Способ дуговой обработки изделий

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОЮЗ CORE TCHHX

СО0ЧАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСГ1УБЛИН (51)5 В 23 K 9/16

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ

H АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

rOCVgl TeEHHHA КОМИТЕТ

BIO ИЗОБРЕТЕНИЯМ И OTHPblTHRM

ПРИ ГКНТ СССР

Ф (21) 3617483/27 (22) 29.06.83 (46) 07.О6Д3. Бюл. Л" 21 (7 1). Институт электроники AH УэССР и Старокраматорский машиностроительный завод им. Орджоникидзе (72) И.Х.Эстерлис, И.П.Белобров, P.H.ÒàHãðHáåðãàHîâ, И.Ф.Пворжак, A.Иойдинов, Г,Ф.Плисс и Л.С.Хавин (56) Авторское свидетельство СССР

Р 465291, кл. В 23 К 9/08, 1972..

Авторское свидетельство СССР

t> 719710, кл., В 08 В 3/10, 1".80;

Изобретение относится .к дуговой обработке деталей для удаления с их поверхности окисной пленки и загрязнений, закалки поверхностного„слоя, . удаления заусенец и т.д.

Целью изобретения является повышение качества обработки металлических изделий.

Предлагаемый способ поясйяется фиг.1 и 2: на фиг.1 — схема устройства для осуществления обработки протяженного изделия, например стержня; на фиг.2 — схема устройства для обработки участка листового изделия.

Предлагаемьй. способ осуществляется следующим образом., В вакуумной камере на изделии 1, представляющем собой металлическую пластину со сваренным швом 2, создакю поверхность равного потенцйааз,.

2 (54) (57) СПОСОБ ДУГОВОЙ ОБРАБОТКИ ИЗДБЛ!!!! в вакууие в режиме падающего участка вольт-ампериой характеристики дуги неилавлящимся электродсм, при котором к отрицательному полюсу источника питания подключают изделие, а к положительному полюсу электрод, который перемещают относительно изде" лия, отличающийся тем, что, с целью повышения качества обработки путем регулирования скорости обработки, токоиодводы размещают симметрично отиосительио обрабатываемой поверхности изделия, а электрод Aeoe" е Ф мещают сп скоростью 10 — 10 см/с. 2

Ю

Ж! для чего подсоединяют симметрично токоиодиоды 3, которые защищают электРоизолированиыми экранами 4. Электро-. изолировж иые экраны 4 устанавливают для защигы токоподводов 3 при обра-. ботке участков иэделия 1. Около изделия 1 помещают анод 5 с токоподводом

6, защищенным электроизолирояанным экраном 7: Токоподводом 3 изделие I подсоединяют к отрицательному выводу источника 8 тока через нагруоочное сопротивление 9, а анод 5 — к положительному выводу источника 8 тока. Че.pcs нагрузочное сопротивление. 10 к источнику 8 тока подсоединяют также поджигающий электрод 11. Анод 5 соединяют с системой 12 его перемещения.

После этого вакуумную камеру герметически закрывают и откачивают из нее воздух до остаточного давления ниле

17!846!

10 тор. При таком давлении зажигают поджигающим электродом 11 дугу в режиме, характеризуемом падающим участком вольт- амперной характеристики. В это время на катоде изделия 1 формируется большое количество пятен, перемецающихся вблизи торца анода 5.

Перемещают анод 5 по заданной программе, т.е. с запрограммированной скоростью, что приводит к перемещению комплекса катодных пятен с той же скоростью.

Пример I. Очищали от окалины пластину из стали марки Х18Н1ОТ, Тол- щина окалины 10"- см, толщина пластины О, l см, ширина пластины 4,5 см.

Схема создания на,изделии поверхности равного потенциала соответствовала схеме фиг.l. Ток разряда составлял

320 Л. Анод перемещали вдоль очищаемого участка со скорос ью 6 см/с.

Осуществляли равномерное перемещение анода. Катодные пятна перемещались по изделию со скоростью перемещения анода. Результат очистки оценивали визуально. Окапина была полностью удалена с поверхности пластины. Время, затраченное на процесс очистки первого метра составило 17 Ф. Ско30 рость очистки по сравнению со скоростью электрохимического травления в

l,5 раза больше.

Пример 2. Осуществляли съем материала толщиной 0,08 мм с листа из стали марки 60Г. Поверхность рав- 35 ного потенциала на иэделии создавали в соответствии с фит .2. Анод располагали так, что его торец располагался над пентром кольцевого контакта токо-. подвода. Ток разряда составлял 160 А.

Анод перемещали по поверхности иэделия со скоростью 15 см/с вместе с кольцевым контактом токоподвода. Время обработки составило 12 мин, по сравнению с временем 25 мин по спосо45 бу электрохимического травления мы имеем увеличение производительности в 2 раза.

Пример 3. Проводили очистку от окалины и полировку стержня из 50 стали марки сталь 45. Толщина окалины вдоль стержня составляла порядка

-4

10 см, что соответствовапо окалине, образованной на иэделии при закалке ее маслом после СВЧ-обработки. Поверхность равного потенциала на стержне создавали в соответствии со схемой фиг. 1. Вначале проводили очистку при токе разряда 230 А и скорости перемещения анода 4 см/с. Затем при том же токе разряда увеличивали скорость перемещения анода до 15 см/с и перемещали анод равномерно вдоль всей поверхности стержня до достижения желаемой степени полировки. Результат оценивали визуально. Положительным результатом обработки является то, что имеющиеся на поверхности иэделия едва видимые заусеницы удаляются р&эрядоиа

Пример 4. Проводили очистку от окалины и полировку длинной пилы (диск диаметром 32 см с зубьями по краю) применяющейся в хлопкоочнстительнай промышленности. Материалсталь 65Г, толщина окалины 0,01

0,015 см. Поверхность равного потенциала на иэделии соэдавали подсоединением к. диску пилы токоподвода в его центре. Вначале проводили очистку от окалины при токе разряда 230 А. Анод вращали равномерно по кругу над обрабатываемой поверхностью со скоростью перемещения 7 см/с. После удаления окалины при том же токе разряда увеличивали скорость перемещения анода до 1200 см/с путем увеличения числа оборотов и проводили обработку в течение 10 мин, пока не сгладился рельеф поверхности.

Симметричное подключение токоподводов к иэделию обеспечивает получение на обрабатываемом участке по« верхность равного потенциала, что позволяет при перемещении анода со скоростью 10 - 10 см/с получать боо Ф лее высокое качество обработанной поверхности эа счет: того, что перемещение комплекса катодиых пятен будет управляемым и более упорядоченным.

171846 i

Фиг. 3

Корректо1 С.ЕЬкмар

Составителв. В.Шаров

Техред Л.Сердюкова

Редактор Т.Зубкова

Нроиэводственно-издательский комбинат "Патент", r.ужгород, ул. Гагарина, 101

t ю ВВ « ъ ...

° ФВ °

Заказ 1981 Тираж Подписное

ВНИИЛИ Государственного комитета по изобретениям и открнтияк при ГКНТ СССР

113035, Москва, 3-35, Раувская наб., д. 4/5