Демодулятор амплитудно-модулированных колебаний

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к технике детектирования и может быть использовано в; радиоприемнь1х и измерительных устройст~ вах. Цель изобретения - повышение точнб-vсти демодуляции' широкополосных сигналов. Устройство содержит резистор 1, конденсатор 2, диод 3, первый, второй, третий, четвертый, пятый и шестой транзисторы 4< S. 6, 8, 9 и'^Ю и источник 7 тока.-Первый транзистор служит для выделения положительной полуволны входного напряжения на резисторе1 нагрузки, а четвертый, пятый и шестой транзисторы 8,9 и 10 - для выделения и инвертирования отрицательной полуволны. Благодаря тому, что открытый четвертый транзистор 8 слабо шунтирует коллектор третьего транзистора 6; повышается линейность детекторной характеристи- . ки и точность демодуляции. 1 ил.Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в радиоприемных и радйоизмерительных устройствах.Цель изобретения - повышение точности демодуляции широкополосных -сигн»-"лов.- - . • ,'; ,'. '•., • ' ''• - ' ' •• На чертеже приведена структурная злектрическая схема демодулятора амплйтуднр-модулированных сигналов,•Демодулятор содержит резистор 1, конденсатор 2, диод 3, первый, второй и третий транзисторы 4, 5 и 6. источник 7 тбка., четвертый, пятый и шестой транзисторы 8. 9 и 10. -, л'Демодулятор ам'плитудно-модулиро|- ванных колебаний работает следующим образом..В статическом режиме ток змиттёра первого Транзистора 4 равен току базы второго транзистора 5. Переход змиттербаза четвертого транзистора 8 находится на пороге открывания в результате положительного смещения, создаваемого диодом 3 при протекании через него постоянного тока источника 7. Ток змитТера второго транзистора 5 равен току базы третьего транзистора 6. В статическом режиме постоянные токи через пятый 9 и шестой 10 транзисторы не протекает.Первый транзистор 4 предназначен для - пропускания на резистор 1 положительной полуволны тока входного сигнала. Четвертый, пятый и шестой транзисторы 8, 9 и 10 предназначены лля «чнвертирования отрицательной полуволны тока входного сигнала и пропускания ее через резистор 1. На втором и третьем транзисторах 5 и 6 собран инвертирующий усилитель. Основным уси- : лительным элементом является третий транзистор 6. Второй транзистор 5 служит для увеличения входного сопротивления инвертирующего усилителя и для уменьшения статического тока змиттёра первого транзистора 4. Источника 7 тока служит для зада-« •feSч>&4^ Юсл

(19) (11) СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ . РЕСПУБЛИК (5l)5 Н 03 0 1/06

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 4

О

О ф

0 (JI

К. АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛ ЬСТВУ., 1 (2.1) 4791697/09 . (22) 15.02.90 (46) 30.01.92. Бюл, 3Ф 4 (71) Воронежский научно-исследователь- ский институт связи . !

P2) А.В. Германов (53) 621.37623 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

ЬЬ 1350809, кл. Н 03 D 1/06, 1984., (54) ДЕМОДУЛЯТОР АМПЛИТУДНО-МОДУ ЛИРОВАННЫХ КОЛЕБАНИЙ (57) Изобретение относится к технике детектирования и может быть использовано. в радиоприемных и измерительных устройствах. Цель изобретения — повышение точно|

Изобретение относится к радиотехнике

- и может быть использовано в радиоприем-. . ных и.радиоиэмерительных устройствах.

Цель изобретения — повышение точно- сти демодуляции широкополосных .сигналов.

На .чертеже приведена структурная электрическая схема демодулятора амплитудно-модулированных сигналов., Демодулятор содержит резистор 1, конденсатор 2, диод 3, первый, второй и третий транзисторы 4, 5 и 6, источник 7 тока„ четвертый, пятый и шестой транзисторы 8,. .9и10.

Демодулятор амплитудно-модулиро-. ванных колебаний работает следующим:образом.

В статическом режиме ток эмиттера первого транзистора 4 равен току базы вторОго транзистора 5. Переход эмиттер.— база четвертого транзистора 8 находится íà пороге открывания в результате положитель- .

