Способ изготовления термостойких тонкопленочных сопротивлений

Способ изготовления термостойких тонкопленочных сопротивлений

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 01.V11.1964. (№ 908497/26-9) 11л. 21с, 54О.;, с присоединением заявки №

ГосУдаРственный Приоритет

МПК Н Olс изобретения. E. Бондаренко, Заявитель Организация Государственного комитета по электронной технике СССР

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕРМОСТОЙКИХ

ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СОПРОТИВЛЕНИЙ

Предмет изобретения

Под пи сная группа Л 9l

Известны способы изготовления термостойких тонкопленочных сопротивлений, выполненных на плоской подогретой ситалловой подложке, термическим испарением металлосилицидного сплава в вакууме.

Цель изобретения — уменьшить разброс номиналов и повысить стабильность сопротивлений. Достигается это тем, что по предло>кенному способу напыление токопроводягцего слоя проводят в вакууме на плоскую ситалловую подложку, подогретую до температуры 340 — Зб0"С. Перед напылением испаритель с нанесенным на него испаряемым сплавом подвергают трехкратному отжигу в вакууме при температуре около 1750 С. После напыления подложки выдер>кивают в вакууме при температуре 340--3б0 С в течение 30,чин, затем производят окисление свободного кремния, содержагцегося в пленке, подвергая их воздействию атмосферы.

Способ позволяет существенно повысить стабильность параметров сопротивлений в процессе пх изготовления, снизить завал частотной характеристики в 2 раза (5 — 7%) по сравнению с известными способами, улучшить воспроизводимость номиналов сопротпглений (не хуже+ 10%).

Способ изготовления термостойкпх тонкопленочных сопротивлений для микросхем, вы10 полненных на плоской нагретой ситалловой подло>кке термическим испарением металлосилицидного сплава в вакууме, отгичагогцийся тем, что, с целью уменьшения разброса номиíàлов и повышения стабильности сопротпвле15 ний, перед напылением на пспарптель наносят слой пспаряемого сплава п производят трехкратный отжиг пспарптеля в вакууме прп температуре около 1750=С, а напыленные сопротивления выдерживают в вакууме при

2о температуре 340 — ЗбО=С в течение 30 тгин, после чего производят окисление свободного кремния, содержащегося в пленке, подвергая пх воздействию атмосферы.