 коп.

ЦНИИ Г1И Государственного комитета по делам изобретениЯ и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр Сапунова, 2