Полосно-пропускающий фильтр

Полосно-пропускающий фильтр

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Область использования - частотно селективные устройства сверхвысоких частот. Цель изобретения - уменьшение зависимости частотно-нормированной амплитудночастотной характеристики от дизлектрической проницаемости диэлекрической подложки полосно-прОпускающего фильтра. Полосно-пропускающий фильтр содержит диэлектрическую подложку 1 и микрополосковые полуволновые резонаторы 2. размещенные на ней и злектромагнитно связанные один с другим. Длина в области электромагнитной связи выбрана равной 0,646 длины каждого из микрополосковых полуволновых резонаторов 2. За счет этого сводится к нулк) емкостная составляющая связи, а индуктивная составляющая менее чувствительная к изменению диэлектрической проницаемости диэлектрической подложки 1. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)5 Н 01 P 1/203

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4711961/09 (22) 27.06.89 (46) 30.01.92. Бюл. М 4 (71) Институт физики им.Л.В.Киренского СО

АН СССР (72) Б.А.Беляев и В.B.Òþðíåâ (53) 621,372.852.1(088.8) (56) Справочник по элементам полосковой техники/Под ред. Фельдштейна А.Л. Связь. . 1979, с.262-270.

Авторское свидетельство СССР

М 1376140, кл. Н 01 Р 1/203, 1988. (54) .ПОЛ ОСНО-ПРОПУСКАЮЩИЙ

ФИЛЬТР (57) Область использования — частотно селективные устройства сверхвысоких частот.

Цель изобретения — уменьшение зависимо,, Я2,, 1709438 А1 сти частотно-нормированной амплитудночастотной характеристики от диэлектрической проницаемости диэлекрической подложки полосно-пропускающего фильтра. Полосно-пропускающий фильтр содержит диэлектрическую .подложку 1 и микрополосковые полуволновые резонаторы 2, размещенные на ней и электромагнитно связанные один с другим. Длина в области электромагнитной связи выбрана равной 0,646 длины каждого из микрополосковых полуволновых резонаторов 2. За счет этого сводится к нулю емкостная составляющая связи, а индуктивная составляющая менее чувствительная к изменению диэлектрической проницаемости диэлектрической подложки 1. 1 ил.

1709438

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в миниатюрных частотно-селективных устройствах.

Цель изобретения — уменьшение зависимости частотно-нормированной амплитудно-частотной характеристики от диэлектрической проницаемости диэлектрической подложки.

На чертеже показана конструкция полосно-пропускающего фильтра. Полоснопропускающий фильтр содержит диэлектрическую подложку 1 и микрополосковые полуволновые резонаторы 2, размещенные на ней, электромагнитно связанные .один с другим и связанные с входной и выходной линиями 3,4, размещенными на диэлектрической подложке 1.

Длина 1 области электромагнитной связи выбрана равной 0,646 длине каждого из микрополосковых полуволновых резонаторов 2.

Полосно-пропускающий фильтр работает следующим образом.

СВЧ-сигнал с входной линии 3 на выходную линию 4 проходит в полосе пропускания микрополосковых полуволновых резонаторов 2. Благодаря тому, что электромагнитная связь соседних микрополосковых полувблновых резонаторов 2 имеет индуктивно-емкостный характер и при этом коэффициент, характеризующий емкостное взаимодействие, меняет свой знак при длине I, равной 0,646 длины микрополоскового полуволнового резонатора 2, реализуется

5 режим только индуктивной связи, которая по существу не зависит от диэлектрической проницаемости диэлектрической подложки

1, Этим достигается постоянство коэффициента связи и уменьшение зависимости час10 тот но-модул и рован ной амплитудно-частотной характеристики от диэлектрической проницаемости диэлектрической подложки 1.

15 Формула изобретения

Полосно-пропускающий фильтр, содержащий диэлектрическую подложку и размещенные на ней микрополосковые полуволновые резонаторы, электромагнит20 но связанные один с другим и связанные с входной и выходной микрополосковыми линиями, размещенными на диэлектрической подложке, отличающийся тем, что, с целью уменьшения зависимости частотно25 нормированной амплитудно-частотной характеристики от диэлектрической проницаемости диэлектрической подложки, длина областей электромагнитной связи выбрана равной 0,646 длины каждого из мик30 рополосковых резонаторов.