Способ стробоскопического наблюдения

Способ стробоскопического наблюдения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИКАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕХБэСТВУ

l72406

Загисимое от авт. свидетельства ¹ 148154

Заявлено 18,Х.1963 (№ 861520/26-25) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 29.Ъ 1.1965. Б оллетеиь № 13

Дата опубликования описания 29Х11.1965

Кл. 21g, 11 г

Государствеииый комитет по делам изобретений и открытий СССР

МПК Н 01 l

УДК 621.315.592: 53.087.

252 (088.8) Авторы изобретения

Г. В. Спивак, Н. Н. Седов, В. Г. Дюков и В. В. Евдокимов

Заявитель

СПОСОБ СТРОБОСКОПИЧ ЕСКОГО НАБЛ1ОДЕН ИЯ

П ЕР ЕХОДН Ь1Х П РО ЦЕССО В

В ПОЛУПРОВОДНИКОВЪ1Х р — n-ПЕРЕХОДАХ

Опечатка

Следует читать — с присоедипением заявки № 861956

Подписная гругггга ¹ 97

По авт. св. ¹ 148154 известен спосоо получения изображения р — п-переходов в полупроводниках, осуществляемый возбуждением электронной эмиссии бомбардировкой поверхности полупроводников положительными ионами.

Предлагается для получения четкой (пеусредпеппой по времени) картины изображения

p — и-перехода в любой момент времени использовать стробоскопический эффект, получаемый путем импульсной ионной бомбардировки образца. Импульсная бомбардировка осуществляется с помощью ионного источника. Подаваемые на этот источник импульсы названы стробирующими. Скважность стробирующих импульсов, интенсивность излучения источника определяют яркость изображения.

Изображение получается вследствие электронной эмиссии с образца. Частоту следования импульсов хгожно плавно задерживать и тем самым наблюдать изобрйжецие в разные моменты времени относительно длительности основного опорного импульса, поданного иа р — и-переход в запирающем направлении.

5 Описанный способ позволяет исследовать динамические процессы в полупроводниковых р — п-переходах.

10 Предмет изобретения

Способ стробоскопического наблюдения переходных процессов в полупроводниковых р — гг-переходах по авт. св. ¹ 148154, отли15 чагоигггггся тем, что, с целью получения более полной информации о физических процессах, имеющих место при исследовании динамических процессов в полупроводниковых р — и-переходах, применяют стробоскопирование им20 пульсиой ионио-электропшой эмиссией.