Способ мечения контролируемых объектов

Способ мечения контролируемых объектов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к автоматике, в частности к способу мечения контролируемых объектов, и может быть использовано при идентификации распознаваемых объектов . Цель изобретения состоит в повышении надежности мечения. Поставленная цель достигается тем, что на поверхность диэлектрического материала наносят координатную сетку с заданным шагом, облучают ее пучком ионов с плотностью 104-109 ион/см2 и затем травят в 20%-ном растворе NaOH до образования микроканалов на поверхности диэлектрика , а также тем, что в качестве диэлектрического материала используют слюду, кварц, оливин, полимеры, полиэтилентерефталат и т.п. 3 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4750178/24 (22) 15.08.89 (46) 07,03.92. Бюл, М 9 (75) С,В.Елкин (53) 681.327.12(088,8) (56) Авторское свидетельство СССР

М 625665, кл. А 01 К 11/00, 1975.

Авторское свидетельство СССР М

642890,кл.А 01 К 61/00, А 01 К 11/00,1977. (54) СПОСОБ МЕЧЕНИЯ КОНТРОЛИРУЕМЫХ ОБЪЕКТОВ (57) Изобретение относится к автоматике, в частности к способу мечения контролируеИзобретение относится к автоматике, в частности к способу мечения контролируе-. мых объектов, и может быть использовано при идентификации распознаваемых объектов.

Цель изобретения — повышение надежности мечения объектов.

На фиг.1 изображены схемы примеров облучения диэлектрического материала; на фиг.2 — схема химической обработки полимерной пленки; на фиг.З вЂ” входные отверстия противонаправленных сквозных микроканалов.

Способ заключается в следующем.

Исходный материал, в качестве которого. выбирается диэлектрический мате риал, обладающий свойством образовывать травимые треки при облучении его ионами, облучают ионами плотностью 10 — 10 ион/см . Ион; проникая в диэлектрический материал, вдоль своего пути (трека) оставляет скрытые рациональные повреждения. Облученный диэлектрический материал помещают в селективно.. Ы,, 1718249 А1 (я)5 G 06 К 9/00, А 01 К 11/00 мых объектов, и может быть использовано при идентификации распознаваемых объектов. Цель изобретения состоит в повышении надежности мечения. Поставленная цель достигается тем, что на поверхность диэлектрического материала наносят координатную сетку с заданным шагом, облучают ее пучком ионов с плотностью 10 -10 ион/см и затем травят в 20%-ном растворе NaOH до образования микроканалов на поверхности диэлектрика, а также тем, что в качестве диэлектрического материала используют слюду, кварц, оливин, полимеры, полиэтилентерефталат и т.п. 3 ил. травящий раствор. Вдоль скрытых радиационных повреждений скорость растравливания выше, чем в остальном диэлектрическом материале, в результате чего в диэлектрическом материале образуются микроканалы, видимые в оптический микроскоп. Именно благодаря наличию микроканалов, а точнее их расположению в диэлектрическом материале,и обязана метка своей высокой степенью индивидуальности.

В дальнейшем диэлектрический материал с микроканалами промывают, высушивают, при необходимости разрезают на фрагменты, нумеруют клеймом и крепят на контролируемом объекте либо помещают в кассеты. Идентификацию производят путем сравнения образа метки — фотографии расположения микроканалов, сделанной с помощью оптического микроскопа, с контрольной фотографией либо непосредственно, наблюдая метку в оптический микроскоп.

1718249 ителу гяхетх иощь

P лааинеюнва уаукф

« \ 1

Ф111!1 f 1 j 44

2й GБ ОИ И п ей ит — КОЛРииатаа

OCKMXN ДМаИИЯ ладлРхкм см смиеФ уР ФнФ

3! t t f

NCAA tPQHJI

Пример 1. На поверхность лавсановой (полиэтилентерефталат) пленки толщиной

20 мкм механическим способом при помощи клейма наносят опорные знаки в виде круга диаметром 100 мкм через каждые 10мм, затем пленку облучают пучком тяжелых ионов с энергией 10 мэВ /нукл с плотностью 10 ион/см (фиг,1а), травят в

6 г

20%-ном растворе NaOH при 70 С до образования микроканалов ф = 5 мкм. Время травления подбираютдля каждоготипа пленки. После травления пленку промывают и высушивают (фиг.2). Пленку с протравленными каналами разрезают на фрагменты так, что на каждом фрагменте — опорный знак. Дальше готовую метку прикрепляют к контролируемому объекту и с помощью оптического микроскопа и фотоаппарата изготавливают образ метки, фотографируя расположение микроканалов в области, находящейся внутри опорного знака.

Пример 2. На поверхность лавсановой пленки толщиной 100 мкм механическим способом при помощи устройства для изготовления дифракционных решеток наносят координатную сетку с шагом 100 мкм, затем пленку облучают осколками деления (фиг.1в).

Время облучения подбирают так, что плотность осколков в пленке 10 ион/см . Облученную пленку кладут на время в сейф с радиационной защитой для уменьшения радиационной активности до безопасной ве5 личины, Затем пленку травят в 20%-ном растворе NaOH при 70 С до образования микроканалов диаметром 5 мкм. Время травления определяют экспериментально.

После травления пленку промывают и вы10 су шива ют. Плен ку с и ротра ален н ы ми каналами разрезают на фрагменты площадью 25 мм, а готовые метки наклеивают на контролируемый объект и покрывают тонким слоем защитного

15 прозрачного лака.

Формула изобретения

Способ мечения контролируемых объектов, основанный на нанесении метки из

20 диэлектрического материала на контролируемый объект, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности мечения, на поверхность диэлектрического материала наносят координатную сетку с заданным ша25 гом, облучают ее пучком ионов с плотностью

10 10 ион/см, затем травят в 20%-ном растворе NaOH до образования микроканалов на поверхности диэлектрика,,ьаеию лдьсянабаип»енки деылтель с к»истялпак кья»цл

1718249

Фиг,5

Составитель А. Романов

Техред М,Моргентал Корректор О.Ципле

Редактор И. Шулла

Заказ 884 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета йо изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

t издох шияьни егят