/ сти демодуляции широкополосных сигналов. Устройство содержит резистор 1, конденсатор 2, диод3, первый, второй, третий, четвертый, пятый и шестой транзисторы 4;

5. 6, 8, 9 и 10 и источник 7 тока. Первый транзистор служит для выделения положительной полуволны входного напряжения на резисторе 1 нагрузки, а четвертый, пятый и шестой транзисторы 8„9 и 10 — дпя выде ления и инвертирования отрицательной полуволны. Благодаря .тому, что открытый четвертый транзистор 8 слабо шунтирует коллектор третьего транзистора 6; повышается линейность детекторной характеристики и точность демодуляции. 1 ил. ного смещения, создаваемого диодом 3 при протекании через него постоянного тока источника 7. Ток эмиттера-второго транэисто1 ра 5 равен току базы третьего транзистора

6. В-статическом режиме постоянные токи через пятый 9 и шестой 10 транзисторы не протекают..

Первый транзистор 4 предназначен дляпропускания на резистор 1 положительной полуволны тока входного сигнала, Четвер-. тый, пятый и шестой транзисторы 8, 9 и 10 предназначены для ((нвертирования отрицательной полуволны тока входного сигнала и пропускания ее через резистор 1. На втором и третьем транзисторах:5 и 6 собран инвертирующий усилитель. Основным усилительным элементом является третий транзистор 6. Второй транзистор 5 служит для увеличения входного сопротивления инвертирующего усилителя и для уменьшения статического тока эмиттера первого транзистора 4, Источника 7 тока служит для зада1709495

1 ния статического тока коллектора третьего транзистора 6 без шунтирования его кол. лекторной цепи.

При наличии входного сигнала в схеме аатоматически устанавливается режИм, при котором полуволна тока от источника сигнала, протекающая через первый транзистор 4, равна другой полуволне тока от источника сигнала, протекающий через четвертый транзистор 8.

:Малейшее невыполнение этого условия устраняется автоматически смещением напряжения на конденсаторе 2 за счет протекающей через него разности этих токов;

Полуволна тока. протекающая через четвертый транзистор 8; протекает также через пятый транзистор 9 в диодном включении и создает на нем падение напряжения, которое открывает шестой транзистор

10. Если транзисторы 9 и 10 выполнены на одном кристалле полупроводника, то коллекторный ток шестого транзистора 10 с высокой точностью совпадает с током, протекающим через пятый транзистор 9.

Таким образом„в коллекторных цепях первого 4 и шестого 10 транзисторов протекают в одном направлении равные по величине полуволны тока входного сигнала.

Замыкаясь через резистор 1 на корпус, они создают на сопротивлении этого резистора эффект двухполупериодного выпрямления входного сигнала. .Благодаря двухполупериодному вы. прямлению в спектре выходного сигнала предлагаемого демодулятора амплитудно-модулированных сигналов уменьшены спектральные составляющие входного широкополосного сигнала, Двухполупериодное выпрямление достигается без сни- жения динамического диапазона линейной демодуляции, Применение четвертого транзистора 8 для протекания другой полуволны тока от источника сигнала приводит к увеличению коэффициента передачи по напряжению инвертирующего усилителя, т. к. диод в открытом состоянии существенно шунтиру-. ет коллектор транзистора 6 инвертйрующего усилителя, в то время как открытый транзистор 8 слабо шунтирует коллектор

5 транзистора 6. Благодаря этому в предлагаемом устройстве повышаетса линейность детекторной характеристики в области ма-. лых сигналов.

Формула изобретения

Демодулятор амплитудно-модулиро- ванных колебаний,. содержащий первый, второй и третий транзисторы,-конденсатор; первый вывод которого является входом

15 демодулятора амплитудно-модулированных колебаний, а второй вывод подключен к эмиттеру первого и к базе второго транзи-: стора, диод. анод которого соединен с коллектором. третьего транзистора, .и источник

20 тока, первый вывод которого подключен к общей шине, а второй вывод - к катоду диода и к базе первого транзистора:, коллектор которого соединен через резистор с общей шиной и является выходом демодулятора

25 амплитудно-модулированных колебаний причем коллектор второго транзистора подключен к общей шине, а эмиттер- — к базе третьего транзистора, эмиттер которого соединен с плюсом источника питания, о т30 лича.ющи йся тем,что,сцельюповышения точности демодуляции широкополосных сигналов, введены четвертый; пятый и шестой транзисторы,.причем эмитгер четвертого транзистора соединен с эмиттером

35 первого транзистора; база — к анодом диода; а коллектор — с коллектором пятого. транзистора и с базами пятого и шестого. транзисторов, эмиттеры которых подключе-. ны к плюсу источника питания, а коллектор ..

40 шестого транзистора соединен с. коллектором . первого транзистора, при этой структура четвертого транзистора является противоположной структурам первого, второго, третьего, пятого и шестого транзи45 сторов..

1709495

Составитель А.Осипович

Техред М.Моргентал Корректор Л.Бескид

Редактор М,Циткина

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Заказ 435 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5